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SO
T2
23
Z0109MN0
4Q双向可控硅
第3版 - 2011年5月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化敏感栅四象限三端双向可控硅在SOT223 ( SC- 73 )
表面贴装塑料封装适用于需要增强免疫力的应用
噪声和直接连接到逻辑电平IC和低功率门驱动器。
1.2特点和优点
直接连接到逻辑电平集成电路
增强的电流浪涌能力
增强的抗噪性
高阻断电压能力
平面钝化电压
耐用性和可靠性
在四个象限敏感栅
表面贴装封装
触发在所有四个象限
1.3应用
通用低功耗电机
控制
家电
工业过程控制
低功率AC风扇控制器
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DRM
I
TSM
快速参考数据
参数
重复峰值
断态电压
非重复性峰值
通态电流
RMS通态电流
全正弦波;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;看
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
sp
105 °C;
SEE
图1 ;
SEE
图3 ;
SEE
图2
条件
-
-
典型值
-
-
最大单位
600
V
12.5 A
I
T( RMS )
-
-
1
A
恩智浦半导体
Z0109MN0
4Q双向可控硅
快速参考数据
- 续
参数
门极触发电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G + ;
T
j
= 25°C ;看
图9
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G- ;
T
j
= 25°C ;看
图9
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2- G- ;
T
j
= 25°C ;看
图9
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2- G + ;
T
j
= 25°C ;看
图9
0.4
0.4
0.4
0.4
典型值
-
-
-
-
最大单位
10
10
10
10
mA
mA
mA
mA
表1中。
符号
I
GT
静态特性
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
4
管脚信息
符号说明
T1
T2
G
T2
主终端1
主终端2
主终端2
1
2
3
4
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
SOT223 ( SOT223 )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
Z0109MN0
SOT223
描述
塑料表面贴装封装,增加了散热片;
4引线
VERSION
SOT223
类型编号
4.标记
表4 。
Z0109MN0
[1]
% =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
109MN0
类型编号
Z0109MN0
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产品数据表
第3版 - 2011年5月12日
2 17
恩智浦半导体
Z0109MN0
4Q双向可控硅
5.极限值
表5 。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
I
2
吨融合
率通态电流上升
全正弦波;牛逼
sp
105 ℃;看
图1 ;
SEE
图3 ;
SEE
图2
全正弦波;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;吨
p
= 20毫秒;
SEE
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;吨
p
= 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2 + G +
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2 + G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2- G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2- G +
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
在任何20毫秒期
条件
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
最大
600
1
12.5
13.8
0.78
50
50
50
20
1
2
0.1
150
125
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
W
°C
°C
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
8
I
T( RMS )
(A)
6
003aac269
1.2
I
T( RMS )
(A)
003A一C270
0.8
4
0.4
2
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间( S)
0
-50
0
50
100
150
T
S·P
(°C)
图1 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图2 。
RMS通态电流作为焊料的函数
点温度;最大值
Z0109MN0
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第3版 - 2011年5月12日
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恩智浦半导体
Z0109MN0
4Q双向可控硅
2.0
P
合计
(W)
1.6
传导
(度)
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
a = 180°
120°
90°
60°
30°
0.4
003aac259
Ω
1.2
0.8
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
T( RMS )
(A)
1.2
图3 。
16
I
TSM
(A)
12
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aaf449
8
I
T
4
1/f
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
I
TSM
t
图4 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
Z0109MN0
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4 17
恩智浦半导体
Z0109MN0
4Q双向可控硅
10
3
I
TSM
(A)
I
T
003aaf490
I
TSM
t
t
p
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
10
2
(1)
(2)
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
图5 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
Z0109MN0
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5 17
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    Z0109MN0
    -
    -
    -
    -
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