XTR
XTR
114
112
XTR112
XTR114
4-20mA电流变送器
具有传感器激励和线性化
特点
q
LOW不可调整误差
q
精密电流源
XTR112 ：两个250
A
XTR114 ：两个100
A
q
RTD或电桥激励
q
线性化
q
二，三线RTD操作
q
q
q
q
q
q
低失调漂移： 0.4
V/
°
C
低输出电流噪声： 30nAp -P
高PSR ： 110分贝分钟
高CMR ： 86分贝分钟
宽电源电压范围： 7.5V至36V
SO- 14 SOIC封装
PT1000非线性修正
使用XTR112和XTR114
5
4
非线性（ ％ ）
3
2
1
0
–1
–200°C
过程温度（ ℃）
+850°C
应用
q
工业过程控制
q
工厂自动化
q
SCADA远程数据采集
q
远程温度和压力
换能器
未修正
RTD非线性
描述
该XTR112和XTR114是单片的4-20mA ，
两线制电流变送器。它们提供了完整的
励磁电流的高阻抗铂RTD
温度传感器和桥梁，仪器仪表上午
在一个英特plifier和电流输出电路
碎电路。该XTR112有两个电流250μA
来源而XTR114有两个100μA源
RTD激励。
多功能的线性化电路提供了一个二阶
校正到RTD ，典型地实现了40：1的
改善线性度。
仪表放大器的增益可以为配置
宽范围的温度或压力的测量。
完整的电流互感器的总非调整误差
米特足够低以允许使用未经调整
在许多应用中。这包括零输出电流
租漂移，量程漂移和非线性。该XTR112
与XTR114在回路电源电压下工作
下降到7.5V 。
两者都可以采用SO -14表面贴装封装
年龄和工作在-40° C至+ 85°C行业被指定
试验的温度范围内。
更正
非线性
I
R
I
R
V
LIN
V
REG
+
7.5V至36V
V
PS
4-20毫安
R
G
RTD
–
XTR112 ：
I
R
= 250A
XTR114 ：
I
R
= 100A
XTR112
XTR114
V
O
R
L
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111
TWX ： 910-952-1111 互联网： http://www.burr-brown.com/电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 即时产品信息： （ 800 ） 548 -6132
1998年的Burr-Brown公司
PDS-1473A
1
印刷， 1998年U.S.A.月
XTR112 ， XTR114
SBOS101
特定网络阳离子
在T
A
= + 25°C ， V + = 24V，和TIP29C外部晶体管，除非另有说明。
XTR112U
XTR114U
参数
产量
输出电流方程
输出电流，额定范围
超过范围限制
在尺度限制： XTR112
XTR114
零点输出
(1)
初始误差
与温度
与电源电压，V +
VS共模电压
VS V
REG
输出电流
噪声： 0.1Hz至10Hz的
跨度
跨度公式（跨导）
初始误差
(3)
与温度
(3)
非线性：理想的输入
(4)
输入
(5)
失调电压
与温度
与电源电压，V +
VS共模电压，
RTI （ CMRR ）
共模输入范围
(2)
输入偏置电流
与温度
输入失调电流
与温度
阻抗：差
共模
噪声： 0.1Hz至10Hz的
电流源
当前位置： XTR112
XTR114
准确性
与温度
VS电源，V +
匹配
与温度
VS电源，V +
合规性电压，正
负
(2)
输出阻抗： XTR112
XTR114
噪声： 0.1Hz至10Hz的： XTR112
XTR114
V
REG(2)
准确性
与温度
与电源电压，V +
输出电流： XTR112
XTR114
输出阻抗
线性化
R
LIN
（内部）
准确性
与温度
电源
额定电压
工作电压范围
温度范围
规格，T
民
给T
最大
工作/存储范围
热阻，
θ
JA
SO- 14表面贴装
T
规格相同XTR112U ， XTR114U 。
注： （ 1 ）介绍4mA的低比例补偿电流的精度。不包括输入放大器的影响。可以被调整到零。 （ 2 ）测量电压
对于我
RET
引脚。 （ 3 ）不包括增益设置电阻R的初始误差和TCR
G
。 （ 4 ）增加的满量程输入范围，提高了非线性。 （ 5）不
包括零输出初始误差。 （6 ）电流源的输出电压相对于我
RET
引脚。
XTR112UA
XTR114UA
最大
民
典型值
最大
单位
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
μA /°C的
μA / V
μA / V
μA / mA的
μAp -P
A / V
%
PPM /°C的
%
V
μV/°C
V/V
V/V
V
nA
PA / ℃，
nA
PA / ℃，
GΩ || pF的
GΩ || pF的
μVp -P
A
A
%
PPM /°C的
PPM / V
%
PPM /°C的
PPM / V
V
V
M
G
μAp -P
μAp -P
V
V
毫伏/°C的
mV / V的
mA
mA
k
%
PPM /°C的
V
V
°C
°C
° C / W
条件
民
典型值
I
REG
= 0
V
IN
= 0V ，R
G
=
∞
4
24
0.9
0.6
I
O
= V
IN
(40/R
G
） + 4毫安，V
IN
在电压，R
G
in
20
T
27
30
T
T
1.3
1.7
T
T
1
1.4
T
T
4
±5
±0.07
0.04
0.02
0.3
0.03
S = 40 / R
G
±0.05
±3
0.003
±50
±0.4
±0.3
±10
±25
±0.5
0.2
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
+36
+85
+125
100
T
T
T
T
T
T
T
T
±50
±0.9
T
V + = 7.5V至36V
V
CM
= 1.25V至3.5V
(2)
满量程（V
IN
） = 50mV的
满量程（V
IN
） = 50mV的
V
CM
= 2V
V + = 7.5V至36V
V
CM
= 1.25V至3.5V
(2)
1.25
±0.2
±25
0.01
±100
±1.5
±3
±50
3.5
25
±3
±0.4
T
T
±250
±3
T
±100
T
50
±10
5
20
±0.2
5
0.1 || 1
5 || 10
0.6
V
O
= 2V
(6)
250
100
±0.05
±15
±10
±0.02
±3
1
(V+) –2.5
–0.2
500
1.2
0.001
0.0004
5.1
±0.02
±0.2
1
–1, +2.1
–1, +2.4
75
1
±0.2
±25
+24
+7.5
–40
–55
V + = 7.5V至36V
V + = 7.5V至36V
(V+) –3
0
±0.2
±35
±25
±0.1
±15
10
T
T
±0.4
±75
T
±0.2
±30
T
±0.1
T
±0.5
±100
±1
T
T
T
T
XTR112 ， XTR114
2
引脚配置
顶视图
XTR112和XTR114
I
R1
V
IN
R
G
R
G
NC
I
RET
I
O
–
绝对最大额定值
(1)
SO-14
电源供应器，V + （参考我
O
销） .......................................... 40V
+
–
输入电压V
IN
, V
IN
（参考到我
O
销） ............................ 0V至V +
存储温度范围....................................... -55 ° C至+ 125 °
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
输出电流限制............................................... ................连续
结温................................................ ................... + 165℃
注： （ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。
1
2
3
4
5
6
7
14 I
R2
13 V
IN
12 V
LIN
11 V
REG
10 V+
9
8
B（基地）
E（发射极）
+
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
NC =无连接
封装/订购信息
当前
来源
2× 250μA
＆ QUOT ;
2× 250μA
＆ QUOT ;
2× 100μA
＆ QUOT ;
2× 100μA
＆ QUOT ;
包
制图
数
(1)
235
＆ QUOT ;
235
＆ QUOT ;
235
＆ QUOT ;
235
＆ QUOT ;
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
订购
数
(2)
XTR112U
XTR112U/2K5
XTR112UA
XTR112UA/2K5
XTR114U
XTR114U/2K5
XTR114UA
XTR114UA/2K5
运输
媒体
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
产品
XTR112U
＆ QUOT ;
XTR112UA
＆ QUOT ;
XTR114U
＆ QUOT ;
XTR114UA
＆ QUOT ;
包
SO- 14表面贴装
＆ QUOT ;
SO- 14表面贴装
＆ QUOT ;
SO- 14表面贴装
＆ QUOT ;
SO- 14表面贴装
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参见数据资料的最后，还是的Burr-Brown IC数据手册附录C 。 （ 2 ）模型以斜杠（ / ）是
仅在磁带和卷轴中所示的数量（例如， / 2K5表示每卷2500设备） 。订购的“ XTR112UA / 2K5 ” 2500件会得到一个单一的
2500件磁带和卷轴。有关详细的磁带和卷轴机械信息，请参阅对的Burr-Brown IC数据手册的附录B中。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息的使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可任何电路
本文描述的暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或担保任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
XTR112 ， XTR114
典型性能曲线
在T
A
= + 25 ℃， V + = 24V，除非另有说明。
跨导与频率
50
跨导（ 20日志毫安/ V）
R
G
= 500
40
R
G
= 125
20mA
4mA/div
阶跃响应
R
G
= 2k
30
R
G
= 125
20
R
G
= 2k
4mA
10
0
100
1k
10k
频率（Hz）
100k
1M
25s/div
共模抑制比与频率
110
100
140
电源抑制比与频率
电源抑制比（dB ）
共模抑制比（dB ）
120
100
80
60
40
20
0
10
100
1k
10k
100k
1M
R
G
= 2k
R
G
= 125
90
80
70
60
50
40
30
20
10
100
1k
10k
100k
1M
频率（Hz）
R
G
= 2k
R
G
= 125
频率（Hz）
过量程电流与温度
29
与外部晶体管
28
27
V+ = 36V
26
V+ = 7.5V
25
V+ = 24V
24
23
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
1.45
1.4
下量程电流与温度
根据量程电流（mA ）
过量程电流（毫安）
1.35
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
–75
–50
XTR112
XTR114
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
5
XTR112 ， XTR114
QQ：2881677436 复制
