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XP202A0003PR-G
P沟道4V (G -S )的MOSFET
ETR1129-003
■特点
ULOW
抗性
※超
高速开关
4V
主动
:欧洲联盟
符合RoHS ,无铅
●应用
■用途
开关
“产品
名字
产品名称
SOT-89
订货单位
1,000/Reel
XP202A0003PR-G
*
在“ -G ”后缀表明该产品是卤素和
无锑以及作为完全符合RoHS标准。
*
高熔点焊料膏(含有铅)作为附件。
“绝对
最大额定值
Parmeter
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
通道温度
储存温度
( 1)
( 1)
( 2)
CON组fi guration
符号
评级
单位
信道功率耗散
*
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
Pd
总胆固醇
TSTG
-30
±20
-5
-20
1.5
+150
- 55 ~ +150
V
V
A
A
W
1.Gate
2.Drain
3.Source
* PW ≦为10μs ,占空比≦ 1 %
( 2)
2
*陶瓷板( 250毫米
×0.8mm)
MOUNTING
SOT- 89 ( TOP VIEW )
电气特性
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入容量
输出容量
反馈能力
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
全部栅极电荷量
门源电荷量
栅漏极电荷量
二极管的正向电压
符号
测试条件
范围
分钟。
-30
-
-
-1.2
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
8.0
47
70
80
450
110
80
7
8
31
6
10
1.5
2.5
-0.9
马克斯。
-
-1
±10
-2.6
-
59
100
113
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
单位
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| YFS |
R
DS ( ON)
1
R
DS ( ON)
2
R
DS ( ON)
3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
V
SD
I
D
= -1mA ,V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=±16V,V
DS
=0V
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
V
DS
=-10V,I
D
=-3A
I
D
=-3A,V
GS
=-10V
I
D
=-1.5A,V
GS
=-4.5V
I
D
=-1.5A,V
GS
=-4V
V
DS
=-10V,f=1MHz
V
DS
=-10V,f=1MHz
V
DS
=-10V,f=1MHz
V
μA
μA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
I
S
= -5A ,V
GS
=0V
1/5
XP202A0003PR-G
■开关-TIME
测试电路
0V
S
90%
50Ω
VI
G
VI
10%
0V
90%
90%
D
示波器
VO
VO
10%
10%
TD (关闭) TF
RL
TD (上) TR
示波器
●等效
电路
Packaging
信息
●SOT-89
(0.4)
(0.1)
1.0±0.2
■标识
规则
代表产品系列
标志
产品系列
6
XP202*******-G
② ③
代表产品类别和数量
标志
1
2
3
A
D
产品
00
产品
03
1.5±0.1
4.0±0.25
2.5±0.1
产品系列
XP202A0003**-G
④,⑤
代表生产批号
0 9 , 0A到0Z , 11 9Z , A1到A9 , AA为Z9 , ZA为ZZ重复( G,I ,J , O, Q,W除外)
*用于没有字符倒置
2/5
XP202A0003PR-G
Typical
性能特点
( 1 )漏电流和漏源电压
XP202A0003PR
-5.0
-4.5
漏电流
I
D
(A)
-4.0
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-4.0V
-3.5V
-3.0V
V
GS
= -2.5V
漏电流
I
D
(A)
TA = 25
( 2 )漏电流和漏源电压
XP202A0003PR
-6.0
-5.5
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.0
V
DS
= -10V
脉冲测试
-3.5
-16.0V
-10.0V
-6.0V
-4.5V
TA = 75
TA = 25
TA = -25
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
( 3 )漏源导通电阻与
栅源电压
XP202A0003PR
200
静态漏源导通状态
阻力
R
DS
(上)
(½
)
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
-2
I
D
= -1.5A
-4
-6
-8
-10 -12 -14 -16
I
D
= -3.0A
TA = 25
( 4 )漏源导通电阻与
环境温度
XP202A0003PR
140
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上)
(½)
120
100
80
60
40
20
0
-50 -25
V
GS
= -10V ,我
D
= -3A
V
GS
= -4.0V ,我
D
= -1.5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -1.5A
0
25
50
75
100 125 150
栅极 - 源极电压
V
GS
(V)
环境温度
TA(
)
( 5 )正向转移导纳主场迎战漏电流
XP202A0003PR
100
正向转移导纳
| YFS | ( S)
TA = -25
10
Ta=25
V
DS
= -10V
( 6 )源电流和二极管的正向电压
XP202A0003PR
10
TA = 75
源电流:我
S
(A)
1
TA = 25
0.1
V
GS
= 0V
1
Ta=75
0.1
0.01
TA = -25
0.01
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
0.1
1
10
漏电流
I
D
(A)
二极管FORW ARD电压
V
SD
(V)
3/5
XP202A0003PR-G
( 7 )开关时间与漏电流
XP202A0003PR
100
开关时间: T( NS )
V
GS
= -10V, V
DS
= -15V
( 8 )西塞,科斯,主场迎战的Crss漏源电压
XP202A0003PR
1000
西塞
西塞,科斯,的Crss (PF )
f=1MHz
TD (关闭)
tf
10
TD (上)
tr
100
科斯
CRSS
1
0.1
1
漏电流
I
D
(A)
10
10
0
5
10
15
20
25
30
漏 - 源极电压
V
DS
(V)
( 9 )栅源电压与栅极电荷
XP202A0003PR
-10
栅源电压: V
GS
(V)
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
= -15V
I
D
= -5A
安全操作(10 )区
XP202A0003PR
100
在这一领域是
I
D
=-20A
limitedby
DS
(上)
漏电流:
D
(A)
I
10
I
D
=-5A
0.1ms
1
1ms
10ms
100ms
1000ms
直流操作
0.1
Ta=25
o
C
单脉冲
当安装在陶瓷基板
(250mm
2
X 0.8毫米)
0.01
0.01
0.1
1
10
100
栅极电荷
QG ( NC )
漏源电压: V
DS
(V)
4/5
XP202A0003PR-G
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注意提高性能。
咨询我们,或我们的代表
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这种设备故障,其故障可以合理预期,直接
危及生命,或引起显著伤害,该用户。
(如原子能,航空航天,交通运输,燃烧和相关的安全
它们的设备。 )
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联系人:销售部1部
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