【27.0-34.0 GHz的砷化镓接收器QFN封装，采用4x4mm2010年2月 - 第9版-FEB】,IC型号XR1019-QH,XR1019-QH PDF资料,XR1019-QH经销商,ic,电子元器件-51电子网

27.0-34.0 GHz的砷化镓接收器

QFN封装，采用4x4mm

2010年2月 - 第9版-FEB- 10

R1019-QH

特点

集成的LNA ，混频器和LO缓冲放大器

2.5分贝噪声系数

13.0分贝转换增益

采用4x4mm QFN封装

100 ％的RF ， DC和NF测试

概述

MIMIX宽带的27.0-34.0 GHz的QFN封装

接收机具有2.5分贝和13.0分贝的噪声指数

转换增益。该器件集成了LNA ，图像

在一个完全抑制混频器和LO缓冲放大器

成型的4x4mm QFN封装。图像抑制混频器

省去了在LNA之后的带通滤波器

以图像频率去除热噪声。 I和Q

提供混合器的输出和一个外部90度

杂交需要选择所需的边带。这

器件采用MIMIX宽带的砷化镓PHEMT器件的

模型的技术，并且是基于电子束

光刻技术，以保证高可重复性和均匀性。

该器件非常适合用于点至点收音机， LMDS ，

SATCOM和VSAT应用。

绝对最大额定值

电源电压（ Vd1,2,3 ）

电源电流（ Id1,2,3 ）

栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ）

栅极偏置电压（ VG4 ）

输入功率（ RF ）

LO功率（ LO ）

存储温度（ TSTG ）

工作温度（Ta ）

通道温度（ TCH）

ESD最小。机器模型（ MM ）

ESD最小。人体模型（ HBM ）

湿度敏感度等级

+4.3V

200毫安

-1.7V分钟， 0V最大值。

-4 V

+5 dBm的

+13 dBm的

-65到+150摄氏度

-55至+85°C

150 C

A级

1A级

MSL3

（1）操作此设备的上述这些参数中的任何一个可能引起

永久性损坏。

（2 ）通道温度直接影响设备的平均无故障时间。通道

温度应保持在尽可能低的最大限度地提高寿命。

电气特性（环境温度T = 25

参数

频率范围（ RF ）

频率范围（ LO ）

频率范围（ IF ）

转换增益（ CG ）

噪声系数（ NF）

输入三阶截取（ IIP3 ）

镜像抑制

LO输入驱动器

LO / RF隔离

RF输入回波损耗

LO输入回波损耗

IF回波损耗

漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）

栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ） *

栅极偏置电压（ VG4 ） **

电源电流（ ID1）

电源电流（ ID2）

电源电流（ ID3 ）

电源电流（ IG4 ）

* Vg1,2和3的调整，以达到恒定的漏电流调节。

单位

GHz的

DBM

dBc的

DBM

VDC

分钟。

27.0

12.5

3.0

-3.8

典型值。

13.0

2.5

-2

20.0

4.0

-50.0

10.0

12.0

3.0

-0.35

-3.0

7.5

马克斯。

34.0

18.0

2.0

9.0

-2.0

第1页8

** VG4提供混频器偏置，并固定在-3.0V 。

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2010

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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QFN封装，采用4x4mm

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R1019-QH

接收机测量

XR1019 - QH ： LSB转化率。增益与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ;为Id1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

XR1019 - QH ： USB转化率。增益与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ;为Id1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

转换增益（dB ）

+25C

+85C

-40C

转换增益（dB ）

+25C

+85C

-40C

RF输入（千兆赫） [ IF = 1千兆赫]

4.5

3.5

XR1019 - QH ： LSB噪声系数与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ;为Id1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

+25C

+85C

-40C

4.5

3.5

XR1019 - QH ： USB噪声系数与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ;为Id1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

+25C

+85C

-40C

噪声系数（dB ）

2.5

1.5

0.5

2.5

1.5

0.5

RF输入（千兆赫） [ IF = 1千兆赫]

XR1019 - QH ： LSB IIP3与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ;为Id1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

XR1019 - QH ： USB IIP3与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ;为Id1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

IIP3 （ dBm的）

-2

-4

-6

-8

+25C

+85C

-40C

IIP3 （ dBm的）

-2

-4

-6

-8

+25C

+85C

-40C

-10

RF输入（千兆赫） [ IF = 1千兆赫]

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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QFN封装，采用4x4mm

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接收机测量（续）

-5

XR1019 - QH ： LSB镜像抑制与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ; ID1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

LSB + 25℃

LSB + 85℃

LSB -40℃

-5

XR1019 - QH ： USB镜像抑制与频率（千兆赫），过温

Vd1,2,3 = 3V ; ID1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

USB + 25℃

USB + 85℃

USB -40℃

镜像抑制（ DBC）

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

镜像抑制（ DBC）

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

RF频率（ GHz）的[ IF = 1千兆赫]

XR1019 - QH ：转化率。获得VS IF频率（千兆赫）

Vd1,2,3 = 3V ; ID1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

-5

-10

XR1019 - QH ： RF和LO回波损耗与频率（千兆赫）

Vd1,2,3 = 3V ; ID1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

转换增益（dB ）

回波损耗（分贝）

0.5

1.5

2.5

3.5

IF1

IF2

-15

-20

-25

-30

10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44

RF回波损耗

LO回波损耗

IF频率（千兆赫）

RF输入（千兆赫） [ IF = 1千兆赫]

XR1019 - QH ： USB转化率。增益VS频率（千兆赫），变LO功率

Vd1,2,3 = 3V ; ID1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

-2

-4

-6

-8

-10

XR1019 - QH ： USB IIP3 VS频率（千兆赫），变LO功率

Vd1,2,3 = 3V ; ID1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

CONV 。增益（ dB）的

巴解组织= 4 dBm的

巴解组织= 6 dBm的

巴解组织= 8 dBm的

IIP3 （ dBm的）

巴解组织= 4 dBm的

巴解组织= 6 dBm的

巴解组织= 8 dBm的

RF频率（ GHz）的[ IF = 1千兆赫]

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接收机测量（续）

-2

-4

如果返回损耗（dB ）

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

-20

1.2 1.4 1.6 1.8

2.2 2.4 2.6 2.8

频率（GHz ）

3.2 3.4 3.6 3.8

XR1019 - QH ： IF回波损耗与频率（千兆赫）

Vd1,2,3 = 3V ; ID1 = 7.5毫安，ID2 = 30mA时ID3 = 90毫安， VG4 = -3V

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MTTF

XR1019 - QH ： MTTF与背面温度，

VD1,2,3 = 3 V ， ID1,2,3 = 7.5 ， 30 & 90毫安。 VG3 = - 3 V

1.0E+18

1.0E+17

1.0E+16

1.0E+15

平均无故障时间（小时）

1.0E+14

1.0E+13

1.0E+12

1.0E+11

1.0E+10

1.0E+09

1.0E+08

1.0E+07

背面温度（ ℃）

100

120

140

200

180

160

140

XR1019 - QH ： Tch_max与背面温度，

VD1,2,3 = 3 V ， ID1,2,3 = 7.5 ， 30 & 90毫安。 VG3 = - 3 V

TCH最大（ C ）

120

100

背面温度（ ℃）

100

120

140

平均无故障时间是从单个装置的加速寿命的时间数据来计算，并假设的等温背板。

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