【XP152A11E5MR功率MOSFETETR1120_001■一般描述该XP152A11E5MR是】,IC型号XP152A11E5MR,XP152A11E5MR PDF资料,XP152A11E5MR经销商,ic,电子元器件-51电子网

XP152A11E5MR

功率MOSFET

ETR1120_001

■一般

描述

该XP152A11E5MR是一个P沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。

为了对付静电，栅极保护二极管被内置。

小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。

■应用

笔记本

个

（蜂窝

和手提电话

●板载

电源

●锂离子

电池系统

■特点

低通态电阻

： RDS（ON） = 0.25Ω @ VGS = -10V

： RDS（ON） = 0.45Ω @ VGS = -4.5V

超高速开关

栅极保护二极管内置

驱动电压

: -4.5V

P沟道功率MOSFET

DMOS结构

小型封装

： SOT -23

针

CON组fi guration

针

转让

引脚数

引脚名称

功能

门

来源

漏

●等效

电路

“绝对

最大额定值

TA = 25°

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流

（DC）的

（脉冲）

符号额定值单位

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

-30

±20

-0.7

-2.8

-0.7

0.5

150

-55~150

℃

反向漏电流

信道功率耗散*

通道温度

存储温度范围

*当在陶瓷PCB实现

1/5

XP152A11E5MR

ⅵELECTRICAL

特征

DC特性

参数

排水截止电流

门源漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻* 1

正向转移导纳* 1

续流保护二极管

正向电压

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

| YFS |

条件

VDS = -30V ， VGS = 0V

VGS =

±20V,

VDS = 0V

ID = -1mA ， VDS = -10V

ID = -0.4A ， VGS = -10V

ID = -0.4A ， VGS = -4.5V

ID = -0.4A ， VDS = -10V

如果= -0.7A ， VGS = 0V

分钟。

-1.0

典型值。

0.20

0.35

-0.8

马克斯。

-10

±10

-3.0

0.25

0.45

-1.1

a = 25℃

单位

μA

* 1脉冲测试期间有效。

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = -10V ， VGS = 0V

F = 1MHz的

条件

分钟。

典型值。

160

120

马克斯。

a = 25℃

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = -5V ，ID = -0.4A

VDD = -10V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

a = 25℃

单位

热特性

参数

热阻

（信道环境）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在陶瓷PCB

分钟。

典型值。

250

马克斯。

单位

℃/W

2/5

XP152A11E5MR

Typical

PERFOMANCE特性

3/5

XP152A11E5MR

Typical

PERFOMANCE特性（续）

（ 11 ）标准化过渡热电阻与脉冲宽度

4/5

XP152A11E5MR

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注意提高性能。

咨询我们，或我们的代表

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保护）的生效本产品目录中所列的设备使用的产品。

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设备发生故障，其故障可以合理预期，直接

危及生命，或引起显著伤害，该用户。

（如原子能，航空航天，交通运输，燃烧和相关的安全

它们的设备。）

5.请使用在指定的范围内本产品目录中列出的产品。

如果您希望使用的产品状况超出规格下，

请咨询我们或我们的代表。

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特瑞仕半导体有限公司的事先许可

5/5

XP152A11E5MR

◆

P沟道功率MOS FET

DMOS结构

低导通电阻： 0.45

（最大）

超高速开关

栅极保护二极管内置

SOT - 23封装

功率MOS FET

■

●

应用

笔记本电脑

携带电话

上 - 板电源

锂 - 离子电池系统

■

概述

该XP152A11E5MR是P沟道功率MOS FET的低通态

电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地

置，从而节省能源。

为了对付静电，栅极保护二极管被内置。

小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。

■

特点

低导通电阻：

RDS（ON） = 0.25Ω （ VGS = -10V ）

RDS（ON） = 0.45Ω （ VGS = -4.5V ）

超高速开关

栅极保护二极管内置

工作电压：

-4.5V

高密度安装：

SOT - 23

■

引脚配置

■

引脚分配

引脚数

引脚名称

功能

门

来源

漏

SOT - 23顶视图

■

等效电路

■

绝对最大额定值

TA = 25℃

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

连续通道

功耗（注）

符号

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

评级

-30

+ 20

-0.7

-2.8

-0.7

0.5

150

-55到150

单位

P - 沟道MOS FET

（ 1装置内置）

通道温度

储存温度

（注）：当在陶瓷PCB实现

470

■

电气特性

DC特性

参数

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻

（注）

正向转移导纳

（注）

续流保护二极管

正向电压

（注）：脉冲测试期间有效。

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS（ON）

| YFS |

条件

VDS = - 30 ， VGS = 0V

VGS =

20 ， VDS = 0V

ID = -1mA ， VDS = - 10V

ID = - 0.4A ， VGS = - 10V

ID = - 0.4A ， VGS = - 4.5V

ID = - 0.4A ， VDS = - 10V

如果= - 0.7A ， VGS = 0V

- 1.0

0.2

0.35

-0.8

- 1.1

民

典型值

最大

- 10

Ta=25°C

单位

- 3.0

0.25

0.45

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = - 10V ， VGS = 0V

F = 1 MHz的

条件

民

典型值

160

120

最大

Ta=25°C

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = - 5V ，ID = - 0.4A

VDD = - 10V

条件

民

典型值

最大

Ta=25°C

单位

热特性

参数

热阻

（通道 - 周边）

符号

RTH （ CH - 一）

条件

实现在陶瓷

PCB

民

典型值

250

最大

单位

°C

/ W

471

XP152A11E5MR

■

电气特性

漏极电流与漏极/源极电压

-3

-10V

TA = 25 ℃时，脉冲测试

功率MOS FET

漏极电流与栅极/源极电压

-3

-2.5

VDS = -10V ，脉冲测试

-2.5

-5V

-4.5V

-4V

漏电流： ID（ A）

-2

-1.5

-1

-3V

-3.5V

漏电流： ID（ A）

Ta=-55℃

25℃

125℃

-2

-1.5

-1

-0.5

Vgs=-2.5V

-1

-2

-3

-4

-5

-1

-2

-3

-4

-5

漏/源极电压： Vds的（V ）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏/源极导通电阻与栅极/源极电压

0.8

TA = 25 ℃，脉搏特

漏/源通态电阻与漏电流

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏/源通态电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.6

Id=-0.7A

漏/源通态电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs=-4.5V

0.4

-0.4A

- 10V

0.2

-2

-4

-6

-8

-10

0.1

-0.5

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏/源通态电阻与环境温度

漏/源极导通电阻： RDS（ON）（ Ω ）

0.8

脉冲测试

栅/源切断电压变化与环境温度

0.6

VDS = -10V ，ID = -1mA

栅/源截止电压差异

：栅极电压（关）方差（V ）

150

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

0.6

Vgs=-4.5V

Id=-0.7A

-0.4A

0.4

0.2

-10V

-0.4A, -0.7A

-50

100

-50

100

150

环境温度：范围Topr （ ℃ ）

环境温度： 0Topr （ ℃ ）

472

■

电气特性

电容与漏极/源极电压

1000

VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃

开关时间与漏电流

10000

VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒，占空比≦ 1 ％以下，Ta = 25 ℃

电容：C （PF ）

西塞

开关时间： T（ NS ）

1000

100

科斯

100

TD （关闭）

CRSS

TD （上）

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-0.5

-1

-1.5

-2

漏/源极电压： Vds的（V ）

漏电流： ID（ A）

栅极/源极电压与栅极电荷

-10

VDS = -10V ，ID = -0.7A ， TA = 25 ℃

反向漏电流与源极/漏极电压

-3

TA = 25 ℃时，脉冲测试

反向漏电流： Im额定（A）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

-8

-2.5

-2

-4.5V

-6

-1.5

-1

的Vgs = 0V ， 4.5V

-4

-2

-0.5

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极/漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

RTH （ CH-A ） = 250 ℃ / W （在陶瓷PCB实现的）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （ S）

473

产品speci fi cation

XP152A11E5MR-G

功率MOSFET

■一般

描述

该XP152A11E5MR -G是一个P沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关

的特点。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。

为了对付静电，栅极保护二极管被内置。

小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。

■应用

笔记本

个

（蜂窝

和手提电话

●板载

电源

●锂离子

电池系统

■特点

低通态电阻

： RDS（ON） = 0.25Ω @ VGS = -10V

： RDS（ON） = 0.45Ω @ VGS = -4.5V

超高速开关

栅极保护二极管内置

驱动电压

: -4.5V

P沟道功率MOSFET

DMOS结构

小型封装

： SOT -23

环保

：欧盟RoHS指令，无铅

针

配置/

记号

G：门

S：源

D：漏

“产品

名字

制品

XP152A11E5MR

XP152A11E5MR-G

(*)

包

SOT-23

订货单位

3,000/Reel

2 1

1 x

在“ -G ”后缀表示卤素和无锑以及

是完全符合RoHS标准。

* x表示的生产批号。

“绝对

最大额定值

TA = 25°

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

信道功率耗散*

通道温度

储存温度

符号额定值单位

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

-30

±20

-0.7

-2.8

-0.7

0.5

150

-55~150

℃

●等效

电路

*当在陶瓷PCB实现

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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产品speci fi cation

XP152A11E5MR-G

ⅵELECTRICAL

特征

DC特性

参数

排水截止电流

门源漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻* 1

正向转移导纳* 1

续流保护二极管

正向电压

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

| YFS |

条件

VDS = -30V ， VGS = 0V

VGS =

±20V,

VDS = 0V

ID = -1mA ， VDS = -10V

ID = -0.4A ， VGS = -10V

ID = -0.4A ， VGS = -4.5V

ID = -0.4A ， VDS = -10V

如果= -0.7A ， VGS = 0V

分钟。

-1.0

典型值。

0.20

0.35

-0.8

马克斯。

-10

±10

-3.0

0.25

0.45

-1.1

a = 25℃

单位

μA

* 1脉冲测试期间有效。

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = -10V ， VGS = 0V

F = 1MHz的

条件

分钟。

典型值。

160

120

马克斯。

a = 25℃

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = -5V ，ID = -0.4A

VDD = -10V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

a = 25℃

单位

热特性

参数

热阻

（信道环境）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在陶瓷PCB

分钟。

典型值。

250

马克斯。

单位

℃/W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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