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> XSD57120
SD57120
射频功率晶体管
该
LDMOST
家庭
初步数据
N沟道增强模式横向
MOSFET的
优良的热稳定性
常见源配置,
推挽
P
OUT
= 120瓦13 dB增益@ 960 MHz的
氧化铍无铅封装
内部输入匹配
½
½
½
½
½
描述
在SD57120是一种常见的源N沟道
增强模式横向场效应RF功率
晶体管专为宽带商用
达和工业应用中的频率
1.0 GHz的。在SD57120是专为高增益
而在宽带运营业绩
常见的信号源模式在28V 。其内部
搭配使其非常适用于基站
应用程序需要高线性度。
M252
环氧树脂密封
订货编号
BRANDING
SD57120
XSD57120
引脚连接
1.漏
2.漏
3.源
绝对最大额定值
(T
例
= 25
o
C)
符号
V
( BR ) DSS
V
GS
I
D
P
双SS
T
j
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散( @ T C = 70℃)
马克斯。操作摄像结温
储存温度
o
4.门
5.门
价值
65
±
20
14
236
200
-65到150
UNI吨
V
V
A
W
o
o
C
C
热数据
R
日(J -C )
结 - 壳热阻
0.55
o
C / W
2000年3月
1/7
SD57120
电气规格
(T
例
= 25
o
C)
STATIC
(每科)
SYMB OL
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
G
FS
C
我是SS
*
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
V
GS
= 20V
V
DS
= 28V
V
GS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
参数
I
DS
= 10毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 100毫安
I
D
= 3 A
I
D
= 3 A
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
3.0
0.7
3
175
44
1.7
分钟。
65
1
1
5.0
0.8
典型值。
马克斯。
取消它
V
A
A
V
V
姆欧
pF
pF
pF
*内置输入MOSCAP 。
动态
SYMB OL
P
OUT
G
PS
η
D
V
DD
= 28V
V
DD
= 28 V
V
DD
= 28 V
参数
F = 960 MHz的
P
OUT
= 120 W
P
OUT
= 120W
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
= 800毫安
P
UT
= 120 W
I
DQ
= 800毫安
分钟。
120
13
50
10:1
14
典型值。
马克斯。
取消它
W
dB
%
VSW
负载
F = 960 MHz的V
DD
= 28 V
匹配所有相位角
阻抗数据
FREQ 。
945兆赫
960兆赫
980兆赫
Z
IN
()
3.9 + j 4.9
4.1 - j 4.6
3.9 + j 5.2
Z
DL
()
3.6 - j 5.1
3.24 - j 4.74
3.27 - j 6.9
测量门栅极和漏极分别流失。
2/7
SD57120
典型性能
输出功率与输入功率
功率增益和效率与输出功率
3/7
SD57120
960 MHz的测试电路原理图
+
+
C17
L4
+
R5
C12
C9
C6
C8
C19
C22
960 MHz的测试电路组件部件列表
4/7
SD57120
960 MHz的生产测试夹具
C29
R4
R6
C11
C10
TL1
BF1
C7
C5
L2
R1
C2
C1
L1
C6
C8
BF2
C9
C12
R5
BF3
BF5
R3
C28
C19
C3
R2
C4
BALUN1
C13
C34
L4
TL2
C17
C23
C25
C24
C15
C16
C18
C14
C35
L3
C20
BF6
BF4
C21
C27
C31
C33
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C22
C26
C32
C30
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XSD57120
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联系人:连
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XSD57120
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