ZA3020
2A降压型, PWM ,开关模式
DC- DC稳压器
概述
该
ZA3020
是单片降压开关
模式转换器具有一个内置的内部电源
MOSFET。能达到2A的连续输出
目前在宽输入电压范围内
优异的负载和线路调整。
电流模式能提供快速的瞬态
响应和简化环路稳定性。
故障状态下保护包括周期逐
周期电流限制和热关断。在
关断模式下,稳压器绘制的23μA
电源电流。
该
ZA3020
需要的最小数量
容易
可用的
标准
外
组件。一个同步引脚允许
部分被驱动到600KHz的。
特点
2A输出电流
0.18内部功率MOSFET开关
稳定的低ESR陶瓷输出
电容器
高达95%的英法fi效率
20μA关断模式
固定的380kHz频率
热关断
逐周期过流保护
宽4.75 25V的工作输入范围
输出可调从1.22至21V
可编程欠压锁定
频率同步输入
提供8引脚SO封装
评估板可用
应用
分布式电源系统
电池充电器
预调节的线性稳压器
订购信息
产品型号
包
ZA3020DS
SOIC8
温度
-40到+125
°C
。对于磁带&卷轴使用后缀 - Z(如ZA3020DS -Z )
图1 :典型应用电路
效率与输出
电流和电压。 V
IN
=10V
V
IN
4.75 25V
IN
95
IN
BS
90
5.0V
SW
效率(%)
启用
关闭
开放
未使用
EN
SNYC
ZA3020
GND
V
OUT
2.5V/2A
3.3V
85
FB
COMP
2.5V
80
75
70
0
0.5
1
1.5
2
输出电流(A )
ZA3020
修订版3.5
2003-04-22
www.vimicro.com
1
ZA3020
2A降压型, PWM ,开关模式
DC- DC稳压器
应用信息
自举电容 - C6
这种绕过上开关栅极驱动器。其
值应为> 4.7nF 。设计简单
该电容器可以是相同的值
补偿封顶C3 。
补偿电容 - C3
这是该系统的补偿帽即在
系列R3 。使用陶瓷10nF的, 50V , X7R
电容器允许它相匹配的C5 。
辅助补偿电容 - C6
这是该系统的补偿帽连接
COMP和GND引脚之间。该电容
滚降的高频噪声和增益,可以
导致占空比抖动。在精心布置的板
使用低ESR的输出电容(C2)的C6不得
是必要的。它-3dB频率由设置
1 /( R 3 X 1 -C 6 ) 。对于R3 = 10K和C6 = 100pF电容的
截止频率是159KHz而过滤掉
400kHz的开关噪声,但高于GBW
目标10kHz到80kHz的使用100pF的陶瓷中,
50V , X7电容。
补偿电阻 - R3
环路补偿增益正比
到R3的值。高它的价值越高
获得。它的值的计算中详细讨论
在环路补偿部分。请参考表4
对于陪推荐值
表面贴装陶瓷和特种聚合物产量
电容。
反馈分压电阻 - R2 , R1
的输出电压被设定由R 2和R 3 :
V
OUT
= 1.22V
[1
+ (R2 / R1)]
R1的最大建议值
100K 。过高的阻抗可以使
反馈节点容易产生噪音特别注
如果未屏蔽电感器的使用。 10K是一个好
标准值。
输入旁路电容 - C1
C1是批量供应电容,其值应
be
≥
10uF的。此电容可电解,
钽或陶瓷。然而,因为它吸收的
输入开关电流,它需要足够的
纹波电流额定值。它的RMS额定电流应
大于大约输出的1/2
电流。
对于投保稳定运行C1应放在
尽可能靠近集成电路越好。另外一
较小的高品质陶瓷0.1μF的电容可以
被置于更靠近集成电路和本体C1放置
渐行渐远。然而,如果使用这种技术
一些需要谨慎如果堆积的C1也是
高品质的陶瓷电容。大电压
引起共振能量振荡游览
两者之间是可能的。
肖特基钳位二极管 - D1
D1提供大部分电流的电感器L1的
当V
SW
是低的。较低的正向肖特基
电压降(V
SCH
)的调节高
EF网络效率。
表2提供了肖特基势的零件号
基于最大输入电压和电流
投资评级。表3列出了制造商的网站。
D1的最大反向电压额定值应
大于最大输入电压V
IN
(最大值)。
二极管的平均电流额定值必须高于
平均负载电流:
I
二极管
(AVG) =我
负载
X [V
IN
–(V
OUT
+V
SCH
)] /V
IN
例如:
V
IN
= 12V, V
OUT
= 3.3V ,我
负载
= 1.2A ,V
SCH
=0.5V.
I
二极管
(AVG) = 1.2A ,X [ 12-( 3.3 + 0.5) ] / 12V
= 0.82A
在这种情况下,图1A的二极管都可以使用。
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概述
该
ZA3020
是单片降压开关
模式转换器具有一个内置的内部电源
MOSFET。能达到2A的连续输出
目前在宽输入电压范围内
优异的负载和线路调整。
电流模式能提供快速的瞬态
响应和简化环路稳定性。
故障状态下保护包括周期逐
周期电流限制和热关断。在
关断模式下,稳压器绘制的23μA
电源电流。
该
ZA3020
需要的最小数量
容易
可用的
标准
外
组件。一个同步引脚允许
部分被驱动到600KHz的。
特点
2A输出电流
0.18内部功率MOSFET开关
稳定的低ESR陶瓷输出
电容器
高达95%的英法fi效率
20μA关断模式
固定的380kHz频率
热关断
逐周期过流保护
宽4.75 25V的工作输入范围
输出可调从1.22至21V
可编程欠压锁定
频率同步输入
提供8引脚SO封装
评估板可用
应用
分布式电源系统
电池充电器
预调节的线性稳压器
订购信息
产品型号
包
ZA3020DS
SOIC8
温度
-40到+125
°C
。对于磁带&卷轴使用后缀 - Z(如ZA3020DS -Z )
图1 :典型应用电路
效率与输出
电流和电压。 V
IN
=10V
V
IN
4.75 25V
IN
95
IN
BS
90
5.0V
SW
效率(%)
启用
关闭
开放
未使用
EN
SNYC
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GND
V
OUT
2.5V/2A
3.3V
85
FB
COMP
2.5V
80
75
70
0
0.5
1
1.5
2
输出电流(A )
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2A降压型, PWM ,开关模式
DC- DC稳压器
应用信息
自举电容 - C6
这种绕过上开关栅极驱动器。其
值应为> 4.7nF 。设计简单
该电容器可以是相同的值
补偿封顶C3 。
补偿电容 - C3
这是该系统的补偿帽即在
系列R3 。使用陶瓷10nF的, 50V , X7R
电容器允许它相匹配的C5 。
辅助补偿电容 - C6
这是该系统的补偿帽连接
COMP和GND引脚之间。该电容
滚降的高频噪声和增益,可以
导致占空比抖动。在精心布置的板
使用低ESR的输出电容(C2)的C6不得
是必要的。它-3dB频率由设置
1 /( R 3 X 1 -C 6 ) 。对于R3 = 10K和C6 = 100pF电容的
截止频率是159KHz而过滤掉
400kHz的开关噪声,但高于GBW
目标10kHz到80kHz的使用100pF的陶瓷中,
50V , X7电容。
补偿电阻 - R3
环路补偿增益正比
到R3的值。高它的价值越高
获得。它的值的计算中详细讨论
在环路补偿部分。请参考表4
对于陪推荐值
表面贴装陶瓷和特种聚合物产量
电容。
反馈分压电阻 - R2 , R1
的输出电压被设定由R 2和R 3 :
V
OUT
= 1.22V
[1
+ (R2 / R1)]
R1的最大建议值
100K 。过高的阻抗可以使
反馈节点容易产生噪音特别注
如果未屏蔽电感器的使用。 10K是一个好
标准值。
输入旁路电容 - C1
C1是批量供应电容,其值应
be
≥
10uF的。此电容可电解,
钽或陶瓷。然而,因为它吸收的
输入开关电流,它需要足够的
纹波电流额定值。它的RMS额定电流应
大于大约输出的1/2
电流。
对于投保稳定运行C1应放在
尽可能靠近集成电路越好。另外一
较小的高品质陶瓷0.1μF的电容可以
被置于更靠近集成电路和本体C1放置
渐行渐远。然而,如果使用这种技术
一些需要谨慎如果堆积的C1也是
高品质的陶瓷电容。大电压
引起共振能量振荡游览
两者之间是可能的。
肖特基钳位二极管 - D1
D1提供大部分电流的电感器L1的
当V
SW
是低的。较低的正向肖特基
电压降(V
SCH
)的调节高
EF网络效率。
表2提供了肖特基势的零件号
基于最大输入电压和电流
投资评级。表3列出了制造商的网站。
D1的最大反向电压额定值应
大于最大输入电压V
IN
(最大值)。
二极管的平均电流额定值必须高于
平均负载电流:
I
二极管
(AVG) =我
负载
X [V
IN
–(V
OUT
+V
SCH
)] /V
IN
例如:
V
IN
= 12V, V
OUT
= 3.3V ,我
负载
= 1.2A ,V
SCH
=0.5V.
I
二极管
(AVG) = 1.2A ,X [ 12-( 3.3 + 0.5) ] / 12V
= 0.82A
在这种情况下,图1A的二极管都可以使用。
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修订版3.5
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