【30.0-46.0 GHz的砷化镓MMIC接收器2007年8月 - 修订版16 - 8 - 07】,IC型号XR1004-BD-000V,XR1004-BD-000V PDF资料,XR1004-BD-000V经销商,ic,电子元器件-51电子网

30.0-46.0 GHz的砷化镓MMIC

接收器

2007年8月 - 修订版16 - 8 - 07

特点

芯片设备布局

R1004-BD

次谐波接收器

集成的低噪声放大器， LO倍频/缓冲器，镜像抑制混频器

+4.0 dBm输入三阶截取（ IIP3 ）

+2.0 dBm的LO驱动电平

9.0分贝转换增益

3.5分贝噪声系数

18.0分贝镜像抑制

100 ％的晶片RF ， DC和噪声系数测试

100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010

概述

MIMIX宽带的30.0-46.0 GHz的砷化镓MMIC接收器的噪声

图3.5 dB和跨频带18.0分贝镜像抑制。这

装置是一个三阶段的LNA后跟一个镜像抑制电阻

pHEMT制混频器和包括一个集成的LO倍频和LO缓冲器

放大器。该图像抑制混频器省去了一个带通

在LNA后进行过滤，以在所述图像的频率除去热噪声。

使用集成的LO倍频和LO缓冲放大器，使

提供的LO比对这些基本的混频器更容易

频率。提供I和Q混频器的输出和一个外部90

度混合需要选择所需的边带。这MMIC

采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型

技术，并且是基于电子束光刻，以确保

高重复性和均匀性。该芯片具有表面钝化

保护和过孔和黄金提供了一个坚固的部分与背面

金属化，使无论是导电环氧树脂或共晶焊料死亡

重视过程。这个装置是非常适用于毫米波

点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT应用。

绝对最大额定值

电源电压（ VD）

电源电流（ Id1,2 ），（ ID3 ）

栅极偏置电压（ VG）

输入功率（ RF引脚）

存储温度（ TSTG ）

工作温度（Ta ）

通道温度（ TCH）

+6.0伏

110 ， 180毫安

+0.3 VDC

+5 dBm的

-65 + 165

-55到MTTF表

MTTF表

（ 3 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是

建议保持通道温度低至

可能的最大生命值。

电气特性（环境温度T = 25

参数

频率范围（ RF ）上边带

频率范围（ RF ）下边带

频率范围（ LO ）

频率范围（ IF ）

输入回波损耗RF （ S11 ）

小信号转换增益RF / IF （ S21 ）

LO输入驱动器（P

)

镜像抑制

噪声系数（ NF）

隔离LO / RF @ LOX1 / LOx2

输入三阶截取（ IIP3 ）

1,2

漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）

栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ）

栅极偏置电压（ Vg4,5 ）混频器，倍频器

电源电流（ Id1,2 ）（ Vd1,2 = 4.0 ， V G = -0.3V典型）

电源电流（ ID3 ）（ Vd3的= 4.0V ， V G = -0.3V典型）

单位

GHz的

DBM

dBc的

DBM

VDC

分钟。

35.0

30.0

15.5

-1.2

典型值。

10.0

9.0

+2.0

18.0

3.5

+4.0

-0.3

-0.5

145

40.0/40.0

马克斯。

46.0

25.0

4.0

+5.5

+0.1

100

165

（ 1 ）采用恒定电流测量。

（ 2 ）使用的0.0和2.0 dBm的LO输入驱动电平测量。

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

第1页7

特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2007

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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接收器

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R1004-BD

接收机测量

XR1004 -BD Vd1,2,3 = 4.0 V， Id1,2 = 50 mA时， ID3 = 145毫安， USB

LO = + 2.0 dBm时， IF = 2.0 GHz的RF = -20.0 dBm时， 1570 设备

30.0

XR1004 -BD Vd1,2,3 = 4.0 V， Id1,2 = 50 mA时， ID3 = 145 mA时， LSB

LO = + 2.0 dBm时， IF = 2.0 GHz的RF = -20.0 dBm时， 1570 设备

转换增益（dB ）

31.0

32.0

33.0

34.0

35.0

36.0

37.0

38.0

39.0

40.0

41.0

42.0

43.0

44.0

45.0

46.0

转换增益（dB ）

31.0

32.0

33.0

34.0

35.0

36.0

37.0

38.0

39.0

40.0

41.0

42.0

43.0

44.0

45.0

46.0

射频频率（ GHz）的

最大

MEDIAN

意味着

-3sigma

最大

射频频率（ GHz）的

MEDIAN

意味着

-3sigma

XR1004 -BD Vd1,2,3 = 4.0 V， Id1,2 = 50 mA时， ID3 = 145毫安， USB

LO = + 2.0 dBm时， IF = 2.0 GHz的RF = -20.0 dBm时， 1570 设备

-5

镜像抑制（ DBC）

-5

XR1004 -BD Vd1,2,3 = 4.0 V， Id1,2 = 50 mA时， ID3 = 145 mA时， LSB

LO = + 2.0 dBm时， IF = 2.0 GHz的RF = -20.0 dBm时， 1570 设备

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

30.0

31.0

32.0

33.0

34.0

35.0

36.0

37.0

38.0 39.0

40.0

41.0

42.0

43.0

44.0

45.0

46.0

镜像抑制（ DBC）

-10

-15

-20

-25

-30

-35

30.0

31.0

32.0

33.0

34.0

35.0

36.0

37.0

38.0 39.0

40.0

41.0

42.0

43.0

44.0

45.0

46.0

射频频率（ GHz）的

最大

MEDIAN

意味着

-3sigma

最大

射频频率（ GHz）的

MEDIAN

意味着

-3sigma

XR1004-BD

平均IIP3 / OIP3 （ dBm的）

XR1004 -BD （ LSB ， IF = 2 GHz时， Pout_scl = -9 DBM）：断言OIP3 VS RF

LO = -2 dBm的（红色）和2 dBm的（蓝色）。 5测量设备

RF频率（千兆赫）

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接收器

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R1004-BD

1.170

(0.046)

1.571

(0.062)

1.871

(0.074)

2.470

(0.097)

机械制图

1.620

(0.064)

0.646

(0.025)

0.298

(0.012)

0.0

1.170

(0.046)

1.571

(0.062)

1.871

(0.074)

2.271

(0.089)

2.671

(0.105)

3.071

(0.121)

3.970

(0.156)

（注：工程代号是40REC0452 ）

单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。

厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ），背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金

所有的DC / IF接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ）。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）

接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。

切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ）。大约重量： 3.987毫克。

焊盘＃ 1 （ RF输入）

焊盘＃ 2 （ Vd1的）

焊盘＃ 3 （ Vd2的）

焊盘＃ 4 （ IF1 ）

焊盘＃ 5 （ Vd3的）

焊盘＃ 6 （ LO ）

焊盘＃ 7 （ VG5 ）

焊盘＃ 8 （ VG3 ）

焊盘＃ 9 （ VG4 ）

焊盘＃ 10 （ IF2 ）

焊盘＃ 11 （ VG2 ）

焊盘＃ 12 （ VG1 ）

偏置安排

Vd2

Vd1

IF1

旁路电容

- 参见应用笔记[ 2 ]

Vd1,2

Vd3

IF1

XR1004-BD

Vg5

RF OUT

Vg1

IF2

Vg2

Vg4

Vg3

Vg5

IF2

Vg1,2

Vg4

Vg3

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R1004-BD

应用笔记[1]偏置

- 如图中接合图，该装置是由分别施力VD1，VD2和Vd3的与操作

VD （ 1,2,3 ） = 4.0V ，ID1的Id2 = = 25毫安和ID3 = 145毫安。此外，混频器和倍频的偏见，还需要与VG4 = VG5 = -0.5V 。调整VG4

和VG5高于或低于这个值可以转换增益，镜像抑制和截点性能产生不利影响。它也是

推荐使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复

结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个单一的晶体管或低

功率运算放大器，用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。所述的pHEMT的栅极是

控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.3V 。通常，所述栅极是

与硅二极管的保护，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压

可施加正的漏极供应之前。

应用笔记[2]偏置安排

对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC旁路

电容器（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也建议所有的DC或组合（如果

门或排水渠的直流偏置垫绑在一起）。

对于个人级的偏置 - 每个DC垫（ Vd1,2,3和Vg1,2,3,4,5 ）需要有DC旁路电容（ 100200 pF）的尽量靠近器件

成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。

MTTF表（ TBD）

分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。

背板

温度

55度摄氏

75度摄氏

95度摄氏

通道

温度

度摄氏

RTH

平均无故障时间

FITS

C / W

E+

偏置条件：

VD1 = Vd2的= = Vd3的4.0V ，ID1的Id2 = = 25 mA时， ID3 = 145毫安

典型用途

在RF

37.0-39.5 GHz的

XR1004-BD

耦合器

BPF

IF OUT

2 GHz的

LNA

IR混频器

卜FF器

AGC控制

LO(+2.0dBm)

17.5-18.75 GHz的（ USB操作）

19.5-20.75 GHz的（ LSB操作）

MIMIX宽带MMIC基30.0-46.0 GHz的接收器框图

（更改LO与IF频率，要求允许设计操作高达46千兆赫）

MIMIX宽带的30.0-46.0 GHz的XR1004 -BD的GaAs MMIC接收器可以在饱和的无线电应用和线性调制使用

计划高达128 QAM。接收机可以在上部和下部边带的应用程序从30.0-46.0 GHz的使用。

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应用笔记[3] USB / LSB选择

最低位

USB

对上边带操作（ USB）：

与IF1和IF2连接到

直接端口（ 0 ）和耦合端口（ 90° ）

分别如该图所示，

将USB信号将驻留在

隔离端口。输入端口必须是

装载有50欧姆。

IF2

IF1

对于下边带操作（ LSB ）：

与IF1和IF2连接到

直接端口（ 0 ）和耦合端口（ 90° ）

分别如该图所示，

LSB的信号将驻留在所述输入

端口。隔离端口必须被加载

用50欧姆。

选择USB或LSB的另一种方法：

USB

最低位

在第二阶段合

-90

IF2

IF1

IF2

IF1

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