【17.0-34.0 GHz的上变频器QFN封装，采用4x4mm2010年2月 - 修订版12 -FE】,IC型号XU1010-QH-0G00,XU1010-QH-0G00 PDF资料,XU1010-QH-0G00经销商,ic,电子元器件-51电子网

17.0-34.0 GHz的上变频器

QFN封装，采用4x4mm

2010年2月 - 修订版12 -FEB - 10

U1010-QH

特点

集成平衡混频器， LO缓冲器和LO倍频

23.0 dBm输入三阶截取（ IIP3 ）

+2.0 dBm的LO驱动电平

采用4x4mm QFN封装

100％的RF和DC测试

概述

MIMIX宽带的17.0-34.0 GHz的砷化镓包装

上转换器具有一输入三阶截止点

的23.0 dBm的和转换损耗为10.0分贝。该

装置由一个平衡电阻pHEMT制混频器，

LO缓冲放大器和LO倍频器封装在一个

行业标准，完全成型的4x4mm QFN封装。

IF和*如果提供混频器输入和外部

180度混合是必要的。该装置包括

片上ESD保护结构和直流旁路

电容，以缓解执行和音量

包装部件的装配。此设备是井

适用于毫米波点至点收音机， LMDS ，

SATCOM和VSAT应用。

绝对最大额定值

漏极电源电压（ VDD）

漏电流（ IDS ）

输入功率（Pin ） IF

输入功率（Pin ） LO

存储温度（ TSTG ）

工作温度（铽）

ESD最小。 - 机器模型（ MM ）

ESD最小。 - 人体模型（ HBM ）

MSL等级

+4.3V

350毫安

+5 dBm的

+10 dBm的

-65 + 165 C

-55至+85°C

A级

CLASS 0

MSL3

电气特性（环境温度T = 25

参数

频率范围（ RF ）

频率范围（ LO ）

频率范围（ IF ）

转换损耗（ CL ）

输入三阶截取（ IIP3 ）

LO输入驱动器

RF输入回波损耗

LO输入回波损耗

IF输入回波损耗

2×10泄漏RF

1xLO泄漏RF

漏极偏置电压（ Vd1,2 ）

栅极偏置电压（ VG1 ）

栅极偏置电压（ Vg2,3 ）

栅极偏置电压（ VSS）

电源电流（ ID1）

电源电流（ ID2）

电源电流（ ISS ）

单位

GHz的

DBM

VDC

分钟。

典型值。

马克斯。

3.5

-20

-30

4.0

~ -0.2

-0.8

-4.0

130

~ 60

第1页5

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2010

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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U1010-QH

上变频器测量

XU1010 - QH ，顶部封装， R10C2 ： LSB转换损耗& IIP3主场迎战RF ，

巴解组织= 2 dBm时， PIFscl = 0 dBm时， IF1 - IF2 = 10 MHz时，倍频和混频器偏置横扫

USB转换增益/ IIP3 （DB / DBM）

LSB转换增益/ IIP3 （DB / DBM）

-5

-10

-15

-20

LSB RF （千兆赫） [ IF = 2千兆赫]

损耗，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

损耗，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

损耗，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

损耗，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

损耗，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

损耗，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

损耗，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

损耗，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

损耗，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

IIP3 ，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

IIP3 ，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

IIP3 ，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

IIP3 ，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

IIP3 ，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

IIP3 ，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

IIP3 ，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

IIP3 ，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

IIP3 ，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

XU1010 - QH ，顶部封装， R10C2 ： USB转换损耗& IIP3主场迎战RF ，

巴解组织= 2 dBm时， PIFscl = 0 dBm时， IF1 - IF2 = 10 MHz时，倍频和混频器偏置横扫

-5

-10

-15

-20

USB RF （千兆赫） [ IF = 2千兆赫]

损耗，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

损耗，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

损耗，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

IIP3

损耗，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

损耗，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

损耗，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

损耗，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

损耗，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

损耗，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

IIP3 ，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

IIP3 ，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

IIP3 ，VD2 （V）= 4.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

IIP3 ，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

IIP3 ，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

IIP3 ，VD2 （V）= 5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

IIP3 ，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.8

IIP3 ，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.7

IIP3 ，VD2 （V）= 5.5 ， VG2VG3 （V）= - 0.6

损失

VD1 = 5 V ， ID1 = 140 mA时， VD2 = 5 V ， VG2VG3 = - 0.8 V， VSS = - 5 V

XU1010 - QH ： LSB IIP3 &损失与ID1 （ LO缓冲器）

巴解组织= 4 dBm时， PIFscl = 0 dBm时， IF1 - IF2 = 10 MHz的

LSB转化率。损失& IIP3 （DB / DBM）

-5

-10

-15

-20

100

120

140

160

180

200

ID1 （毫安）

IIP3 ， RF = 16 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 16 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 16 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 18 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 18 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 18 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 20 ， VD1 （V）= 4.5

XU1010 - QH ： USB IIP3 &损失与ID1 （ LO缓冲器）

巴解组织= 4 dBm时， PIFscl = 0 dBm时， IF1 - IF2 = 10 MHz的

USB转化率。损失& IIP3 （DB / DBM）

-5

-10

-15

-20

100

120

140

160

180

200

ID1 （毫安）

IIP3 ， RF = 16 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 16 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 16 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 18 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 18 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 18 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 20 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 20 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 20 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 22 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 22 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 22 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 24 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 24 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 24 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 26 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 26 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 26 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 28 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 28 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 28 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 30 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 30 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 30 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 32 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 32 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 32 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 34 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 34 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 34 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3

IIP3 ， RF = 20 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 20 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 22 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 22 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 22 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 24 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 24 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 24 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 26 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 26 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 26 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 28 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 28 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 28 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 30 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 30 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 30 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 32 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 32 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 32 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3 ， RF = 34 ， VD1 （V）= 4.5

IIP3 ， RF = 34 ， VD1 （V）= 5

IIP3 ， RF = 34 ， VD1 （V）= 5.5

IIP3

损失

VD1 = 4.5 ， 5 & 5.5 V ， ID1横扫， VD2 = 5 V ， VG2VG3 = - 0.8 V， VSS = - 5 V

XU1010 - QH ，顶部封装， R10C2 ： 1xLO输出功率@ RF端口，

PLOswp ， PIFscl = 0 dBm时， IF1 - IF2 = 10 MHz的

1xLO输出功率@ RF端口（ DBM）

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

1xLO （千兆赫） [ IF = 2千兆赫]

1xLO ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 0

1xLO ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 2

1xLO ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 4

1xLO ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 5

1xLO ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 0

1xLO ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 2

1xLO ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 4

1xLO ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 5

XU1010 - QH ，顶部封装， R10C2 ： 2×10输出功率@ RF端口，

PLOswp ， PIFscl = 0 dBm时， IF1 - IF2 = 10 MHz的

2×10输出功率@ RF端口（ DBM）

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

2×10 （千兆赫） [ IF = 2千兆赫]

2×10 ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 0

2×10 ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 2

2×10 ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 4

2×10 ，边= LSB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 5

2×10 ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 0

2×10 ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 2

2×10 ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 4

2×10 ，边= USB ，巴勒斯坦解放组织（ DBM） = 5

-5

VD1 = 5 V ， ID1 = 140 mA时， VD2 = 5 V ， VG2VG3 = - 0.8 V， VSS = - 5 V

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U1010-QH

应用笔记[1]偏置

- 如图所示，引脚牌号表中，该装置是由偏置VD1和VD2在4.0V与130毫安和操作

大约60毫安分别。 VG2,3和VSS需要固定偏置电压与VSS偏置在-4.0V和45毫安。它建议使用活性

偏压VG1上，以保持在VD1的恒定电流，以保持在整个温度范围的最佳性能。根据电源电压

可用和功耗的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低的值

电阻器串联在漏极供应用于感测电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而

漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.2V 。确保测序所施加的电压，以保证负栅偏压

可施加正的漏极供应之前。

应用笔记[2]电路板布局

- 如图所示，在电路板布局，建议提供100pF的去耦电容尽量靠近偏置引脚

可能的话，额外的10μF的去耦电容。

推荐电路板布局

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封装尺寸/布局

功能框图

GND

VG2,3

PIN代号

面值

引脚功能

引脚号

GND

IF1输出

IF1

没有连接

3-4

IF2

IF2输出

GND

6-8

没有连接

GND

LO输入

GND

没有连接

11-12

4.0V ， 130毫安

VD1

LO缓冲器漏

4.0V ， 60毫安

VD2

LO倍频漏

GND

15-16

4.0V ， 45毫安

VSS

倍频/ ESD偏差

-0.2V

VG1

LO缓冲器闸

-0.8V

VG2,3 LO倍频器/混频器门

没有连接

GND

RF输入

GND

没有连接

第4 5

GND

IF1

IF2

GND

ESD

混频器

180

VG1

VSS

GND

VD2

VD1

BUF

GND

LO GND

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U1010-QH

搬运和装配信息

注意！

- MIMIX宽带MMIC产品包含砷化镓（GaAs ），这会危害人体和

环境。为安全起见，请遵循以下步骤：

不要摄取。

不要更改此产物为气体，粉末的形式，或者通过燃烧液体，粉碎，或化学处理，因为这些

副产品是危险的，如果吸入，食入，或吞入人体。

废弃本产品时，应遵守政府法律和公司章程。本产品必须被丢弃

根据由适用的危险废物的程序所指定的方法。

静电敏感器件 -

观察处理当所有必要的预防措施。

生命支持政策

- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件

系统没有总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如本文所用：（1 ）寿命

支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持设备或系统

生命，而其不履行时，按照标示中提供的使用说明正确使用，可以

合理预期造成显著伤害到用户。（ 2 ）关键部件是在生命支持设备的任何部件或

系统，其不履行可以合理预期造成的生命支持设备或系统故障，或影响其

安全性和有效性。

包装附件

- 从MIMIX宽带本包装产品提供了一个坚固的表面贴装封装兼容

高容量焊锡安装。真空工具或其他合适的拾取和放置设备可以用于拾取和放置此

的一部分。应注意，以确保有在焊接连接没有空隙或缝隙，使良好的RF ， DC和地面

连接被保持。空隙或空隙最终会导致不仅对射频性能降低，但降低的可靠性和

生活中，由于热应力的产品。

典型回流曲线

再溢流廓

倾斜上升率

活化时间和温度

时间熔点以上

最大峰值温度

时间在5 C峰

倾斜下降率

SNPB

3-4 C /秒

60-120秒@ 140-160 C

60-150秒

240 C

10-20秒

4-6 C /秒

无铅

3-4 C /秒

60-180秒@ 170-200 C

60-150秒

265 C

10-20秒

4-6 C /秒

MIMIX无铅符合RoHS计划

- MIMIX已制定一项积极的计划，以满足客户和政府

要求消除铅（Pb ）和其它对环境有害的物质，从我们的产品。所有MIMIX符合RoHS标准

组件的形式，配合和功能替代的非RoHS指令等价物。我们的RoHS指令的无铅电镀标准的组件被

100 ％雾锡（Sn ），在铜合金，并与目前的标准锡铅低温回流过程为向后兼容

以及较高的温度（ 260 °C回流温度） “无铅”工艺。

如需订购部件号

XU1010-QH-0G00

XU1010-QH-0G0T

XU1010-QH-EV1

描述

雾锡电镀符合RoHS标准的4×4 24L QFN表面贴装封装散装量

雾锡电镀符合RoHS标准的4×4 24L QFN表面贴装封装在磁带和卷轴

XU1010 - QH评估板

在搬运，包装适当的预防措施

和测试设备必须得到遵守。

C A U T I O 4 N ：（E S）发E N s个I T我已经

操作此设备时，适当的ESD程序应遵循。

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