【PD54003 - PD54003S射频功率晶体管该LDMOST塑料系列初步数据N沟道增强模式横向M】,IC型号XPD54003,XPD54003 PDF资料,XPD54003经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD54003 - PD54003S

射频功率晶体管

该

LDMOST

塑料系列

初步数据

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

POUT = 3 W ，12 dB增益@ 500兆赫/ 7.5V

新的RF塑料包装

描述

该PD5400是共源N沟道，恩

hancement模式，横向场效应RF功率

晶体管。它是专为高增益，宽频带

商业和工业应用。它的工作

在7V的共源模式下的频率

高达1GHz 。 PD54003拥有出色的增益，

线性ST最新的LDMOS和可靠性技

术中安装的第一个真正的SMD塑料RF

功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD54003的苏

perior线性性能使它成为理想的所谓

lution用于便携式无线电。

该PowerSO - 10塑料封装，专为以下项目的

FER高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，

高功率SMD封装。它已专门

射频需求进行了优化，提供卓越的RF

性能和易于组装。

PowerSO-10RF

（形成铅）

订货编号

BRANDING

XPD54003

PD54003

PowerSO-10RF

（直引线）

订货编号

BRANDING

PD54003S

XPD54003S

绝对最大额定值（T

例

= 25

O

C)

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS

I

D

P

DISS

T

j

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70

0

C)

马克斯。工作结温

储存温度

价值

25

±20

4

52.8

165

-65至165

单位

V

V

A

W

0

C

0

C

热数据

R

日（J -C ）

2000年5月

结 - 壳热阻

1.8

0

C / W

1/10

PD54003 - PD54003S

电气特性（T

例

= 25

0

C)

STATIC

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

参数

V

DS

= 25 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 50毫安

I

D

= 1 A

I

D

= 1 A

V

DS

= 7.5 V

V

DS

= 7.5 V

V

DS

= 7.5 V

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

1.5

59

43

4.0

2.0

分钟。

典型值。

马克斯。

1

1

5.0

1.3

单位

A

A

V

V

姆欧

pF

pF

pF

动态

符号

P

OUT

G

PS

η

D

负载

不匹配

F = 500 MHz的

F = 500 MHz的

F = 500 MHz的

参数

V

DD

= 7.5 V

V

DD

= 7.5 V

V

DD

= 7.5 V

I

DQ

= 50毫安

P

OUT

= 3 W

P

OUT

= 3 W

P

OUT

= 3 W

I

DQ

= 50毫安

I

DQ

= 50毫安

I

DQ

= 50毫安

20:1

分钟。

3

12

55

典型值。

马克斯。

单位

W

dB

%

VSWR

F = 500 MHz的

V

DD

= 9.5 V

所有相位角

引脚连接

来源

D

Z

DL

门

漏

G

寻

典型输入

阻抗

典型的漏

负载阻抗

SC15200

SC13140

S

PD54003

频率

兆赫

520

500

480

寻

阻抗数据

PD54003S

ZDL

频率

兆赫

520

500

480

寻

ZDL

1.993 - j1.098

1.553 - j1.251

2.245 - j0.077

2.564 + j0.656

2.661 + j0.139

3.436 + j1.013

1.534 - j2.104

1.209 - j2.451

1.400 - j3.986

2.524 + j2.369

3.192 + j3.147

2.805 + j2.724

2/10

PD54003 - PD54003S

典型性能

电容与漏极电压

1000

F = 1MHz的

漏极电流与栅极电压

8

7

ID ，漏极电流（ A）

Vds=10V

C，电容（pF ）

6

5

4

3

2

1

100

西塞

科斯

10

CRSS

1

0

5

10

15

VDD ，漏极电压（V ）

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

VGS ，栅源电压（V ）

栅源电压与外壳温度

VGS ，栅源电压（归）

1.06

1.04

1.02

1

I

D

=1.5A

0.98

0.96

Vds=10V

I

D

= 2A

I

D

=1 A

0.94

0.92

-25

I

D

=0.5A

I

D

= 0.25A

0

25

50

75

100

TC ，外壳温度（ ° C）

3/10

PD54003 - PD54003S

典型性能

输出功率与输入功率

PD54003

功率增益与输出功率

16

480MHz

5

噘嘴，输出功率（ W）

4

480MHz

14

PG ，功率增益（分贝）

500MHz

520MHz

3

500MHz

12

520MHz

2

Vdd=7.5V

IDQ = 50毫安

10

Vdd=7.5V

Idq=50mA

1

8

0

0

0.1

0.2

引脚，输入功率（ W）

6

0.3

0.4

0

1

2

3

4

噘嘴，输出功率（ W）

漏极效率与输出功率

80

70

第二，漏极效率（％）

520MHz

480MHz

回波损耗与输出功率

0

RTL ，回波损耗（分贝）

60

50

40

30

20

10

0

1

2

3

4

噘嘴，输出功率（ W）

Vdd=7.5V

Idq=50mA

500MHz

-10

480M

Hz

-20

-30

VDD = 7.5 V

Idq=50mA

520MHz

500MHz

-40

0

1

2

3

4

噘嘴，输出功率（ W）

输出功率与偏置电流

漏极效率与偏置电流

70

3.8

3.7

噘嘴，输出功率（ W）

500MHz

480MHz

60

第二，漏极效率（％）

500MHz

520MHz

3.6

3.5

3.4

3.3

3.2

3.1

3

2.9

0

100

200

300

400

500

600

700

800

IDQ ，偏置电流（毫安）

Pin=23.3dBm

Vdd=7.5V

480MHz

50

40

30

20

10

0

100

200

300

400

500

520MHz

PIN = 23.3 dBm的

Vdd=7.5V

600

700

800

IDQ ，偏置电流（毫安）

4/10

PD54003 - PD54003S

典型性能

输出功率与电源电压

5.5

5

噘嘴，输出功率（ W）

480MHz

漏极效率与电源电压

70

480M

Hz

4.5

4

3.5

520MHz

500M

Hz

第二，漏极效率（％）

60

500MHz

50

40

520M

Hz

3

2.5

2

1.5

5

6

7

8

9

10

VDD ，电源电压（V ）

Pin=23.3dBm

Idq=50mA

30

Pin=23.3dBm

Idq=50mA

20

5

6

7

8

9

10

VDD ，电源电压（V ）

输出功率与栅源电压

5

输出功率与输入功率

5

480MHz

500MHz

PD54003S

噘嘴，输出功率（ W）

噘嘴，输出功率（ W）

4

480MHz

4

520MHz

3

500MHz

520MHz

3

2

2

1

Pin=23.3dBm

Vdd=7.5V

1

Vdd=7.5V

Idq=50mA

0

0

1

2

3

4

VGS ，栅源电压（V ）

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

引脚，输入功率（ W）

功率增益与输出功率

16

480MHz

漏极效率与输出功率

70

520M

Hz

14

PG ，功率增益（分贝）

第二，效率（％）

60

50

500MHz

12

480MHz

500MHz

520MHz

40

30

20

10

10

8

Vdd=7.5V

Idq=50mA

VDD = 7.5 V

Idq=50mA

6

0

1

2

3

4

噘嘴，输出功率（ W）

0

1

2

3

4

噘嘴，输出功率（ W）

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