XP162A12A6PR-G
功率MOSFET
ETR1126_003
■一般
描述
该XP162A12A6PR -G是一个P沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。
栅极保护二极管内置防止静电损坏。
小型SOT- 89封装，使高密度安装成为可能。
■应用
笔记本
个
（蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.17Ω @ VGS = -4.5V
： RDS（ON） = 0.3Ω @ VGS = -2.5V
超高速开关
Dribing电压
: -2.5V
栅极保护二极管内置
P沟道功率MOSFET
DMOS结构
小型封装
： SOT- 89
环保
：欧盟RoHS指令，无铅
针
配置/
记号
G：门
S：源
D：漏
1
x
“产品
名字
制品
XP162A12A6PR
XP162A12A6PR-G
(*)
(*)
包
SOT-89
SOT-89
订货单位
1,000/Reel
1,000/Reel
2
2
在“ -G ”后缀表示卤素和无锑以及
是完全符合RoHS标准。
* x表示的生产批号。
“绝对
最大额定值
TA = 25°
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
储存温度
符号额定值单位
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
-20
±12
-2.5
-10
-2.5
2
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
●等效
电路
*当在陶瓷PCB实现
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XP162A12A6PR-G
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