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33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC
接收器
2007年4月 - 修订版19 -APR- 07
R1001-BD
芯片设备布局
特点
次谐波接收器
9.0分贝转换增益
4.0分贝噪声系数
12.0分贝镜像抑制
100 %的晶片RF , DC和噪声系数测试
100 %目视检查,以MIL -STD- 883
方法2010
MIMIX宽带的33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC接收器有一个小
9.0 dB的信号转换增益为4.0 dB和12.0噪声系数
在整个频段dB的镜像抑制。该装置是两级低噪声放大器
接着是对亚谐波混频器,被配置以形成图像
抑制混频器需要一个LO在15.5-21.5 GHz的。镜像抑制
混频器省去了一个带通滤波器的低噪声放大器之后,除去
在图象频率的热噪声。使用的次谐波混频器的
使得提供的LO的比在基本混频器更容易
这些频率。提供I和Q混频器的输出和一个外部
90度混合,需要选择所需的边带。这MMIC
采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型
技术,并且是基于电子束光刻,以确保
高重复性和均匀性。该芯片具有表面钝化
保护和过孔和黄金提供了一个坚固的部分与背面
金属化,使无论是导电环氧树脂或共晶焊料死亡
重视过程。这个装置是非常适用于毫米波
点至点收音机, LMDS , SATCOM和VSAT应用。
R1001
概述
绝对最大额定值
电源电压( VD)
电源电流(ID)
栅极偏置电压( VG)
输入功率( RF引脚)
存储温度( TSTG )
工作温度(Ta )
通道温度( TCH)
+6.0伏
70毫安
+0.3 VDC
0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
( 3 )通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性(环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围( RF )上边带
频率范围( RF )下边带
频率范围( LO )
频率范围( IF )
输入回波损耗RF ( S11 )
小信号转换增益RF / IF ( S21 ) ( USB / LSB )
2
LO输入驱动器(P
LO
)
镜频抑制( USB / LSB )
2
噪声系数( NF)
隔离LO / RF @ LOX2
为1 dB压缩输入功率( P1dB为)
1
漏极偏置电压(VD )
栅极偏置电压( VG)
电源电流( ID)( VD = 3.0V , V G = -0.5V典型)
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
dB
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
34.0
33.0
15.5
DC
-
3.0/3.0
+10.0
10.0/6.0
-
-
-
-
-1.0
-
典型值。
-
-
-
-
18.0
9.0/9.0
+12.0
14.0/12.0
4.0
45.0
-13.0
+3.0
-0.5
30
马克斯。
40.0
40.0
21.5
3.0
-
-
+14.0
-
-
-
-
+5.5
0.0
60
( 1 )采用恒定电流测量。
( 2 )最小/最大限制在33.0-39.5 GHz的
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页8
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC
接收器
2007年4月 - 修订版19 -APR- 07
R1001-BD
接收机测量
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, USB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 560设备
14
转换增益(dB )
14
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, LSB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 560设备
转换增益(dB )
12
10
8
6
4
2
0
35
36
37
38
射频频率( GHz)的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
39
40
41
12
10
8
6
4
2
0
35
36
37
38
射频频率( GHz)的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
39
40
41
0
-2
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, USB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 560设备
0
-2
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, LSB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 560设备
镜像抑制( DBC)
镜像抑制( DBC)
-4
-6
-8
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-10
-12
-14
-16
-18
-20
35
36
37
38
频率(GHz )
+3sigma
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
39
40
41
35
36
37
38
射频频率( GHz)的
39
40
41
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
XR1001 -BD VD = 3.0 V n = 30毫安
0
RF回波损耗(分贝)
-5
-10
-15
-20
-25
-30
36.0
36.5
37.0
37.5
38.0
38.5
39.0
39.5
40.0
噪声系数(dB )
5.00
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
36.0
XR1001 -BD VD = 3.0 V n = 30毫安
36.5
37.0
37.7
38.0
38.5
39.0
39.5
40.0
频率(GHz )
频率(GHz )
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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接收器
2007年4月 - 修订版19 -APR- 07
R1001-BD
接收机测量(续)
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, USB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 180设备
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
30.5
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
30.5
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, LSB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 180设备
转换增益(dB )
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
转换增益(dB )
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
射频频率( GHz)的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
最大
射频频率( GHz)的
MEDIAN
意味着
-3sigma
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, USB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 180设备
0
镜像抑制( DBC)
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, LSB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 180设备
0
镜像抑制( DBC)
-5
-10
-15
-20
-25
30.5
-5
-10
-15
-20
-25
30.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
射频频率( GHz)的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
最大
射频频率( GHz)的
MEDIAN
意味着
-3sigma
XR1001 -BD VD = 3.0 V,编号= 30 mA时, USB / LSB
LO = + 12.0 dBm时, IF = 1.0千兆赫, RF = -20.0 dBm时, 180设备
0
RF回波损耗(分贝)
-5
-10
-15
-20
-25
30.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
射频频率( GHz)的
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
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2007年4月 - 修订版19 -APR- 07
R1001-BD
0.541
(0.021)
2
机械制图
2.500
(0.099)
1.143
(0.045)
3
R1001
1.285
(0.051)
1
4
0.315
(0.012)
0.0
0.0
6
5
0.541
(0.021)
1.143
(0.045)
2.900
(0.114)
(注:工程代号是38REC_01B2 )
单位:毫米(英寸)粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度: 0.110 +/- 0.010 ( 0.0043 +/- 0.0004 ) ,背面是地面,邦德垫/背面金属:黄金
所有接合焊盘是0.100 X 0.100 ( 0.004 X 0.004 ) 。
接合焊盘的中心大约0.109 ( 0.004 ),从芯片的边缘。
切割公差: +/- 0.005 ( +/- 0.0002 ) 。大约重量: 4.500毫克。
焊盘# 1 ( RF )
焊盘# 2 ( IF2 )
焊盘# 3 ( IF1 )
焊盘# 4 ( LO )
焊盘# 5 ( VD)
焊盘# 6 ( VG)
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
偏置安排
IF2
2
IF1
3
IF2
IF1
R1001
RF
1
RF
XR1001-BD
LO
4
6
5
LO
Vg
Vd
Vg
Vd
第4页8
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
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R1001-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图,该装置是用两个阶段并行操作,
并且可以被偏置为低噪声性能或高功率性能。低噪声偏置名义上是
Vd的= 3V ,编号= 30毫安和是推荐的偏置条件。功率偏置可以是高达Vd的= 5.5V,编号= 60毫安。
此外,还建议使用有源偏置,以保持电流恒定的RF功率和温度
而变化;这给出了最可重复的结果。取决于电源电压提供的电源
耗散的限制,偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器,以
串联在漏极供应一个低值电阻器用于感测电流。所述的pHEMT的栅极是
控制,以保持正确的漏极电流,因此漏极电压。需要做的典型栅极电压
这是-0.5V 。典型地,栅极保护用硅二极管,以限制所施加的电压。此外,请确保
施加正的漏极之前测序所施加的电压,以确保负栅偏压可用
供应量。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫( VD和VG)需要有DC旁路电容
( 100-200 pF)时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容( 0.01 UF)也
推荐使用。
注意:
RF和IF端口AC耦合(片上DC块) , LO端口是直流耦合(在芯片上没有DC模块)。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
84度摄氏
104度摄氏
124度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
318.0
°
C / W
-
7.63E+11
4.79E+10
3.95E+09
1.31E-03
2.09E-02
2.53E-01
偏置条件:
VD = 3.0V ,ID = 30毫安
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
159度摄氏
179度摄氏
199度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
314.8
°
C / W
-
1.39E+08
2.09E+07
3.67E+06
7.18E+00
4.79E+01
2.72E+02
偏置条件:
VD = 5.5V ,ID = 60毫安
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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