FAST DMOS FET开关
N沟道增强模式
SST211 / SST213 / SST215
特点
描述
公司
高速交换。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
D（上）
1ns
低电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4pF典型
低导通电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50Ω typycal
高增益
表面贴装封装
超高速模拟开关
采样和保持
多路复用器
高增益放大器
设计用于音频，视频和高频应用中，
在SST211系列是高速，超低容量
单刀单掷模拟开关。利用Calogic专有DMOS
处理SST211系列集成了一个齐纳
二极管旨在保护门的电气过应力。
订购信息
部分
SST211
SST213
SST215
XSST211
XSST213
XSST215
包
SOT -143表面贴装
SOT -143表面贴装
SOT -143表面贴装
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
应用
引脚配置
原理图
3
漏
(2)
体
(4)
门
(3)
2
4
CD1-1
1
来源
(1)
产品标识
SST211
SST213
SST215
211
213
215
SST211 / SST213 / SST215
公司
绝对最大额定值
(T
c
= +25
o
C除非另有说明）
参数
击穿电压
V
DS
V
SD
V
DB
V
SB
V
GS
V
GB
V
GD
SST211
+30
+10
+30
+15
-15
+25
-0.3
+25
-30
+25
SST213
+10
+10
+15
+15
-15
+25
-0.3
+25
-15
+25
SST215
+20
+20
+25
+25
-25
+30
-0.3
+30
-25
+30
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
D
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
P
T
功率耗散（或低于锝= 25
o
C） 。 。 。 。 360MW
线性降额Factor3.6mW /
o
T
j
工作结温范围。 。 -55到+125
o
C
T
S
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到+150
o
C
电气特性
(T
c
= +25
o
C除非另有说明）
符号
STATIC
B
VDS
B
VSD
B
VDB
B
VSB
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
I
GBS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
动态
g
fs
C
（ GS + GD + GB）
C
（ GD + DB ）
C
（ GS + SB ）
C
（ DG）的
t
D（上）
t
r
t
（关闭）
共源
1
FOWARD Transcond 。
门节点电容
漏极节点电容
源节点电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭时间
10
12
2.4
1.3
3.5
0.3
0.7
0.8
10
3.5
1.5
4.0
0.5
1.0
1.0
10
12
2.4
1.3
3.5
0.3
0.7
0.8
10
3.5
1.5
4.0
0.5
1.0
1.0
10
12
2.4
1.3
3.5
0.3
0.7
0.8
10
3.5
1.5
4.0
0.5
1.0
1.0
ns
V
DD
= 5V, V
G（ ON）的
= 10V
R
L
= 680, R
G
= 51
pF
V
DS
= 10V
V
GS
= V
BS
= -15V
F = 1MHz的
mS
V
DS
= 10V ，我
D
= 20mA下
F = 1kHz时，V
SB
= 0
漏源
击穿电压
30
10
35
25
10
10
15
15
0.2
0.6
10
10
10
0.5
1.0
50
30
2.0
70
45
0.1
50
30
0.2
0.6
10
0.2
10
0.6
10
10
2.0
70
45
0.1
1.0
50
30
2.0
70
45
10
A
V
欧
10
nA
25
20
20
V
15
15
25
25
25
I
D
= 10μA ，V
GS
= V
BS
= 0
I
D
= 10nA的，V
GS
= V
BS
= -5V
I
S
= 10nA的，V
GD
= V
BD
= -5V
I
D
= 10nA的，V
GB
= 0源
开放
I
S
= 10μA ，V
GB
= 0开漏
V
DS
= 10V
V
DS
= 20V
V
SD
= 10V
V
SD
= 20V
V
GB
= 25V
V
GB
= 30V
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
V
GS
= V
BS
= -5V
V
GD
= V
BD
= -5V
V
DB
= V
SB
= 0
特征
SST211
SST213
SST215
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
单位
测试条件
源极 - 漏极击穿电压10
漏体
击穿电压
源极 - 体
击穿电压
漏源
关断电流
源极 - 漏极
关断电流
门体
漏电流
栅极阈值电压
漏源
1
抗性
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1μA ，V
SB
= 0
I
D
= 1毫安
V
SB
= 0
注1 ：脉冲测试， 80秒，1 ％占空比
典型性能特征：见SD211-215系列
QQ：2880707522 复制
