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8.0-12.0 / 16.0-24.0 GHz的砷化镓MMIC
有源倍频器
2007年1月 - 修订版17 -JAN- 07
X1005-BD
芯片设备布局
XX1005-BD
特点
优秀的调音台驱动器
2级有源设计
可用于驱动XR1002接收器
+16 dBm的输出驱动
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的二级8.0-12.0 / 16.0-24.0 GHz的
砷化镓MMIC倍频器具有16.0 dBm的输出驱动器
和是一个极好的LO倍频器，可用于对
开车根本混音器设备。它也非常适合
开车MIMIX的XR1002接收装置。这MMIC
采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT器件
模型的技术，并且是基于电子束
光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
并提供了坚固的部分与通孔背面
和镀金，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这
装置非常适用于毫米波
点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT
应用程序。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ RF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
195毫安
+0.3 VDC
待定
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
单位
输入频率范围（ FIN）
GHz的
输出频率范围（ FOUT ）
GHz的
输入回波损耗（ S11 ）
dB
输出回波损耗（ S22 ）
dB
基本级别的输出
dBc的
RF输入功率（ RF引脚）
DBM
输出功率为+12.0 dBm的引脚（噘）
DBM
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
VDC
栅极偏置电压（ VG1 ）
VDC
栅极偏置电压（ VG2 ）
VDC
电源电流
（ Id1,2 ） （VD = 3.5V ， VG1 = -0.9V ， VG2 = -0.3V典型）
mA
分钟。
8.0
16.0
-
-
-
-
-
-
-1.2
-1.2
-
典型值。
-
-
待定
待定
-25.0
+12.0
+16.0
+3.5
-0.9
-0.3
135
马克斯。
12.0
24.0
-
-
-
-
-
+5.5
+0.1
+0.1
165
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
8.0-12.0 / 16.0-24.0 GHz的砷化镓MMIC
有源倍频器
2007年1月 - 修订版17 -JAN- 07
X1005-BD
倍频测量
XX1005 -BD ：噘（DBM ）与散热片（千兆赫）
PIN = 12dBm时， VD1 = VD2 = 3.5V ， VG1 = -0.9V ， VG2 = -0.6至0.1V
20
15
10
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.6
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.5
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.4
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.3
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.2
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.1
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = 0
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = 0.1
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.6
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.5
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.4
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.3
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.2
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = - 0.1
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = 0
， LO功率（dBm ）= 12 ， VG2 （ V） = 0.1
5
的Pout （ dBm的）
0
-5
-10
-15
-20
5
6
7
8
9
10
散热片（千兆赫）
11
12
13
14
15
XX1005 - BD_R11C11 ：噘（ DBM）与输入频率（GHz ）
PIN = 12dBm时， VD1 = VD2 = 3.5V ， VG1 = -0.9V ， VG2 = -0.3V
20
16
噘嘴（ 2xFin ）
12
8
输出功率（dBm ）
4
0
-4
-8
-12
-16
-20
8
9
10
输入频率（ GHz）的
11
12
13
噘嘴（FIN ）
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第2 6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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有源倍频器
2007年1月 - 修订版17 -JAN- 07
X1005-BD
0.503 0.683
1.085
0.884
(0.020) (0.027) (0.035) (0.043)
机械制图
0.890
(0.035)
2
3
4
5
XX1005-BD
0.356
(0.014)
1
6
0.356
(0.014)
0.0
0.0
（注：工程代号是20DBL0451 ）
1.620
(0.064)
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 0.891毫克。
焊盘＃ 1 （ RF输入）
焊盘＃ 2 （ VG1 ）
焊盘＃ 3 （ VG2 ）
焊盘＃ 4 （ Vd1的）
焊盘＃ 5 （ Vd2的）
焊盘＃ 6 （ RF输出）
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
Vd1
Vg2
Vd2
偏置安排
Vg1
Vg2
Vd1
Vd2
Vg1
2
3
4
5
XX1005-BD
在RF
1
6
RF OUT
在RF
RF OUT
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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有源倍频器
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X1005-BD
应用笔记[1]偏置
-
建议通过Vd2的在Vd的单独偏压每倍频阶段Vd1的（1,2） = 3.5V同为Id1 = 25毫安
和ID2 = 110毫安。单独的偏置，建议如果倍频器在高层次饱和度，其中门整治中使用
将改变的有效栅极控制电压。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF
功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。取决于电源电压提供的电源
耗散的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低值电阻器
系列具有用于感测电流的漏极电源。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而
漏极电压。需要做这种典型的栅电压VG1 = -0.9V以及Vg2 = -0.3V 。典型地，栅极保护用硅
二极管来限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可用之前
施加正的漏极电源。
应用笔记[2]偏置安排
-
对于个人级的偏置（推荐倍增的应用程序） - 每个DC垫（ VD1， 2和VG1 ， 2 ）需要有直流旁路
电容（ 100-200粉煤）作为靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。
MTTF表（ TBD）
背板
Temperat .. [温度再
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
通道
Temperat .. [温度再
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
MTTF何RS
FITS
C / W
C / W
C / W
E+
E+
E+
E+
E+
E+
偏置条件：
VD1 = Vd2的= 3.5V ，ID1 = 25毫安，ID2 = 110毫安
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X1005-BD
设备原理图
典型用途
XR1002
BPF
在RF
17.7-19.7 GHz的
IR混频器
IF OUT
2 GHz的
AGC控制
Atten=0-12dB
LO(+9.0dBm)
7.85-8.85 GHz的
9.85-10.85 GHz的
XX1005-BD
X2
15.7-17.7千兆赫（ USB操作）
19.7-21.7千兆赫（ LSB操作）
MIMIX宽带MMIC基18.0-24.0 GHz的倍频器/接收器框图
（更改LO与IF频率，要求允许设计操作高达24.0 GHz的）
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