CYStech电子股份有限公司
齐纳二极管系列
规格。编号： C326N3
发行日期： 2003年4月14日
修订日期：
页页次： 1/12
ZD52XXBN3
SOT-23
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
TA = 25 ° C，减免上述25℃
器件总功耗
氧化铝基板** TA = 25 ℃，减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
PD
PD
RΘJA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
* FR- 5 - 1.0× 0.75 × 0.062 **在氧化铝 - 0.4 ×0.3 × 0.024 99.5 ％的氧化铝。
电气特性
(V
F
= 0.9V最大@I
F
= 10毫安所有类型。 ）
设备
ZD5221B
ZD5222B
ZD5223B
ZD5225B
ZD5226B
ZD5227B
ZD5228B
ZD5229B
ZD5230B
ZD5231B
ZD5232B
ZD5233B
ZD5234B
ZD5235B
ZD5236B
ZD5237B
ZD5238B
ZD5239B
ZD5240B
ZD5241B
ZD5242B
ZD5243B
ZD5244B
ZD52XXBN3系列
记号
CODE
18A
18B
18C
18E
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
8R
8S
8T
8U
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
齐纳
电压
V
Z
(V)
2.4
±5%
2.5
±5%
2.7
±5%
3.0
±5%
3.3
±5%
3.6
±5%
3.9
±5%
4.3
±5%
4.7
±5%
5.1
±5%
5.6
±5%
6.0
±5%
6.2
±5%
6.8
±5%
7.5
±5%
8.2
±5%
8.7
±5%
9.1
±5%
10
±5%
11
±5%
12
±5%
13
±5%
14
±5%
Z
ZK
I
Z
=0.25mA
（ Ω ，最大）
1200
1250
1300
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
Z
ZT
I
Z
=I
ZT
（ Ω ，最大）
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
马克斯。反向
当前
I
R
（ UA） @V
R
(V)
100
1.0
100
1.0
75
1.0
50
1.0
25
1.0
15
1.0
10
1.0
5.0
1.0
5.0
2.0
5.0
2.0
5.0
3.0
5.0
3.5
5.0
4.0
3.0
5.0
3.0
6.0
3.0
6.5
3.0
6.5
3.0
7.0
3.0
8.0
2.0
8.4
1.0
9.1
0.5
9.9
0.1
10
CYStek产品规格
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