【复合晶体管XP5555NPN硅外延平面晶体管单位：mm0.4251.25±0.10.4250.2±0】,IC型号XP5555,XP5555 PDF资料,XP5555经销商,ic,电子元器件-51电子网

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复合晶体管

XP5555

NPN硅外延平面晶体管

单位：mm

0.425

1.25±0.1

0.425

0.2±0.05

对于高速开关

2.1±0.1

0.65

q

q

两个元素合并到一个包中。

由一个半减少安装面积和装配成本。

2.0±0.1

s

特点

0.65

1

2

3

6

5

4

0.9±0.1

q

2SC4782

×

2元

0.7±0.1

0-0.1

0.2±0.1

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

等级

发射器基极电压

of

元集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

符号

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CP

P

T

T

j

T

英镑

(Ta=25C)

评级

25

20

5

200

300

150

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

1 ：发射器（ Tr1的）

2 ：基地（ Tr1的）

3 ：基地（ TR2）

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：发射器（ TR2）

6 ：收集器（ Tr1的）

EIAJ ： SC -88

S-迷你型包装（ 6针）

标记符号：

EO

内部连接

1

Tr1

6

5

4

C

C

2

3

Tr2

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

打开-O FF时间

贮存时间

*1

(Ta=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

C

ob

t

on

t

关闭

t

英镑

*1

条件

V

CB

= 10V ，我

E

= 0

V

EB

= 4V ，我

C

= 0

V

CE

= 1V ，我

C

= 10毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= -10mA ， F = 200MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

民

典型值

最大

0.1

0.1

0.12

–0.02

s

元素的基本型号

0.2

+0.05

单位

A

A

40

0.17

0.76

200

2

17

15

7

200

0.25

1.0

500

4

V

V

兆赫

pF

ns

ns

ns

切换时间测量电路

1

复合晶体管

切换时间测量电路

t

on

, t

关闭

测试电路

0.1F

V

OUT

220

V

in

=10V

50

V

bb

=–3V

3.3k

3.3k

50

V

in

=10V

V

cc

=3V

50

V

bb

=2V

A

0.1F

910

500

500

XP5555

t

英镑

测试电路

0.1F

1k

90

V

OUT

V

cc

=10V

在波形图

V

in

10%

10%

90%

90%

t

on

t

关闭

V

in

10%

V

OUT

V

OUT

t

英镑

10%

P

T

- TA

250

240

I

C

— V

CE

10

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

Ta=25C

I

C

/I

B

=10

总功耗P

T

（ mW）的

集电极电流I

C

（MA ）

200

200

1

160

I

B

=3.0mA

120

2.5mA

2.0mA

80

1.5mA

1.0mA

40

0.5mA

150

Ta=75C

0.1

–25C

25C

100

0.01

50

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.001

1

10

100

1000

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

V

BE （ SAT ）

— I

C

100

I

C

/I

B

=10

300

h

FE

— I

C

6

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=1V

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

250

5

10

200

Ta=75C

150

25C

–25C

4

25C

1

Ta=–25C

75C

3

100

2

0.1

50

1

0.01

1

10

100

1000

0

0.1

0

1

10

100

1

10

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

集电极基极电压V

CB

(V)

2

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联系人：连

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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14+

672200

SOT163

全新原装正品/质量有保证

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

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