【XP151A12A2MR-G功率MOSFETETR1118_003■一般描述该XP151A12A2M】,IC型号XP151A12A2MR-G,XP151A12A2MR-G PDF资料,XP151A12A2MR-G经销商,ic,电子元器件-51电子网

XP151A12A2MR-G

功率MOSFET

ETR1118_003

■一般

描述

该XP151A12A2MR - G是低一个N沟道功率MOSFET的通态电阻和超高速开关

的特点。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。

为了对付静电，栅极保护二极管被内置。

小型SOT -23封装，使高密度安装可能

■应用

笔记本

个

（蜂窝

和手提电话

●板载

电源

●锂离子

电池系统

■特点

低通态电阻

： RDS（ON） = 0.1Ω @ VGS = 4.5V

： RDS（ON） = 0.16Ω @ VGS = 2.5V

超高速开关

栅极保护二极管内置

驱动电压

: 2.5V

N沟道功率MOSFET

DMOS结构

小型封装

： SOT -23

环保

：欧盟RoHS指令，无铅

针

配置/

记号

1 1 2 x

“产品

名字

制品

包

SOT-23

订货单位

3,000/Reel

G：门

S：源

D：漏

(*)

XP151A12A2MR

XP151A12A2MR-G

(*)

在“ -G ”后缀表示卤素和无锑以及

是完全符合RoHS标准。

* x表示的生产批号。

●等效

电路

“绝对

最大额定值

TA = 25°

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

信道功率耗散*

通道温度

储存温度

符号额定值单位

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

±12

0.5

150

-55~150

℃

*当在陶瓷PCB实现

1/5

XP151A12A2MR-G

ⅵELECTRICAL

特征

DC特性

参数

排水截止电流

门源漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻* 1

正向转移导纳* 1

续流保护二极管

正向电压

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

| YFS |

条件

VDS = 20V ， VGS = 0V

VGS =

±12V,

VDS = 0V

ID = 1mA时， VDS = 10V

ID = 0.5A ， VGS = 4.5V

ID = 0.5A ， VGS = 2.5V

ID = 0.5A ， VDS = 10V

如果= 1A ， VGS = 0V

分钟。

0.7

典型值。

0.075

0.120

3.3

0.8

马克斯。

±10

1.4

0.1

0.160

1.1

a = 25℃

单位

μA

* 1脉冲测试期间有效。

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = 10V ， VGS = 0V

F = 1MHz的

条件

分钟。

典型值。

180

120

马克斯。

a = 25℃

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = 5V ，ID = 0.5A

VDD = 10V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

a = 25℃

单位

热特性

参数

热阻

（信道环境）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在陶瓷PCB

分钟。

典型值。

250

马克斯。

单位

℃/W

2/5

XP151A12A2MR-G

Typical

PERFOMANCE特性

3/5

XP151A12A2MR-G

Typical

PERFOMANCE特性（续）

（ 11 ）标准化过渡热电阻与脉冲宽度

4/5

XP151A12A2MR-G

1.本文中所包含的产品和产品规格如有变更，恕不

注意提高性能。

咨询我们，或我们的代表

在使用前，要确认此数据表中的信息是最新的。

2.我们不承担任何侵犯专利的，专利权或其它概不负责

因使用此数据表中的任何信息和电路所产生的权利。

3.请确定适合的出货控制（包括故障安全设计和衰老

保护）的生效本数据表中列出的设备使用的产品。

4.不开发此数据表中的产品设计，或许可与使用

这种设备故障，其故障可以合理预期，直接

危及生命，或引起显著伤害，该用户。

（如原子能，航空航天，交通运输，燃烧和相关的安全

它们的设备。）

5.请使用在指定的范围内该数据表中列出的产品。

如果您希望使用的产品状况超出规格下，

请咨询我们或我们的代表。

6.我们承担的损害或损失概不负责因非正常使用。

特瑞仕半导体有限公司的事先许可

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产品speci fi cation

XP151A12A2MR-G

功率MOSFET

■一般

描述

该XP151A12A2MR - G是低一个N沟道功率MOSFET的通态电阻和超高速开关

的特点。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。

为了对付静电，栅极保护二极管被内置。

小型SOT -23封装，使高密度安装可能

■应用

笔记本

个

（蜂窝

和手提电话

●板载

电源

●锂离子

电池系统

■特点

低通态电阻

： RDS（ON） = 0.1Ω @ VGS = 4.5V

： RDS（ON） = 0.16Ω @ VGS = 2.5V

超高速开关

栅极保护二极管内置

驱动电压

: 2.5V

N沟道功率MOSFET

DMOS结构

小型封装

： SOT -23

环保

：欧盟RoHS指令，无铅

针

配置/

记号

1 1 2 x

“产品

名字

制品

包

SOT-23

订货单位

3,000/Reel

G：门

S：源

D：漏

(*)

XP151A12A2MR

XP151A12A2MR-G

(*)

在“ -G ”后缀表示卤素和无锑以及

是完全符合RoHS标准。

* x表示的生产批号。

●等效

电路

“绝对

最大额定值

TA = 25°

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

信道功率耗散*

通道温度

储存温度

符号额定值单位

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

±12

0.5

150

-55~150

℃

*当在陶瓷PCB实现

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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产品speci fi cation

XP151A12A2MR-G

ⅵELECTRICAL

特征

DC特性

参数

排水截止电流

门源漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻* 1

正向转移导纳* 1

续流保护二极管

正向电压

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

| YFS |

条件

VDS = 20V ， VGS = 0V

VGS =

±12V,

VDS = 0V

ID = 1mA时， VDS = 10V

ID = 0.5A ， VGS = 4.5V

ID = 0.5A ， VGS = 2.5V

ID = 0.5A ， VDS = 10V

如果= 1A ， VGS = 0V

分钟。

0.7

典型值。

0.075

0.120

3.3

0.8

马克斯。

±10

1.4

0.1

0.160

1.1

a = 25℃

单位

μA

* 1脉冲测试期间有效。

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = 10V ， VGS = 0V

F = 1MHz的

条件

分钟。

典型值。

180

120

马克斯。

a = 25℃

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = 5V ，ID = 0.5A

VDD = 10V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

a = 25℃

单位

热特性

参数

热阻

（信道环境）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在陶瓷PCB

分钟。

典型值。

250

马克斯。

单位

℃/W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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