XRD54L08/L10/L12
五月2000-2
3V ,低功耗,电压输出
串行8月10日/ 12-位DAC系列
特点
D
8月10日/ 12-位分辨率
D
从单3V电源工作
D
缓冲电压输出: 13毫秒典型建立时间
D
145MW总功耗(典型值)
D
保证单调过热
D
灵活的输出范围: 0V至V
DD
D
8引脚SOIC和PDIP封装
D
上电复位
D
串行数据输出为菊花链
应用
D
数字校准
D
电池供电仪器
D
远端管理设备
D
移动电话
D
运动控制
D
VXCO控制
D
比较电平设置
概述
该XRD54L08 / L10 / L12低功耗,电压输出
数字 - 模拟转换器(DAC),为+ 3V,电源
操作。该部分只画出50毫安静态电流
并在这两个8引脚PDIP和SOIC封装
封装。
该XRD54L08 / L10 / L12有一个3线串行接口
输出允许用户能够以菊花链的几个人
在一起。串行端口将同时支持Microwiret ,
吐了, QSPIt标准。
该XRD54L08 / L10 / L12的输出被设定为一个增益
2 。输出短路电流7毫安典型。
订购信息
产品型号
XRD54L08AID
XRD54L08AIP
XRD54L10AID
XRD54L10AIP
XRD54L12AID
XRD54L12AIP
包
8铅150英里JEDEC SOIC
8铅300英里PDIP
8铅150英里JEDEC SOIC
8铅300英里PDIP
8铅150英里JEDEC SOIC
8铅300英里PDIP
操作
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
修订版1.30
E2000
Exar公司,加藤路48720 ,弗里蒙特,CA 94538
z
(510) 668-7000
z
(510) 668-7017
XRD54L08/L10/L12
框图
V
REFIN
2
n
开关
矩阵
R
+
-
R
V
DD
V
OUT
AGND
V
DD
CS
SCLK
SDIN
移位寄存器
电源
RESET
DOUT
图1.框图
引脚配置
SDIN
SCLK
CS
DOUT
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
V
OUT
V
REFIN
AGND
SDIN
SCLK
CS
DOUT
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
V
OUT
V
REFIN
AGND
8引脚SOIC (JEDEC , 0.150 “ )
8引脚PDIP ( 0.300 “ )
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
修订版1.30
2
符号
SDIN
SCLK
CS
DOUT
AGND
V
REFIN
V
OUT
V
DD
描述
串行数据输入
串行数据时钟
片选信号(高电平有效)
串行数据输出
模拟地
参考电压输入
DAC输出
电源电压
XRD54L08/L10/L12
测试条件: V
DD
= 3V , GND = 0V , REFIN = 1.000V (外部) ,R
L
= 10千瓦,C
L
= 100pF电容,T
A
= T
民
给T
最大
,
除非另有说明。
符号
N
INL
DNL
V
OS
TCV
OS
PSRR
GE
TCGE
PSRR
参数
决议
相对精度
微分非线性
偏移误差
偏移温度系数
偏移误差电源设备
抑制比
增益误差
增益误差温度系数
电源
抑制比
决议
相对精度
微分非线性
偏移误差
偏移温度系数
偏移误差电源设备
抑制比
增益误差
增益误差温度系数
电源
抑制比
决议
相对精度
微分非线性
偏移误差
偏移温度系数
偏移误差电源设备
抑制比
增益误差
增益误差温度系数
电源
抑制比
0
12
2
0.5
3
2
1.0
0.1
10
0.1
1.25
1.25
0.4
4
-1
1.25
V
OS
TCV
OS
PSRR
GE
TCGE
PSRR
8
0
10
0.5
0.50
3
2
0.5
0.1
10
0.1
1.25
1
0.4
1
0.75
8
0
分钟。
8
0.25
0.25
3
2
0.5
0.1
10
0.1
1.25
1
0.4
0.5
0.5
8
典型值。
马克斯。
单位
位
最低位
± LSB
mV
PPM /°C的
mV
% FS
PPM /°C的
mV
2.5V
±
V
DD
±
3.5V ,在测
FS
2.5V
±
V
DD
±
3.5V
保证单调性
条件
电气特性
静态性能XRD54L08
静态性能XRD54L10
N
INL
DNL
V
OS
TCV
OS
PSRR
GE
TCGE
PSRR
位
最低位
± LSB
mV
PPM /°C的
mV
% FS
PPM /°C的
mV
2.5V
±
V
DD
±
3.5V ,在测
FS
2.5V
±
V
DD
±
3.5V
保证单调性
静态性能XRD54L12
N
INL
DNL
位
最低位
最低位
最低位
mV
PPM /°C的
mV
% FS
PPM /°C的
mV
2.5V
±
V
DD
±
3.5V ,在测
FS
2.5V
±
V
DD
±
3.5V
保证单调性
修订版1.30
3
XRD54L08/L10/L12
测试条件: V
DD
= 3V , GND = 0V , REFIN = 1.000V (外部) ,R
L
= 10千瓦,C
L
= 100pF电容,T
A
= T
民
给T
最大
,
除非另有说明。
符号
V
O
V
REG
+I
SC
-I
SC
V
REFIN
R
IN
TCR
IN
C
IN
AC
FT
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
V
OH
V
OL
SR
t
s
D
FT
SINAD
参数
输出电压范围
输出负载调整
短路电流,漏
短路电流,源
电压范围
输入阻抗
输入电阻温度系数
输入电容
AC穿心
输入高
输入低
输入电流
输入电容
输出高
输出低
电压输出摆率
电压输出稳定时间
数字馈通
信号与噪声失真
0.13
0.21
13
1
68
15
V
DD
-1
0.4
10
2.0
0.8
±1
0
40
65
1500
32
-80
40
分钟。
0
2
11
2.5
V
DD
典型值。
马克斯。
V
DD
--0.4
电气特性
(续)
单位
V
mV
mA
mA
V
kW
PPM /°C的
pF
dB
V
V
mA
pF
V
V
V / ms的
ms
nV-s表示
dB
条件
输出电压(V
OUT
) XRD54L08 / L10 / L12
4
V
OUT
= 2V ,R
L
=2kW
V
OUT
= V
DD
V
OUT
= GND
输出摆幅有限,不可能代码
依赖的
参考电压输入(V
REFIN
) XRD54L08 / L10 / L12
没有相关的代码
REFIN = 1kHz时, 2VP- P, SD
IN
=000h
数字输入( SDIN , SCLK , CS ) XRD54L08 / L10 / L12
V
IN
= 0V或V
DD
数字输出( DOUT ) XRD54L08 / L10 / L12
I
来源
=4mA
I
SINK
=4mA
T
A
=+25°C
±1/2LSB,
V
OUT
=2V
CS = V
DD
, SDIN = SCLK = 100kHz的
V
REFIN
= 1kHz时, 2VP -P F.S. ,
SDIN =满量程
--3dB BW = 250kHz的
动态性能XRD54L08 / L10 / L12
电源XRD54L08 / L10 / L12
V
DD
I
DD
正电源电压
电源电流
2.5
35
3.5
60
V
mA
所有输入= 0V或V
DD
,
输出=无负载,V
O
=0V,
I
REF
不包括
开关特性XRD54L08 / L10 / L12
t
CSS
t
CSH0
t
CSH1
CS建立时间
SCLK秋季到CS秋季保持时间
SCLK秋季到CS上升保持时间
10
5
0
20
ns
ns
ns
注意事项:
1
总电源电流消耗= I
DD
+ I
REF
+ (V
OUT
/ 70K.)
修订版1.30
4
XRD54L08/L10/L12
测试条件: V
DD
= 3V , GND = 0V , REFIN = 1.000V (外部) ,R
L
= 10千瓦,C
L
= 100pF电容,T
A
= T
民
给T
最大
,
除非另有说明。
符号
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
DO
t
CSW
t
CS1
参数
SCLK高宽
SCLK低电平宽度
D
IN
建立时间
D
IN
保持时间
D
OUT
有效的传播延迟
CS高脉冲宽度
CS上升到SCLK崛起设置
时间
20
10
分钟。
20
20
10
0
8
40
20
15
典型值。
35
35
45
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 50pF的
条件
电气特性
(续)
规格若有变更,恕不另行通知
绝对最大额定值
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V , + 5V
数字输入电压至GND 。 。 。 。 。 。 -0.3V ,V
DD
+0.3V
V
REFIN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V, V
DD
+0.3V
V
OUT1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DD
, GND
连续电流,任何引脚。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA , + 20毫安
封装功耗额定值(T
A
= +70°C)
PDIP ( 9mW的减免/° C以上+ 70 ° C) 。 。 。 。 117mW
SOIC (减免为6mW / ° C以上+ 70 ° C) 。 。 。 155MW
工作温度范围。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 165℃
焊接温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
是不是值仅为运行在或高于本规范暗示的保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
任何输入引脚,可以看到的绝对最大额定值之外的值应该由肖特基二极管钳位得到保护
( HP5082-2835 )从输入引脚连接到电源。
所有的输入有保护二极管
这将防止短路装置
对小于100mA的电源瞬态外不到100
m
s.
修订版1.30
5