18.0-30.0 GHz的砷化镓接收器
QFN ， 7×7毫米
2006年11月 - 修订版03 -NOV- 06
R1002-QB
特点
基本的高动态范围接收器
集成的增益控制
+4.0 dBm输入三阶截取（ IIP3 ）
14.0分贝转换增益
3.5分贝噪声系数
25.0分贝镜像抑制
MIMIX宽带的18.0-30.0 GHz的砷化镓MMIC接收器具有12.0 dB的增益
控制范围， 3.5 dB和25.0分贝镜像抑制跨噪声系数
乐队。该装置是一个三阶段的LNA后跟单个晶体管
"Tee"衰减器和图像抑制根本电阻HEMT混频器。
在高信号电平的无线AGC系统可以用来降低
接收器增益提高了IIP3提供以最低的失真
调制方案高达256 QAM （ ETSI -见技术注1 ） 。
该图像抑制混频器省去了后的一个带通滤波器
LNA以图像的频率去除热噪声。 I和Q混频器
被提供的输出和一个外部90度混合是需要
选择想要的边带。这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米
砷化镓PHEMT器件模型技术，并基于电子
束光刻，以确保高的可重复性和均匀性。该芯片
具有表面钝化保护，并提供一个坚固的部分与
通孔和镀金背面，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT
应用程序。
概述
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ RF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
300毫安
+0.3 VDC
0.0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
（ 1 ）测量采用恒流， 10分贝衰减和
-20dBm的总输入功率。
（2）在最小衰减。
（ 3 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输入回波损耗RF （ S11 ）
小信号转换增益RF / IF （ S21 ）
衰减
LO输入驱动器（P
LO
)
镜像抑制
噪声系数（ NF）
隔离LO / RF
输入三阶截取（ IIP3 ）
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
栅极偏置电压（ Vg1,2 ） （ VG4 = -0.8V ）
控制偏置电压（ VG3 ）
电源电流（ ID）（ VD = 4.5V ， V G = -0.5V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dB
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
分钟。
18.0
14.0
DC
-
-
0.0
+12.0
15.0
-
-
-
-
-1.0
-1.5
-
典型值。
-
-
-
10.0
14.0
-
+15.0
25.0
3.5
40.0
+4.0
+4.5
-0.5
-1.2
135
马克斯。
30.0
34.0
4.0
-
-
12.0
+18.0
-
-
-
-
+5.5
0.0
0.0
270
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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接收机测量
XR1002 -QB转换增益（ DBM）
（共23个设备平均）
20
18
16
14
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
17.5
20
23
RF （千兆赫）
26
30
USB增益
LSB增益
红外光谱（ dBc的）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
-5
XR1002 -QB ，镜频抑制（ DBC）
USB
最低位
32
18
20
22
24
26
28
30
32
RF （千兆赫）
[IF=2GHz]
0
-5
-10
-15
红外光谱（ dBc的）
XR1002 -QB ， USB镜像抑制（ DBC）过温
0
-5
-10
-15
红外光谱（ dBc的）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
XR1002 -QB ， LSB镜像抑制（ DBC）过温
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
18
20
22
24
26
28
30
32
RF （千兆赫）
[IF=2GHz]
+25摄氏度
-40摄氏度
+85摄氏度
+25摄氏度
-40摄氏度
+85摄氏度
18
20
22
24
26
28
30
32
RF （千兆赫）
[IF=2GHz]
20
XR1002 -QB ， USB输入IP3 （ dBm的），过温
VG3 = 0.0V ，最大衰减
20
18
XR1002 -QB ， LSB输入IP3 （ dBm的），过温
VG3 = 0.0V ，最大衰减
15
16
14
IIP3 （ dBm的）
10
IIP3 （ dBm的）
+25摄氏度
-40摄氏度
+85摄氏度
12
10
8
6
5
0
4
2
0
+25摄氏度
-40摄氏度
+85摄氏度
18
20
22
24
26
28
30
32
34
-5
18
20
22
24
26
28
30
32
34
RF （千兆赫）
[IF=2GHz]
RF （千兆赫）
[IF=2GHz]
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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接收机测量（续）
XR1002 -QB ， USB噪声系数（dB ），过温
10
9
8
7
NF（ dB）的
6
5
4
3
2
1
0
18
20
22
24
26
28
RF （千兆赫）
[IF=2GHz]
+25摄氏度
-40摄氏度
+85摄氏度
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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物理尺寸
（注：工程代号是30KRP_03A ）
PIN代号
引脚数
3
4
5
8
9
10
11
12
17
18
19
23
24
25
26
27
所有其他引脚
引脚名称
GND
在RF
GND
VG1&2
VG3
GND
IF2Out
GND
GND
罗在
GND
VG4
GND
IF1Out
GND
VD1&2
NC
引脚功能
地
RF输入
地
栅极偏置电压
控制偏置电压
地
IF2输出
地
地
LO输入
地
栅极偏置电压
地
IF1输出
地
漏偏置电压
没有连接
面值
单位
-0.5
-1.2
伏特
伏特
-0.8
伏特
4.5
伏特
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应用笔记[1]偏置
-
此装置与这两个阶段并行操作，并且可以被偏置为低噪声性能或高
动力性能。低噪声偏置名义上是VD = 4.5V ，ID = 135毫安，是推荐的偏置条件。更可控
性能将通过分别偏压V d1和V d2彼此在4.5V ， 65毫安获得。功率偏置可以是高达Vd的= 5.5V，
ID = 270毫安与平行的各个阶段，或大部分控制性能将通过单独的偏置d1和d2彼此在5.5V所得，
135毫安。衰减器偏压， VG3 ，可以从0.0调整到-1.2V与0.0V提供最大衰减量和-1.2V提供
最小衰减。镜像抑制混频器偏置， VG4 ，应名义上是-0.8V ，以尽量减少对混频器性能，低灵敏度
的水平。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了
最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个
单个晶体管或低功率运算放大器，具有串联的漏极供给一个低值电阻器用于检测
电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。所需要的典型栅极电压
要做到这一点-0.5V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请务必测序
施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
81度摄氏
101度摄氏
121度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
65.0
°
C / W
-
6.77E+11
4.09E+10
3.29E+09
1.48E-03
2.44E-02
3.04E-01
偏置条件：
VD = 3.0V ，ID = 135毫安
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
142度摄氏
162度摄氏
182度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
58.9
°
C / W
-
4.11E+08
5.36E+07
8.35E+06
2.43E+00
1.87E+01
1.20E+02
偏置条件：
VD = 5.5V ，ID = 270毫安
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