Z0109NN
逻辑电平四象限三端双向可控硅
牧师03 - 2009年8月5日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT223表面贴装塑料封装钝化敏感栅4 -Q双向可控硅
1.2特点和优点
直接连接到逻辑电平集成电路
直接连接到低功率门
驱动电路
800V的高电压阻断
在四个象限敏感栅
表面贴装封装
1.3应用
通用低功耗电机
控制
家电
工业过程控制
低功率AC风扇控制器
1.4快速参考数据
表1中。
V
DRM
I
T（ RMS ）
快速参考
条件
民
-
半正弦波;牛逼
sp
≤
89 °C;
SEE
图4
和
1
V
D
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
T2 + G- ;看
图6
V
D
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
T2- G-
V
D
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
T2 + G +
V
D
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
T2- G +
-
典型值
-
-
最大
800
1
单位
V
A
重复峰值
断态电压
RMS通态
当前
门极触发电流
符号参数
静态特性
I
GT
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
10
10
mA
mA
mA
mA
恩智浦半导体
Z0109NN
逻辑电平四象限三端双向可控硅
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
dI
T
/ DT
极限值
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
对国家崛起的速度
当前
半正弦波;牛逼
sp
≤
89 ℃;看
图4
和
1
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒; T2 + G +
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒; T2 + G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒; T2- G +
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒; T2- G-
I
GM
P
GM
T
英镑
T
j
I
TSM
栅极峰值电流
峰值功率门
储存温度
结温
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
平均功耗门
全正弦波;牛逼
p
= 20毫秒;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
SEE
图2
和
3
全正弦波;牛逼
p
= 16.7毫秒;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C
I
2
t
P
G（ AV ）
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-
-
-
-
最大
800
1
50
50
20
50
1
2
150
125
8
8.5
0.32
0.1
单位
V
A
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
°C
°C
A
A
A
2
s
W
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
2.0
P
合计
(W)
1.6
003aac259
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
α
120°
90°
60°
1.2
0.8
30°
0.4
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
Z0109NN_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年8月5日
3 12
恩智浦半导体
Z0109NN
逻辑电平四象限三端双向可控硅
10
I
TSM
(A)
8
003aad318
6
4
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
2
0
1
10
10
2
周期数
10
3
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
003aad319
10
3
I
TSM
(A)
I
T
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
(1)
(2)
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
t
p
(s)
10
1
图3 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
Z0109NN_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年8月5日
4 12
恩智浦半导体
Z0109NN
逻辑电平四象限三端双向可控硅
1.2
I
T（ RMS ）
(A)
003aad391
0.8
0.4
0
50
0
50
100
150
T
sp
(°C)
图4 。
通态电流的焊点温度的函数允许的最大RMS ;典型值。
5.热特性
表5 。
符号
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
-
典型值
-
150
60
最大
25
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
自从看到热阻
图5
结点到焊点
从热阻
结到环境
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
003aad390
1
P
10
1
t
p
t
10
2
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图5 。
从结瞬态热阻抗焊接点作为脉冲持续时间的函数
Z0109NN_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年8月5日
5 12
Z01
特性的影响
图1 。
最大功率耗散
与RMS通态电流
（全循环）
图2中。
通态电流与铅RMS
（ TO- 92 ）或制表符（ SOT- 223 ）
温度（全周期）
P（ W）的
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
R
号（j -a）的
= R
日（ J- T）
(SOT-223)
1.0
0.8
R
号（j -a）的
= R
号（j -1）的
(TO-92)
0.6
0.4
0.2
I
T（ RMS ）
(A)
0.00
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
l
或T
TAB
(°C)
0.0
0
25
50
75
100
125
网络连接gure 3 。
通态电流与RMS
环境温度（全循环）
图4中。
热相对变化
阻抗与脉冲持续时间
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
R
号（j -a）的
= 150 ° C / W
(TO-92)
K = [Z
号（j -a）的
/R
号（j - a）所示
1.00
R
号（j -a）的
= 60 ° C / W
(SOT-223)
Z01xxA
0.10
Z01xxN
T
AMB
(°C)
0.0
0
25
50
75
100
125
0.01
1E-3
1E-2
1E-1
t
p
(s)
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
图5中。
门极触发的相对变化
当前，保持电流和
闭锁电流对结
温度（典型值）的
图6 。
浪涌峰值通态电流 -
周期数
I
GT
, I
H
, I
L
[T
j
] / I
GT
, I
H
, I
L
[T
j
=25°C]
2.5
I
TSM
(A)
9
8
t=20ms
2.0
7
6
不重复
T
j
初始= 25°C
一个周期
1.5
I
GT
5
4
3
重复
T
AMB
= 25°C
1.0
I
H
＆放大器;我
L
0.5
2
0.0
-40
-20
0
20
T
j
(°C)
40
60
80
100
120
140
1
0
1
周期数
10
100
1000
3/9
特性的影响
Z01
图7 。
非重复浪涌峰值
通态电流为正弦
脉冲宽度t
p
< 10毫秒，
我相应的价值
2
t
网络连接gure 8 。
通态特性
（最大值）
I
TSM
（A ） ，我
2
T（A
2
s)
100.0
T
j
初始= 25°C
di / dt的限制：
20A/s
I
TSM
I
TM
(A)
10.0
10.0
T
j
= T
j
马克斯。
1.0
1.0
I
2
t
T
j
= 25°C
T
j
=最大。
V
t0
=0.95 V
R
d
=400 m
Ω
0.1
0.01
t
p
（女士）
0.1
V
TM
(V)
1.00
10.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.10
图9 。
爆击率的相对变化
临界速度图10.相对变化
下降主要与当前的
下降主要与当前的
（的dV / dt ）C （典型值）
结温
（ di / dt的）C [T
j
] / （ di / dt的）C [T
j
指定]
6
5
4
3
2
Z0103
Z0107
Z0109
Z0110
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0
1.0
10.0
100.0
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
图11. SOT- 223热电阻
结到环境与铜
根据标签表面（印刷电路
板FR4 ，铜厚度：
35 m)
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
S（平方厘米）
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4/9
Z01
表4 ：电气特性
(T
j
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 k
T
j
= 125°C
I
T
= 50毫安
I
G
= 1.2 I
GT
I - III - IV
II
测试条件
象限
I - II - III - IV MAX 。
所有
所有
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
7
7
15
10
0.5
10
10
20
20
1
Z01
03
3
5
07
5
7
1.3
0.2
09
10
10
10
25
25
单位
mA
V
V
V
D
= 12 V R
L
= 30
10
15
25
50
2
25
25
50
100
5
mA
mA
V / μs的
A / MS
V
D
= 67 %V
DRM
门打开牛逼
j
= 110°C
T
j
= 110°C
（ di / dt的）C （ 2 ） （的dV / dt ）C = 0.44 A / MS
表5 ：静态特性
符号
V
TM
(2)
V
to
(2)
R
d
(2)
I
DRM
I
RRM
I
TM
= 1.4 A
测试条件
t
p
= 380 s
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
0.5
mA
价值
1.56
0.95
400
5
单位
V
V
m
A
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
注1 ：
我最小
GT
被guaranted在我5％
GT
马克斯。
注2 ：
为A2的两极参考A1 。
表6 ：热阻
符号
R
日（ J- T）
R
号（j - I）的
R
号（j -a）的
结到标签（ AC）
交界处领导（ AC）
结到环境
S = 5厘米
参数
SOT-223
TO-92
SOT-223
TO-92
价值
25
° C / W
60
60
150
° C / W
单位
选项卡下的S =铜表面。
2/8
Z01
图7 ：通态不重复浪涌峰值
电流的正弦脉冲宽度t
p
＆ LT ; 10毫秒
和我对应的值
2
t
I
TSM
（A ） ，我
2
T（A
2
s)
100.0
T
j
初始= 25°C
di / dt的限制：
20A/s
I
TSM
图8 ：通态特性（最大
值）
I
TM
(A)
10.0
10.0
T
j
= T
j
马克斯。
1.0
1.0
I
2
t
T
j
= 25°C
T
j
=最大。
V
t0
=0.95 V
R
d
=420 m
0.1
0.01
t
p
（女士）
0.1
V
TM
(V)
1.00
10.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.10
图9：爆击率的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的c
（典型值）
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
图10：爆击率的相对变化
减少主电流与结
温度
（ di / dt的）C [T
j
] / （ di / dt的）C [T
j
指定]
6
5
4
3
2
Z0103
Z0107
Z0109
Z0110
1
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0
1.0
10.0
100.0
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
图11 ： SOT- 223热阻结
到环境与选项卡下的铜表面
（印制电路板FR4，铜厚度：
35 m)
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
S（平方厘米）
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4/8
Z0103 / 07/ 09系列
双向可控硅
牧师02 - 2002年9月12日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
钝化的三端双向可控硅在常规和表面安装封装。用于在使用
应用程序需要高双向瞬态和阻断电压能力。
可在一个范围内栅电流灵敏度，以获得最佳的性能。
产品可用性：
Z0103MA ; Z0103NA ; Z0107MA ; Z0107NA ; Z0109MA ; Z0109NA在SOT54B
Z0103MN ; Z0103NN ; Z0107MN ; Z0107NN ; Z0109MN ; Z0109NN在SOT223 。
1.2产品特点
s
阻断电压为800 V （ NA和NN
s
一通态电流有效值1 。
类型）
1.3应用
s
家电
s
风扇控制器
s
小电机控制
s
小负荷工业过程
控制权。
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
1
2
3
4
穿针 - SOT54B （ TO- 92 ） ， SOT223 ，简化的外形和符号
描述
终端2 （T2）的
栅极（G ）
终端1 （T1）的
1
简化的轮廓
SOT54B
(TO-92)
符号
4
T2
2
3
终端1 （T1）的
终端2 （T2）的
SOT223
G
MSB033
栅极（G ）
1
2
3
MSB002 - 1
T1
顶视图
MBL300
终端2 （T2）的
SOT54B （ TO-92 ）
SOT223
飞利浦半导体
Z0103 / 07/ 09系列
双向可控硅
3.订购信息
3.1订购选项
表2：
Z0103MA
Z0103NA
Z0107MA
Z0107NA
Z0109MA
Z0109NA
Z0103MN
Z0103NN
Z0107MN
Z0107NN
Z0109MN
Z0109NN
订购信息
电压（V
DRM
)
600 V
800 V
600 V
800 V
600 V
800 V
600 V
800 V
600 V
800 V
600 V
800 V
门灵敏度（我
GT
)
3毫安
3毫安
5毫安
5毫安
10毫安
10毫安
3毫安
3毫安
5毫安
5毫安
10毫安
10毫安
包
SOT54B （ TO-92 ）
SOT54B （ TO-92 ）
SOT54B （ TO-92 ）
SOT54B （ TO-92 ）
SOT54B （ TO-92 ）
SOT54B （ TO-92 ）
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
产品型号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DRM
重复峰值断态电压
Z0103 / 07 / 09MA ; Z0103 / 07 / 09MN
Z0103 / 07 / 09NA ; Z0103 / 07 / 09NN
V
RRM
反向重复峰值电压
Z0103 / 07 / 09MA ; Z0103 / 07 / 09MN
Z0103 / 07 / 09NA ; Z0103 / 07 / 09NN
I
TSM
通态电流非重复性峰值
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
前激增;
图2
和
科幻gure 3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
T（ RMS ）
RMS通态电流
SOT223
SOT54B （ TO-92 ）
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
9397 750 10102
条件
25
°C ≤
T
j
≤
125
°C
民
-
-
最大
600
800
600
800
单位
V
V
V
V
25
°C ≤
T
j
≤
125
°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
40
8
8.5
1
1
0.35
20
1.0
2.0
0.1
+150
+125
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
2 12
所有的导通角;
图4
T
sp
= 90
°C
T
领导
= 50
°C
t
=
10毫秒
I
TM
= 1.0 A;我
G
= 2×我
GT
;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒
t
p
= 20
s
在任何20毫秒期
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
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飞利浦半导体
Z0103 / 07/ 09系列
双向可控硅
5.热特性
表4：
符号
R
日（J -SP ）
R
日（ J形引脚）
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结热阻焊接
点SOT223
从交界处领导的热阻
SOT54B （ TO-92 ）
从结点到环境的热阻
SOT223
SOT54B （ TO-92 ）
最小的足迹;安装在PCB上
垂直于自由空气
-
-
60
-
K / W
K / W
150 -
条件
图5
图5
最小典型最大单位
-
-
-
-
25
60
K / W
K / W
5.1瞬态热阻抗
10
a
1
SOT223
10
-1
003aaa206
SOT54B
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
TP （多个）
10
3
Z
th
(
j
–
领导
)
a
=
---------------------------
对于SOT54B （ TO-92 ）
R
th
(
j
–
领导
)
Z
th
(
j
–
sp
)
a
=
----------------------
为SOT223
-
R
th
(
j
–
sp
)
图5.瞬态结点的热阻抗，领导和结点到焊点脉冲的功能
持续时间。
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4 12
飞利浦半导体
Z0103 / 07/ 09系列
双向可控硅
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
GT
参数
门极触发电流
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
I
L
闭锁电流
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
I
H
保持电流
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
V
T
V
GT
I
D
dV
D
/ DT
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
的临界上升率
断态电压
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
dV
COM
/ DT
变化率的关键
整流电压
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
V
D
= 400 V ;我
T
= 1 ;牛逼
j
= 110
°C;
dI
COM
/ DT = 0.44 / MS;门敞开着。
0.5
1
2
-
-
-
-
-
-
V / μs的
V / μs的
V / μs的
图6
V
D
= 12 V ;
L
= 30
;
T
j
= 25
°C;
图11
V
D
= V
DRM
; R
L
= 3.3 kΩ的;牛逼
j
= 125
°C;
图11
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; V
R
= V
RRM （最大值） ;
T
j
= 125
°C
V
D
= 0.67 V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 110
°C;
指数
波形;门打开;
图10
10
20
50
-
-
-
-
-
-
V / μs的
V / μs的
V / μs的
动态特性
I
T
= 50毫安;
图8
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
1.3
-
-
-
7
10
10
1.6
1.3
-
500
mA
mA
mA
V
V
V
A
V
D
= 12 V ;
L
= 30
;
T2 + G- ;
图7
V
D
= 12 V ;
L
= 30
;
T2 + G + ; T2- G- ; T2- G + ;
图7
条件
V
D
= 12 V ;
L
= 30
;
T2 + G + ; T2 + G- ; T2- G- ;
图9
民
典型值
最大
单位
静态特性
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
5
10
5
7
10
7
10
15
15
20
25
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
D
= 12 V ;
L
= 30
;
T2- G + ;
图9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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SO
T2
23
Z0109NN
4Q双向可控硅
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化敏感栅四象限三端双向可控硅在SOT223 （ SC- 73 ）
表面贴装塑料封装适用于需要直接连接到应用程序
逻辑电平的IC和低功率门驱动器。
1.2特点和优点
直接连接到逻辑电平集成电路
直接连接到低功率门
驱动电路
高阻断电压能力
平面钝化电压
耐用性和可靠性
在四个象限敏感栅
表面贴装封装
触发在所有四个象限
1.3应用
通用低功耗电机
控制
家电
工业过程控制
低功率AC风扇控制器
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DRM
I
TSM
快速参考数据
参数
重复峰值
断态电压
不重复
峰值通态
当前
RMS通态
当前
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;看
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
sp
≤
105 °C;
SEE
图3 ;
SEE
图1 ;
SEE
图2
条件
民
-
-
典型值
-
-
最大单位
800
8
V
A
I
T（ RMS ）
-
-
1
A
恩智浦半导体
Z0109NN
4Q双向可控硅
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
全正弦波;牛逼
sp
≤
105 °C;
SEE
图3 ;
SEE
图1 ;
SEE
图2
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;看
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
2
吨融合
率通态电流上升
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 0.1 A / μs的;
T2 + G +
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 0.1 A / μs的;
T2 + G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 0.1 A / μs的;
T2- G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 0.1 A / μs的;
T2- G +
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
在任何20毫秒期
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
最大
800
1
8
8.5
0.32
50
50
50
20
1
2
0.1
150
125
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
W
°C
°C
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
8
I
T（ RMS ）
(A)
6
003aac269
1.2
I
T（ RMS ）
(A)
003A一C270
0.8
4
0.4
2
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
150
T
S·P
(°C)
图1 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图2 。
RMS通态电流作为焊料的函数
点温度;最大值
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恩智浦半导体
Z0109NN
4Q双向可控硅
2.0
P
合计
(W)
1.6
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
a = 180°
120°
90°
60°
30°
0.4
003aac259
Ω
1.2
0.8
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
图3 。
10
I
TSM
(A)
8
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aad318
6
4
IT
ITSM
t
1/f
2
TJ （ INIT ）= 25 ℃以下
0
1
10
10
2
周期数
10
3
图4 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
Z0109NN
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