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XP151A13COMR
20V N沟道增强型MOSFET
VDS = 20V
RDS （ ON ） ， V GS @ 4.5V ，IDS @
3.6A
RDS （ ON ） ， V GS @ 2.5V ，IDS @ 2.0A
85m
115m
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
包装尺寸
D
G
SOT-23(PACKAGE)
S
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
最大额定值和热特性（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1)
最大功率耗散
2)
符号
极限
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
TA = 25
o
TA = 75
o
C
2)
20
±8
2.3
8
1.25
0.8
-55到150
100
166
o
V
A
P
D
T
J
, T
英镑
R
thJA
W
o
工作结存储温度范围
结至环境热阻（PCB安装）
C
结至环境热阻（PCB安装）
3)
C / W
笔记
1)
脉冲宽度有限的最高结温。
2)
表面安装在FR4板，T
v
5秒。
3)
表面安装在FR4板。
１
金隅
半导体
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Ｄ½½½：２０１１／０５
XP151A13COMR
20V N沟道增强型MOSFET
电气特性
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流0
门体漏
正向跨导
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
1)
1)
1)
符号
测试条件
分钟。
典型值。
Miax 。
单位
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
=为10uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 3.1A
20
70
85
0.6
1
o
V
85
m
115
V
uA
10
±100
10
nA
S
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
DS
=V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 16V, V
V
DS
= 20V, V
GS
GS
= 0V
= 0V TJ = 55
C
V
GS
= ± 8V, V
DS
= 0V
V
DS
= 5V ，我
D
= 3.6A
Q
g
V
DS
= 10V ，我
D
= 3.6A
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
V
DS
= 10V, V = 0V
GS
C
OSS
F = 1.0 MHz的
C
RSS
I
D
^
3.6A,V
根
= 4.5V
R
G
= 6
V
DD
= 10V ，RL = 5.5
V
GS
= 4.5V
5.4
0.65
1.6
12
36
34
10
340
115
33
10
nC
25
60
ns
60
25
pF
I
S
V
SD
I
S
= 1.6A ，V
GS
1.6
A
V
= 0V
1.2
脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，值班cycle< = 2 ％
２
金隅
半导体
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Ｄ½½½：２０１１／０５
XP151A13COMR
20V N沟道增强型MOSFET
10
输出特性
V
GS
= 5通2.5 V
10
传输特性
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
2V
6
8
6
4
4
T
C
= 125_C
2
0, 0.5, 1 V
1.5 V
2
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.15
1000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.12
V
GS
= 2.5 V
0.09
V
GS
= 4.5 V
0.06
- 电容（pF ）
800
600
400
C
国际空间站
0.03
200
C
RSS
C
OSS
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.6 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.6 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
0
1
2
3
4
5
6
7
4
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.6
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
３
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Ｄ½½½：２０１１／０５
XP151A13COMR
20V N沟道增强型MOSFET
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.12
I
D
= 3.6 A
0.08
T
J
= 25_C
0.04
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.2
14
12
10
功率（W）的
8
6
4
–0.3
2
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.01
单脉冲功率
0.1
V GS （ TH）方差（V ）
–0.0
I
D
= 250
mA
–0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
–0.2
–0.4
–50
0.10
1.00
时间（秒）
10.00
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
４
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Ｄ½½½：２０１１／０５
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