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SM - 8互补中功率
达林顿晶体管
第1期 - 1995年11月
ZDT6705
C
1
C
1
C
2
C
2
PARTMARKING详细信息？ T6705
B
1
E
1
B
2
E
2
NPN
PNP
SM-8
（ 8铅SOT223 ）
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
NPN
140
120
10
4
1
PNP
-140
-120
-10
-4
-1
单位
V
V
V
A
A
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+150
热特性
参数
在T总功率耗散
AMB
= 25°C*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
减免上述25° C *
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
热阻 - 结到环境*
“关于”任何单一芯片
这两个死“的”平等
符号
P
合计
价值
2.25
2.75
18
22
55.6
45.5
单位
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式
与铜等于2平方英寸的PCB 。
3 - 369
ZDT6705
NPN晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
Colllector发射极
截止目前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
2K
5K
2K
0.5K
150
90
15
0.5
1.6
分钟。
140
120
10
0.01
10
0.1
10
1.0
1.5
1.8
1.7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
A
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=120V
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安，我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V*
V
V
V
V
100K
兆赫
pF
pF
s
s
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=20MHz
V
EB
= 500mV的， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
I
B1
=I
B2
=0.5mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看ZDT605数据表。
3 - 370
ZDT6705
PNP晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
截止目前
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态前进
电流传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
3K
3K
3K
2K
160
90
15
0.6
0.8
分钟。
-140
-120
-10
-0.1
-10
-10
-0.1
-1.3
-2.5
-1.8
-1.7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
A
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-120V
V
CB
=-120V,
T
AMB
=100°C
V
CES
=-80V
V
EB
=-8V
I
C
= -1A ，我
B
=-1mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-2mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-5V*
V
V
V
V
30K
兆赫
pF
pF
s
s
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
I
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=20MHz
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CE
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -0.5A ，V
CE
=-10V
I
B1
=I
B2
=-0.5mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看ZDT705数据表。
3 - 371
查看更多ZDT6705TCPDF信息
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