【PD55015 - PD55015S射频功率晶体管该LDMOST塑料系列初步数据N沟道增强模式横向M】,IC型号XPD55015S,XPD55015S PDF资料,XPD55015S经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD55015 - PD55015S

射频功率晶体管

该

LDMOST

塑料系列

初步数据

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

POUT = 15瓦13.5 dB增益@ 500兆赫/

12.5V

新的RF塑料包装

描述

该PD55015是一种常见的源N沟道，恩

hancement模式，横向场效应RF功率

晶体管。它是专为高增益，宽频带

商业和工业应用。它的工作

在12V的共源模式下的频率

高达1GHz 。 PD55015拥有出色的增益，

线性ST最新的LDMOS和可靠性技

术中安装的第一个真正的SMD塑料RF

功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD55015的苏

perior线性性能使它成为理想的所谓

lution的车载移动无线电。

该PowerSO - 10塑料封装，专为以下项目的

FER高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，

高功率SMD封装。它已专门

射频需求进行了优化，提供卓越的RF

性能和易于组装。

绝对最大额定值（T

例

= 25

O

C)

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS

I

D

P

DISS

T

j

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70

0

C)

马克斯。工作结温

储存温度

PowerSO-10RF

（形成铅）

订货编号

BRANDING

XPD55015

PD55015

PowerSO-10RF

（直引线）

订货编号

BRANDING

PD55015S

XPD55015S

价值

40

±20

5

73

165

-65至165

单位

V

V

A

W

0

C

0

C

热数据

R

日（J -C ）

2000年5月

结 - 壳热阻

1.3

0

C / W

1/10

PD55015 - PD55015S

电气特性（T

例

= 25

0

C)

STATIC

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

参数

V

DS

= 28 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 150毫安

I

D

= 2.5 A

I

D

= 2.5 A

V

DS

= 12.5 V

V

DS

= 12.5 V

V

DS

= 12.5 V

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

2.0

2.5

89

60

6.5

2.0

分钟。

典型值。

马克斯。

1

1

5.0

0.8

单位

A

A

V

V

姆欧

pF

pF

pF

动态

符号

P

OUT

G

PS

η

D

负载

不匹配

F = 500 MHz的

F = 500 MHz的

F = 500 MHz的

参数

V

DD

= 12.5 V

V

DD

= 12.5 V

V

DD

= 12.5 V

I

DQ

= 150毫安

P

OUT

= 15 W

P

OUT

= 15 W

P

OUT

= 15 W

I

DQ

= 150毫安

I

DQ

= 150毫安

I

DQ

= 150毫安

20:1

分钟。

15

13.5

50

典型值。

马克斯。

单位

W

dB

%

VSWR

F = 500 MHz的

V

DD

= 15.5 V

所有相位角

引脚连接

来源

D

Z

DL

门

漏

G

寻

典型输入

阻抗

典型的漏

负载阻抗

SC15200

SC13140

S

PD55015

频率

兆赫

480

500

520

寻

阻抗数据

PD55015S

ZDL

频率

兆赫

480

500

520

寻

ZDL

2.13 - j1.09

1.95 - j.31

1.83 - j.70

1.55 + j.34

1.63 - j.25

1.43 + j.30

1.43 - j1.27

1.62 - j1.05

1.57 - j.91

1.47 + j.65

1.49 + j.58

1.35 +j.36

2/10

PD55015 - PD55015S

典型性能

电容与漏极电压

1000

漏极电流与栅极电压

4

3.5

ID ，漏电流（ A）

C，电容（pF ）

3

2.5

2

1.5

1

V

DS

= 10V

100

西塞

科斯

10

CRSS

f=1MHz

1

0

5

10

15

20

25

0.5

0

2.5

3

3.5

4

4.5

5

VDS ，漏极 - 源极电压（ V）

VGS ，栅源电压（V ）

门源Volatge与外壳温度

VGS ，栅源电压（归）

1.04

1.02

I

D

= 3A

I

D

= 2A

1

I

D

= 1.5A

0.98

V

DS

= 10V

I

D

= 1A

I

D

=

.25A

0.96

-25

0

25

50

75

TC ，外壳温度（ ° C）

3/10

PD55015 - PD55015S

典型性能

输出功率与输入功率

18

16

480M

Hz

520MHz

PD55015

功率增益与输出功率

18

噘嘴，输出功率（ W）

GP ，功率增益（分贝）

14

12

10

8

6

4

2

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150m

A

500MHz

16

480MHz

14

500MHz

12

520MHz

10

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

8

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

引脚，输入功率（ W）

噘嘴，输出功率（ W）

漏极效率与输出功率

70

480MHz

回波损耗与输出功率

0

60

第二，漏极效率（％）

480MHz

RTL ，回波损耗（分贝）

50

-10

500MHz

40

520MHz

-20

500MHz

30

20

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150m

A

520MHz

-30

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

10

0

0

2

4

6

8

10

12

-40

14

16

18

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

噘嘴，输出功率（ W）

噘嘴，输出功率（ W）

输出功率与偏置电流

20

480MHz

漏极效率与偏置电流

70

500MHz

噘嘴，输出功率（ W）

第二，漏极效率（％）

18

500MHz

60

16

520MHz

480MHz

14

50

520MHz

12

40

V

DD

=12.5V

Pin=0.8W

10

V

DD

=12.5V

Pin=0.8W

8

0

200

400

600

800

1000

30

0

200

400

600

800

1000

IDQ ，偏置电流（毫安）

IDQ ，偏置电流（毫安）

4/10

PD55015 - PD55015S

典型性能

输出功率与漏极电压

25

500MHz

排水工作功率与漏极电压

70

500MHz

噘嘴，输出功率（ W）

20

480MHz

第二，漏极效率（％）

60

520MHz

480MHz

15

520MHz

50

10

40

Idq=150mA

Pin=0.8W

5

Idq=150mA

Pin=0.8W

0

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

30

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

VDS ，漏极 - 源极电压（ V）

VDS ，漏极 - 源极电压（ V）

输出功率与栅极偏置电压

20

480MHz

输出功率与输入功率

18

16

480MHz

PD55015S

噘嘴，输出功率（ W）

噘嘴，输出功率（ W）

15

14

520MHz

12

10

8

6

4

2

0

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

500MHz

520MHz

10

500MHz

5

V

DD

=12.5V

Pin=0.8W

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

VGS ，栅极偏置电压（ V）

引脚，输入功率（ W）

功率增益与输出功率

18

漏极效率与输出功率

70

500MHz

480MHz

60

第二，漏极效率（％）

16

500MHz

GP ，功率增益（分贝）

50

480MHz

520MHz

14

520MHz

40

12

30

20

10

V

DD

=12.5V

I

DQ

-150毫安

10

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

8

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

噘嘴，输出功率（ W）

噘嘴，输出功率（ W）

5/10

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