TO
-9
Z0109NA0
4Q双向可控硅
第3版 - 2011年5月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化敏感栅四象限三端双向可控硅在SOT54 （ TO- 92 ）塑料封装
旨在用于需要增强抗噪声能力和直接连接的应用
逻辑IC和低功耗的栅极驱动器。
2
1.2特点和优点
直接连接到逻辑电平集成电路
增强的电流浪涌能力
增强的抗噪性
高阻断电压能力
平面钝化电压
耐用性和可靠性
在四个象限敏感栅
触发在所有四个象限
1.3应用
通用低功耗电机
控制
家电
工业过程控制
低功率AC风扇控制器
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DRM
I
TSM
快速参考数据
参数
重复峰值断态
电压
非重复性峰值
通态电流
RMS通态电流
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;看
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
领导
≤
45 °C;
SEE
图1 ;
SEE
图3 ;
SEE
图2
条件
民
-
-
典型值
-
-
最大单位
800
V
12.5 A
I
T（ RMS ）
-
-
1
A
恩智浦半导体
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4Q双向可控硅
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
I
2
吨融合
率通态电流上升
全正弦波;牛逼
领导
≤
45°C ;看
图1 ;
SEE
图3 ;
SEE
图2
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;吨
p
= 20毫秒;
SEE
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;吨
p
= 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2 + G +
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2 + G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2- G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2- G +
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
在任何20毫秒期
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
最大
800
1
12.5
13.8
0.78
50
50
50
20
1
2
0.1
150
125
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
W
°C
°C
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
1.2
I
T（ RMS ）
(A)
003aac264
16
I
T（ RMS ）
(A)
12
003A一f977
0.8
8
0.4
4
0
-50
0
50
100
150
T
领导
(°C)
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
图1 。
RMS通态电流引线的功能
温度;最大值
图2 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
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4Q双向可控硅
2.0
P
合计
(W)
1.6
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
a = 180°
120°
90°
60°
30°
0.4
003aac259
Ω
1.2
0.8
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
T（ RMS ）
(A)
1.2
图3 。
16
I
TSM
(A)
12
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aaf449
8
I
T
4
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
I
TSM
t
图4 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
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