33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2007年4月 - 修订版19 -APR- 07
特点
次谐波发射
低DC功耗
可选功率偏置
8.0分贝转换增益
30分贝LO / RF隔离
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
MIMIX宽带的33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC变送器
8.0 dB的小信号转换增益与30.0分贝LO / RF
隔离。该装置具有一对分谐波混频器
构造为形成图像抑制混频器，需要一个
LO在15.5-21.5 GHz的。这之后是一个两阶段的LNA 。该
图像抑制混频器减少了对无用边带
功率放大器之前过滤。使用的
次谐波混频器，使提供的LO相比更容易
对于在这些频率基本混合器。 I和Q混频器
还提供输入端和一个外部90度混合是
需要选择所需的边带。这MMIC采用MIMIX
宽带公司的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型技术，
和基于电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该芯片具有表面钝化
保护并提供坚固的部分与通孔背面
和镀金，让无论是导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信和
VSAT应用。
U1001-BD
芯片设备布局
U1001
概述
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
70毫安
+0.3 VDC
+10 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
4
MTTF表
4
（ 4 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ） （ USB / LSB ）
3
LO输入驱动器（P
LO
)
镜频抑制（ USB / LSB ）
3
隔离LO / RF @ LOX2
为1 dB压缩输入功率（ P1dB为）
1,2
漏极偏置电压（VD ）
栅极偏置电压（ VG）
电源电流（ ID）（ VD = 3.0V ， V G = -0.5V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
34.0
33.0
15.5
DC
-
3.0/3.0
-
8.0/5.0
-
-
-
-1.0
-
典型值。
-
-
-
-
12.0
8.0/8.0
+12.0
12.0/12.0
30.0
+3.0
+3.0
-0.5
30
马克斯。
40.0
40.0
21.5
3.0
-
-
-
-
-
-
+5.5
0.0
60
（ 1 ）可选功率偏置VD = 5.5V ，ID = 60毫安通常会产生更好的P1dB 。
（ 2 ）使用恒定电流测量。
（ 3 ）最小/最大限制在33.0-39.5 GHz的。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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U1001-BD
发射机测量
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， USB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 700设备
14
12
转换增益（dB ）
14
12
转换增益（dB ）
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， LSB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 700设备
10
8
6
4
2
0
35
36
37
38
射频频率（ GHz）的
+3sigma
MEDIAN
意味着
-3sigma
39
40
41
10
8
6
4
2
0
35
36
37
38
射频频率（ GHz）的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
39
40
41
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
35
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， USB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 700设备
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
35
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， LSB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 700设备
镜像抑制（ DBC）
36
37
38
射频频率（ GHz）的
39
40
41
镜像抑制（ DBC）
36
37
38
射频频率（ GHz）的
39
40
41
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
+3sigma
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
XU1001 -BD VD = 3.0 V n = 30毫安
2×10 /射频隔离度（dB ）
RF回波损耗（分贝）
XU1001 -BD VD = 3.0 V n = 30毫安
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
36.0
36.5
37.0
37.5
38.0
38.5
39.0
39.5
40.0
50
40
30
20
10
0
36.00
36.50
37.00
37.50
38.00
38.50
39.00
39.50
40.00
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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发射机测量（续）
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， USB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 170设备
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
30.5
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， LSB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 170设备
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
30.5
转换增益（dB ）
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
转换增益（dB ）
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
射频频率（ GHz）的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
射频频率（ GHz）的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， USB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 170设备
0
镜像抑制（ DBC）
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， LSB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 170设备
0
镜像抑制（ DBC）
-5
-10
-15
-20
-25
30.5
-5
-10
-15
-20
-25
30.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
射频频率（ GHz）的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
最大
射频频率（ GHz）的
MEDIAN
意味着
-3sigma
XU1001 -BD VD = 3.0 V，编号= 30 mA时， USB / LSB
LO = + 12.0 dBm时， IF = 1.0 GHz的@ -20.0 dBm时， 170设备
0
-5
RF回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
30.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
射频频率（ GHz）的
最大
MEDIAN
意味着
民
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U1001-BD
0.541
(0.021)
2
机械制图
2.500
(0.098)
1.143
(0.045)
3
U1001
1.285
(0.051)
1
4
0.312
(0.012)
0.0
0.0
6
5
0.541
(0.021)
1.143
(0.045)
2.900
(0.114)
（注：工程代号是38TRX_01B2 ）
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 4.491毫克。
焊盘＃ 1 （ RF输出）
焊盘＃ 2 （ IF2 ）
焊盘＃ 3 （ IF1 ）
焊盘＃ 4 （ LO ）
焊盘＃ 5 （ VG）
焊盘＃ 6 （ VD）
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
偏置安排
IF2
2
IF1
3
IF2
IF1
U1001
RF
1
RF
XU1001-BD
LO
4
6
5
LO
Vd
Vg
Vd
Vg
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应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是用两个阶段并行操作。
标称偏差VD = 3V ，ID = 30毫安。功率偏置可以是高达Vd的= 5.5V，编号= 60毫安。它也建议
利用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最
再现的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，
偏置电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器，用串联的一个低值电阻器
与用于感测所述电流的漏极电源。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的
漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.5V 。通常，所述栅极是
与硅二极管的保护，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压
以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD和VG）需要有DC旁路电容
（ 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也
推荐使用。
注意：
RF端口为AC耦合（片上DC块） 。 IF和LO端口是直流耦合（在芯片上没有DC挡） 。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
84度摄氏
104度摄氏
124度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
318.0
°
C / W
-
7.63E+11
4.79E+10
3.95E+09
1.31E-03
2.09E-02
2.53E-01
偏置条件：
VD = 3.0V ，ID = 30毫安
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
159度摄氏
179度摄氏
199度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
314.8
°
C / W
-
1.39E+08
2.09E+07
3.67E+06
7.18E+00
4.79E+01
2.72E+02
偏置条件：
VD = 5.5V ，ID = 60毫安
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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