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18.0-21.0 / 36.0-42.0 GHz的砷化镓MMIC
倍频器和功率放大器
2007年1月 - 修订版26 -JAN- 07
X1001-BD
特点
集成的倍增器和功率放大器
优秀的饱和输出级
26.0 dBm的输出功率
50.0 dBc的基本抑制
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
芯片设备布局
概述
MIMIX宽带的18.0-21.0 / 36.0-42.0 GHz的砷化镓MMIC
倍频器集成了一个倍和4级功率放大器。
该器件可提供优于26.0 dBm的输出功率
并具有优良的基本抑制。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型
技术，并且是基于电子束光刻
以确保高重复性和均匀性。该芯片具有
表面钝化保护，并提供一个坚固的一部分
通过孔和镀金，让背面
无论是导电环氧树脂或共晶焊料芯片粘接
流程。这个装置是非常适用于毫米波
点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ RF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
800毫安
+0.3 VDC
待定
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
输入频率范围（ FIN）
输出频率范围（ FOUT ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
基本抑制
RF输入功率（ RF引脚）
输出功率为0.0 dBm的引脚（噘）
漏极供电电压（ Vd1的）倍增
漏极供电电压（ Vd2的）缓冲放大器
漏极供电电压（ Vd3,4,5,6 ） PA
门电源电压（ VG1 ）倍增
漏极供电电流（ ID1）倍增
漏极供电电流（ID2 ）缓冲
漏极供电电流（ Id3,4,5,6 ） （VG = -0.7V典型）， PA
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dBc的
DBM
DBM
V
V
V
V
mA
mA
mA
分钟。
18.0
36.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
待定
12.0
50.0
0.0
+26.0
2.5
3.0
4.5
-1.2
<1.0
20
530
马克斯。
21.0
42.0
-
-
-
-
-
3.0
4.0
5.5
-
-
25
600
第1页6
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
18.0-21.0 / 36.0-42.0 GHz的砷化镓MMIC
倍频器和功率放大器
2007年1月 - 修订版26 -JAN- 07
X1001-BD
功率放大器的测量
VdX2 = 2.5 V ， Vd的B = 3 V ， Vd的PA = 4.5 V ，P在= 2 .. + 9天B M
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
37
37.5
38
38.5
39
39.5
40
P
OUT
@ f
in
V
dx2
=2.5 V, V
DBUFF
= 3 V I
db
= 30 mA时， V
DPA
= 4.5 V I
DPA
= 520毫安
35
30
25
P
OUT
@ 2 f
in
输出功率在f
in
和2xf
in
（ dBm的）
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
输出POW ER （ DBM）
输出频率（GHz）
35
在f输入功率（dBm ）
in
V
dX2
=2.5V, V
dB
=3 V , V
DPA
= 4.5 V @ P
in
= 0 ... + 10 dBm的
35
V
dX2
=2.5V, V
dB
=3 V, V
DPA
= 4.5 V @ P
in
= 0 ... + 10 dBm的
P
in
= + 10分贝米
37-40 GHz的
倍漏电流（mA ）
30
25
倍漏电流（mA ）
P
in
= 0 dBm的
30
25
20
20
15
15
10
37.0
37.5
38.0
38.5
39.0
39.5
40.0
0
2
4
6
8
10
输出频率（G赫兹）
输入功率@频率
in
（G赫兹）
28
27
26
25
V
dx2
=2.5 V, V
DBUFF
= 3 V I
db
= 30米，V
DPA
= 4.5 V I
DPA
= 520米一
V
dx2
=2.5 V , V
DBUFF
= 3 V I
db
= 30 mA时， V
DPA
= 4.5 V I
DPA
= 520毫安
0
-5
-10
输出鲍威R A吨2X F
in
（ D B M）
输出鲍威R A三四五六
in
（ D B M）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
062 9 ， RC = R 10C 12的R F频率（G赫兹） = 37
062 9 ， RC = R 10C 12的R F频率（G赫兹） = 38
062 9 ， RC = R 10C 12的R F频率（G赫兹） = 39
062 9 ， RC = R 10C 12的R F频率（G赫兹）= 40
输入功率（dBm ）一五六
in
在f输入功率（dB M）
in
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第2 6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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倍频器和功率放大器
2007年1月 - 修订版26 -JAN- 07
X1001-BD
机械制图
0.295
(0.012)
1.700
(0.067)
2
0.694
(0.027)
1.095
(0.043)
1.494
(0.059)
2.096
(0.083)
2.705
(0.107)
3
4
5
6
7
0.605
(0.024)
1
8
0.638
(0.025)
14
0.0
0.0
0.295
(0.012)
13
0.695
(0.027)
12
1.095
(0.043)
11
1.495
(0.059)
10
2.096
(0.083)
9
2.503
(0.099)
3.000
(0.118)
（注：工程代号是20DBL0629 ）
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 3.987毫克。
焊盘＃ 1 （ RF输入）
焊盘＃ 2 （ VG2 ）
焊盘＃ 3 （ Vd2的）
焊盘＃ 4 （ Vd3的）
焊盘＃ 5 （ VD4 ）
焊盘＃ 6 （ VD5 ）
焊盘＃ 7 （ VD6 ）
焊盘＃ 8 （ RF输出）
Vd3,4,5
焊盘＃ 9 （ Vg6 ）
焊盘＃ 10 （ VG5 ）
焊盘＃ 11 VG4 ）
焊盘＃ 12 （ VG3 ）
焊盘＃ 13 （ Vd1的）
焊盘＃ 14 （ VG1 ）
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
Vd6
偏置安排
Vd2
Vg2
2
3
4
5
6
7
在RF
1
8
RF OUT
14
13
12
11
10
9
Vg1
Vd1
Vg3,4,5
Vg6
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倍频器和功率放大器
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X1001-BD
应用笔记[1]偏置
-
建议通过VD6分别偏置每个放大器级Vd1的在Vd1的= 2.5V ，VD2 = 3.0V ，性病（ 3,4,5,6 ） = 4.5V与
Id1<1mA ，ID2 = 20mA时， ID3 = 40毫安，抑制因子Id4 = 70毫安， ID5 = 150毫安， ID6 = 270毫安。单独的偏置，建议如果放大器在高的水平被使用
的饱和度，其中栅极精馏将改变有效栅极控制电压。如图所示的接合图表，所以能够平行的阶段
VD （ 3,4,5）与ID（ 3,4,5） = 260毫安，同时保持良好的性能。对于非关键应用是可能的并行阶段Vd的（ 3,4,5,6 ）
在一起，并调整公共栅极电压Vg （ 3,4,5,6 ），用于总漏极电流Id （总） = 530毫安。此外，还建议使用有源偏置来
保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据电源电压
可用和功耗的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低的值
电阻器串联在漏极供应用于感测电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而
漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.7V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。另外，
确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排
-
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏极焊盘DC旁路电容
（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也建议所有的DC或组合（如门或排水渠是
的直流偏置垫连在一起） 。 VD （ 3,4,5,6 ）或Vg （ 3,4,5,6 ）已经被捆绑在一起，但可以保持打开状态。
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ Vd1,2,3,4,5,6和Vg1,2,3,4,5,6 ）需要有直流旁路
电容（ 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。
MTTF
平均无故障时间是从单个装置的加速寿命的时间数据来计算，并假设的等温背板。
XX1001 -BD ，平均无故障时间（年）与背板温度（ ℃）
1.0E+05
1.0E+04
平均无故障时间（年）
1.0E+03
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
55
65
75
温度（℃）
85
95
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设备原理图
VG2
VD2
V D3
V D4
V D5
V D6
VD
VD
VD
VD
VD
VD
RFIN
X2
AMP
AMP
AMP
AMP
AMP
RFOUT
VG
VG
VG
VG
VG
VG
VG1
V D1
VG3
V G4
VG5
V G6
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