XP162A11C0PR
◆
◆
◆
◆
◆
◆
P沟道功率MOS FET
DMOS结构
低导通电阻： 0.28
（最大）
超高速开关
栅极保护二极管内置
SOT - 89封装
功率MOS FET
■
●
●
●
●
应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
锂 - 离子电池系统
■
概述
该XP162A11COPR是P沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地
置，从而节省能源。
为了对付静电，栅极保护二极管被内置。
小型SOT- 89封装，使高密度安装成为可能。
■
特点
低导通电阻：
RDS（ON） = 0.15Ω （ VGS = -10V ）
RDS（ON） = 0.28Ω （ VGS = -4.5V ）
超高速开关
工作电压：
-4.5V
栅极保护二极管内置
高密度安装：
SOT - 89
■
引脚配置
■
引脚分配
引脚数
1
2
3
引脚名称
G
D
S
功能
门
漏
来源
u
1
G
2
D
3
S
SOT - 89顶视图
■
等效电路
■
绝对最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
连续通道
功耗（注）
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
-30
+ 20
-2.5
-10
-2.5
2
150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
O
1
2
P - 沟道MOS FET
（ 1装置内置）
3
通道温度
储存温度
C
C
O
（注） ：当在陶瓷PCB实现
510
■
电气特性
DC特性
Ta=25°C
参数
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏源导通电阻
（注）
正向转移导纳
（注）
续流保护二极管
正向电压
（注） ：脉冲测试期间有效。
符号
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
RDS（ON）
| YFS |
Vf
条件
VDS = - 30 ， VGS = 0V
VGS =
±
20 ， VDS = 0V
ID = -1mA ， VDS = - 10V
ID = - 1.5A ， VGS = - 10V
ID = - 1.5A ， VGS = - 4.5V
ID = - 1.5A ， VDS = - 10V
如果= - 2.5A ， VGS = 0V
- 1.0
0.11
0.2
2.5
- 0.85
- 1.1
民
典型值
最大
- 10
±
10
- 2.5
0.15
0.28
单位
A
A
V
S
V
动态特性
Ta=25°C
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
VDS = - 10V ， VGS = 0V
F = 1 MHz的
条件
民
典型值
280
200
90
最大
单位
pF
pF
pF
u
开关特性
Ta=25°C
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
VGS = - 5V ，ID = - 1.5A
VDD = - 10V
条件
民
典型值
10
30
20
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
（通道 - 周边）
符号
RTH （ CH - 一）
条件
实现在陶瓷
PCB
民
典型值
62.5
最大
单位
°C
/ W
511
■
电气特性
漏极/源极电压与电容
1000
VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒，占空比≦ 1 ％以下，Ta = 25 ℃
电容：C （PF ）
开关时间： T（ NS ）
西塞
科斯
100
tf
100
CRSS
tr
TD （关闭）
10
TD （上）
10
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
漏/源极电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅极/源极电压与栅极电荷
-10
VDS = -10V ，ID = -2.5A ， TA = 25 ℃
反向漏电流与源极/漏极电压
-10
TA = 25 ℃时，脉冲测试
栅极/源极电压：栅极电压（V ）
-8
反向漏电流： Im额定（A）
-8
-6
-6
-4.5V
u
-4
-4
的Vgs = 0V ， 4.5V
-2
-2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
栅极电荷Qg （ NC ）
源极/漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
1
RTH （ CH- A）= 62.5 ℃ / W ， （实现在陶瓷PCB ）
0.1
单脉冲
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （ S）
513
XP162A11C0PR
◆
◆
◆
◆
◆
◆
P沟道功率MOS FET
DMOS结构
低导通电阻： 0.28
（最大）
超高速开关
栅极保护二极管内置
SOT - 89封装
功率MOS FET
■
●
●
●
●
应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
锂 - 离子电池系统
■
概述
该XP162A11COPR是P沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地
置，从而节省能源。
为了对付静电，栅极保护二极管被内置。
小型SOT- 89封装，使高密度安装成为可能。
■
特点
低导通电阻：
RDS（ON） = 0.15Ω （ VGS = -10V ）
RDS（ON） = 0.28Ω （ VGS = -4.5V ）
超高速开关
工作电压：
-4.5V
栅极保护二极管内置
高密度安装：
SOT - 89
■
引脚配置
■
引脚分配
引脚数
1
2
3
引脚名称
G
D
S
功能
门
漏
来源
u
1
G
2
D
3
S
SOT - 89顶视图
■
等效电路
■
绝对最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
连续通道
功耗（注）
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
-30
+ 20
-2.5
-10
-2.5
2
150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
O
1
2
P - 沟道MOS FET
（ 1装置内置）
3
通道温度
储存温度
C
C
O
（注） ：当在陶瓷PCB实现
510
■
电气特性
DC特性
Ta=25°C
参数
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏源导通电阻
（注）
正向转移导纳
（注）
续流保护二极管
正向电压
（注） ：脉冲测试期间有效。
符号
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
RDS（ON）
| YFS |
Vf
条件
VDS = - 30 ， VGS = 0V
VGS =
±
20 ， VDS = 0V
ID = -1mA ， VDS = - 10V
ID = - 1.5A ， VGS = - 10V
ID = - 1.5A ， VGS = - 4.5V
ID = - 1.5A ， VDS = - 10V
如果= - 2.5A ， VGS = 0V
- 1.0
0.11
0.2
2.5
- 0.85
- 1.1
民
典型值
最大
- 10
±
10
- 2.5
0.15
0.28
单位
A
A
V
S
V
动态特性
Ta=25°C
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
VDS = - 10V ， VGS = 0V
F = 1 MHz的
条件
民
典型值
280
200
90
最大
单位
pF
pF
pF
u
开关特性
Ta=25°C
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
VGS = - 5V ，ID = - 1.5A
VDD = - 10V
条件
民
典型值
10
30
20
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
（通道 - 周边）
符号
RTH （ CH - 一）
条件
实现在陶瓷
PCB
民
典型值
62.5
最大
单位
°C
/ W
511
■
电气特性
漏极/源极电压与电容
1000
VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒，占空比≦ 1 ％以下，Ta = 25 ℃
电容：C （PF ）
开关时间： T（ NS ）
西塞
科斯
100
tf
100
CRSS
tr
TD （关闭）
10
TD （上）
10
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
漏/源极电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅极/源极电压与栅极电荷
-10
VDS = -10V ，ID = -2.5A ， TA = 25 ℃
反向漏电流与源极/漏极电压
-10
TA = 25 ℃时，脉冲测试
栅极/源极电压：栅极电压（V ）
-8
反向漏电流： Im额定（A）
-8
-6
-6
-4.5V
u
-4
-4
的Vgs = 0V ， 4.5V
-2
-2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
栅极电荷Qg （ NC ）
源极/漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
1
RTH （ CH- A）= 62.5 ℃ / W ， （实现在陶瓷PCB ）
0.1
单脉冲
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （ S）
513
XP162A11C0PR
功率MOSFET
ETR1125_001
■一般
描述
该XP162A11C0PR是一个P沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。
栅极保护二极管内置防止静电损坏。
小型SOT- 89封装，使高密度安装成为可能。
■应用
笔记本
个
（蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.15Ω @ VGS = -10V
： RDS（ON） = 0.28Ω @ VGS = -4.5V
超高速开关
驱动电压
: -4.5V
栅极保护二极管内置
P沟道功率MOSFET
DMOS结构
小型封装
： SOT- 89
针
CON组fi guration
针
转让
针
数
1
2
3
针
名字
G
D
S
功能
门
漏
来源
●等效
电路
“绝对
最大额定值
TA = 25°
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
存储温度范围
符号等级
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
-30
±20
-2.5
-10
-2.5
2
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
*当在陶瓷PCB实现
1/5
XP162A11C0PR
1.本文中所包含的产品和产品规格如有变更，恕不
注意提高性能。
咨询我们，或我们的代表
在使用前，要确认本产品目录中的信息是最新的。
2.我们不承担任何侵犯专利的，专利权或其它概不负责
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保护）的生效本产品目录中所列的设备使用的产品。
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设备发生故障，其故障可以合理预期，直接
危及生命，或引起显著伤害，该用户。
（如原子能，航空航天，交通运输，燃烧和相关的安全
它们的设备。 ）
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如果您希望使用的产品状况超出规格下，
请咨询我们或我们的代表。
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5/5
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