【YG865C10R（ 100V / 20A ）低IR肖特基势垒二极管特点低IR低VF中心抽头连接[2】,IC型号YG865C10R,YG865C10R PDF资料,YG865C10R经销商,ic,电子元器件-51电子网

YG865C10R

（ 100V / 20A ）

低IR肖特基势垒二极管

特点

低IR

低V

中心抽头连接

[200509]

外形图，毫米

应用

高频率运行

DC- DC转换器

AC适配器

封装形式：TO -220F

环氧树脂UL ： V-0

接线图

最大额定值和特性

最大额定值

项

重复反向电压浪涌峰值

反向重复峰值电压

隔离电压

平均输出电流

非重复浪涌电流

非重复反向浪涌功耗

符号

RSM

RRM

VISO

FSM

PRM

英镑

条件

TW =为500ns ，占空比=四十〇分之一

等级

100

单位

°C

终端到案例， AC.1min 。

方波，占空比= 1 /

Tc=103°C

1500

145

660

+150

-40到+150

正弦波， 10毫秒

TW = 10μs的， TJ = 25°C

工作结温

储存温度

出把当前的中心抽头的全波连接

电气特性（在Ta = 25 ° C除非另有说明）

项

正向电压**

反向电流**

热阻

符号

RTH （J -C ）

条件

=10A

=100V

结到外壳

马克斯。

0.86

175

2.5

单位

° C / W

**每额定值元

机械特性

安装力矩

近似质量

http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/

推荐扭矩

为0.3 0.5

（ 100V / 20A ）

特征

正向特性（典型值）。

YG865C10R （20A）

反向特性（典型值）。

TJ = 150℃

TJ = 125℃

TJ = 100℃

IF正向电流（ A）

TJ = 150℃

TJ = 125℃

TJ = 100℃

TJ = 25℃

IR反向电流（mA ）

-1

TJ = 25℃

-2

-3

0.1

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

-4

90 100 110 120

VF正向电压（ V）

VR反向电压（ V）

前向功率耗散（最大）

反向功率耗散（最大）

360

WF前向功率耗散（ W）

PR反向功率耗散（ W）

360

方波

=60

方波

=120

正弦波

=180

8方波

=180

每1element

=180

io的平均输出电流（ A）

VR反向电压（ V）

电流降额（IO -TC）（最大）

160

150

140

1000

结电容特性（最大）

TC外壳温度（ C）

130

120

110

100

360

正弦波

=180

方波

=180

方波

=120

结电容（pF ）

100

方波

=60

VR=50V

100

1000

io的平均输出电流（ A）

：正向电流为每个整流元件导通角

IO：中心抽头的全波连接的输出电流

4321

100

4321

543210987654321

54321098765432

543210987654321

120

反向电压（ V）

（ 100V / 20A ）

YG865C10R （20A）

1000

浪涌能力（最大）

我FSM峰值半 - 波电流（A ）

100

周期在50Hz数

1000

浪涌电流额定值（最大值）

IFSM PeakHAlf - WaveCurrent （ A）

100

1000

TTIME （ ms）的正弦波

瞬态热阻抗（最大）

（ ° C / W）

RTH （J -C ）： 2.5 ° C / W

瞬态热阻抗

-1

-2

-3

-2

-1

时间

（秒）

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