【XP152A12COMR20V P沟道增强型MOSFETVDS = -20VRDS （ ON ），】,IC型号XP152A12COMR,XP152A12COMR PDF资料,XP152A12COMR经销商,ic,电子元器件-51电子网

XP152A12COMR

20V P沟道增强型MOSFET

VDS = -20V

RDS （ ON ）， Vgs@-4.5V ， Ids@-2.8A

RDS （ ON ）， Vgs@-2.5V ， Ids@-2.0A

130m

190m

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

包装尺寸

SOT-23(PACKAGE)

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.40

2.80

1.40

1.60

0.35

0.50

0.10

0.45

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

0°

10°

最大额定值和热特性（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

符号

极限

单位

TA = 25

TA = 75

-20

±8

-2.2

-8

1.25

0.8

-55到150

100

166

, T

英镑

thJA

工作结存储温度范围

结至环境热阻（PCB安装）

C / W

笔记

脉冲宽度有限的最高结温。

表面安装在FR4板，T

5秒。

表面安装在FR4板。

１

金隅

半导体

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Ｄ½½½：２０１１／０５

XP152A12COMR

20V P沟道增强型MOSFET

电气特性

参数

STATIC

漏源击穿电压

漏源导通电阻

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流0

门体漏

正向跨导

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

马克斯。二极管的正向电流

二极管的正向电压

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

= 0V时，我

= -250uA

= -4.5V ，我

= -2.8A

= -2.5V ，我

= -2.0A

, I

= -250uA

= -20V, V

= 0V

= -20V, V

= 0V TJ = 55

= ± 8V, V

= 0V

= -5V ，我

= -2.8A

-20

105

145

-0.45

-1

130

190

-10

±100

6.5

D（上）

5.8

= -6V ，我

-2.8A

= -4.5V

1.7

= -6V ，RL = 6Ω

-1.A ，V

根

= -4.5V

= 6

415

= -6V, V

= 0V

223

F = 1.0 MHz的

0.85

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

= -1.6A ，V

= 0V

-0.8

-1.6

-1.2

脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，值班cycle< = 2 ％

２

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20V P沟道增强型MOSFET

输出特性

= 5, 4.5, 4, 3.5, 3 V

I D - 漏电流（ A）

2.5 V

I D - 漏电流（ A）

= - 55_C

传输特性

25_C

125_C

0, 0.5, 1 V

1.5 V

- 漏极至源极电压（ V）

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

- 栅极 - 源极电压（ V）

0.6

0.5

R DS（ON ） - 导通电阻（

)

0.4

0.3

导通电阻与漏电流

1000

电容

800

- 电容（pF ）

600

国际空间站

400

OSS

200

RSS

= 2.5 V

0.2

= 4.5 V

0.1

0.0

- 漏电流（ A）

- 漏极至源极电压（ V）

= 6 V

= 2.8 A

V GS - 栅极 - 源极电压（ V）

栅极电荷

1.8

1.6

R DS（ON ） - 导通电阻（

)

（归一化）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

- 50

导通电阻与结温

= 4.5 V

= 2.8 A

100

150

- 总栅极电荷（ NC）

- 结温（ ° C）

３

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20V P沟道增强型MOSFET

源极 - 漏极二极管正向电压

导通电阻与栅极至源极电压

0.6

0.5

R DS（ON ） - 导通电阻（

)

I S - 源电流（ A）

= 150_C

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

= 2.8 A

= 25_C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 源极到漏极电压（V ）

- 栅极 - 源极电压（ V）

0.4

0.3

V GS （ TH）方差（V ）

0.2

0.1

0.0

- 0.1

- 0.2

- 50

阈值电压

功率（W）的

单脉冲功率

= 250

= 25_C

单脉冲

- 温度（℃ ）

100

150

0.01

0.10

1.00

时间（秒）

10.00

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

归瞬态热阻抗，结到环境

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

-3

-2

-1

0.1

0.01

-4

方波脉冲持续时间（秒）

４

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XP152A12C0MR

◆

P沟道功率MOS FET

DMOS结构

低导通电阻： 0.3

（最大）

超高速开关

栅极保护二极管内置

SOT - 23封装

功率MOS FET

■

●

应用

笔记本电脑

携带电话

上 - 板电源

锂 - 离子电池系统

■

概述

该XP152A12C0MR是P沟道功率MOS FET的低通态

电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地

置，从而节省能源。

为了对付静电，栅极保护二极管被内置。

小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。

■

特点

低导通电阻：

RDS（ON） = 0.3Ω （ VGS = -4.5V ）

RDS（ON） = 0.5Ω （ VGS = -2.5V ）

超高速开关

栅极保护二极管内置

工作电压：

-2.5V

高密度安装：

SOT - 23

■

引脚配置

■

引脚分配

引脚数

引脚名称

功能

门

来源

漏

SOT - 23顶视图

■

等效电路

■

绝对最大额定值

Ta=25

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

连续通道

功耗（注）

符号

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

评级

-20

+ 12

-0.7

-2.8

-0.7

0.5

150

-55到150

单位

P - 沟道MOS FET

（ 1装置内置）

通道温度

储存温度

（注）：当在陶瓷PCB实现

474

■

电气特性

DC特性

参数

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻

（注）

正向转移导纳

（注）

续流保护二极管

正向电压

（注）：脉冲测试期间有效。

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS（ON）

| YFS |

条件

VDS = - 20 ， VGS = 0V

VGS =

12 ， VDS = 0V

ID = -1mA ， VDS = - 10V

ID = - 0.4A ， VGS = - 4.5V

ID = - 0.4A ， VGS = - 2.5V

ID = - 0.4A ， VDS = - 10V

如果= - 0.7A ， VGS = 0V

- 0.5

0.23

0.37

1.5

-0.8

- 1.1

民

典型值

最大

- 10

Ta=25°C

单位

- 1.2

0.3

0.5

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = - 10V ， VGS = 0V

F = 1 MHz的

条件

民

典型值

180

120

最大

Ta=25°C

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = - 5V ，ID = - 0.4A

VDD = - 10V

条件

民

典型值

最大

Ta=25°C

单位

热特性

参数

热阻

（通道 - 周边）

符号

RTH （ CH - 一）

条件

实现在陶瓷

PCB

民

典型值

250

最大

单位

°C

/ W

475

XP152A12C0MR

■

电气特性

漏极电流与漏极/源极电压

-3

-5V

-3.5V

-2.5V

-3V

TA = 25 ℃时，脉冲测试

功率MOS FET

漏极电流与栅极/源极电压

-3

-2.5

VDS = -10V ，脉冲测试

-2.5

25℃

Ta=-55℃

-4.5V

-4V

漏电流： ID（ A）

-2

-1.5

漏电流： ID（ A）

-2

125℃

-1.5

-1

-0.5

-2V

-1

-0.5

Vgs=-1.5V

-0.5

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

-0.5

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

漏/源极电压： Vds的（V ）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏/源极导通电阻与栅极/源极电压

0.8

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏/源通态电阻与漏电流

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏/源通态电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.6

漏/源通态电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs=-2.5V

0.4

-0.4A

Id=-0.7A

-4.5V

0.2

-2

-4

-6

-8

-10

0.1

-0.5

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏/源通态电阻与环境温度

0.8

脉冲测试

栅/源切断电压变化与环境温度

0.4

VDS = -10V ，ID = -1mA

0.6

Id=-0.7A

Vgs=-2.5V

栅/源截止电压差异

：栅极电压（关）方差（V ）

150

漏/源通态电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.2

0.4

-0.4A

0.2

-4.5V

-0.4A, -0.7A

-0.2

-50

-0.4

-50

100

150

100

环境温度：范围Topr （ ℃ ）

476

■

电气特性

电容与漏极/源极电压

1000

VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃

开关时间与漏电流

10000

VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒，占空比≦ 1 ％以下，Ta = 25 ℃

电容：C （PF ）

西塞

科斯

开关时间： T（ NS ）

1000

100

CRSS

100

TD （关闭）

TD （上）

-5

-10

-15

-20

-0.5

-1

-1.5

-2

漏/源极电压： Vds的（V ）

漏电流： ID（ A）

栅极/源极电压与栅极电荷

-10

VDS = -10V ，ID = -0.7A ， TA = 25 ℃

反向漏电流与源极/漏极电压

-3

TA = 25 ℃时，脉冲测试

反向漏电流： Im额定（A）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

-8

-2.5

-4.5V

-2

-1.5

-1

-6

-2.5V

-4

的Vgs = 0V ， 4.5V

-2

-0.5

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极/漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

RTH （ CH-A ） = 250 ℃ / W （在陶瓷PCB实现的）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （ S）

477