【XP151A02B0MR功率MOS FETxN沟道功率MOS FETxDMOS结构x低导通电阻： 0】,IC型号XP151A02BOMR,XP151A02BOMR PDF资料,XP151A02BOMR经销商,ic,电子元器件-51电子网

XP151A02B0MR

功率MOS FET

N沟道功率MOS FET

DMOS结构

低导通电阻： 0.2Ω最大

超高速开关

SOT- 23封装

应用

笔记本电脑

携带电话

板载电源

锂离子电池系统

概述

该XP151A02B0MR是一个N沟道功率MOS FET的低通态

电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置

从而节省了能源。

小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。

特点

低通态电阻：

Rds(on)=0.2(Vgs=4.5V)

Rds(on)=0.32(Vgs=2.5V)

超高速开关

工作电压：

2.5V

高密度安装：

SOT-23

引脚配置

引脚分配

针

数

针

名字

功能

门

来源

漏

SOT-23

（ TOP VIEW ）

等效电路

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

符号

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

评级

±12

0.8

2.5

0.8

0.5

150

-55~150

TA = 25 ：

单位

连续通道

功耗（注）

通道温度

储存温度

N沟道MOS FET

（ 1装置内置）

注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施

446

电气特性

DC特性

参数

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏极 - 源极导通状态

电阻（注）

正向转移导纳

（注）

续流保护二极管

正向电压

注：脉冲测试期间有效。

TA = 25 ：

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

YFS

条件

VDS = 20V ， VGS = 0V

VGS = ± 12V ， VDS = 0V

ID = 1mA时， VDS = 10V

ID = 0.4A ， VGS = 4.5V

ID = 0.4A ， VGS = 2.5V

ID = 0.4A ， VDS = 10V

如果= 0.8A ， VGS = 0V

民

典型值

最大

±10

0.7

0.15

0.24

2.5

0.8

1.1

0.2

0.32

单位

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

条件

VDS = 10V ， VGS = 0V

f=1MHz

民

典型值

180

100

最大

TA = 25 ：

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = 5V ，ID = 0.4A

Vdd=10V

条件

民

典型值

最大

TA = 25 ：

单位

热特性

参数

热阻

（通道周围）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在玻璃环氧

树脂板

民

典型值

250

最大

单位

:/W

447

XP151A02B0MR

■

XP151A02B0MR特点

漏

电流与漏极/源极电压

2.5

2.0

4.5V

3.5V

2.5V

功率MOS FET

漏极电流与栅极/源极电压

2.5

脉冲测试， VDS = 10V

脉冲测试， TA = 25 ：

2.0

漏电流： ID（ A）

1.5

漏

电流： ID（ A）

1.5

1.0

Topr＝25℃

0.5

125℃

0.0

-55℃

0.5

Vgs＝1.5V

0.0

漏/源

电压Vds的（V ）

栅极/源极

电压：栅极电压（V ）

漏极/源极导通电阻与栅极/源极电压

0.5

脉冲测试， TA = 25 ：

漏/源通态电阻与漏电流

脉冲测试， TA = 25 ：

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.4

0.3

Id＝0.4A

0.2

0.8A

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝2.5V

0.1

4.5V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏/源通态电阻与环境温度。

0.5

脉冲测试

栅/源截止电压变异与环境温度。

0.6

VDS = 10V ，ID = 1毫安

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

栅/源截止电压差异

：栅极电压（关）方差（V ）

0.4

Id＝0.8A

Vgs＝2.5V

0.2

0.4A,0.8A

0.1

4.5V

-60

-30

120

150

0.4A

0.4

0.2

-0.2

0.3

-0.4

-0.6

-60

-30

120

150

环境温度：范围Topr （

)

环境

温度：范围Topr （

)

448

■

XP151A02B0MR特点

漏极/源极电压与电容

电容：西塞，科斯，的Crss （PF ）

1000

VGS = 0V ， F = 1MHz的

开关时间与漏电流

1000

VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％

西塞

100

科斯

开关

时间： T（ NS ）

100

（关闭）

（上）

CRSS

0.1

漏/源

电压Vds的（V ）

漏

电流： ID（ A）

栅极/源极电压与栅极电荷

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

反向漏电流： Im额定（A）

VDS = 10V ，ID = 0.8A

反向漏电流与源极/漏极电压

2.5

脉冲测试

2.0

Vgs＝4.5V

1.5

2.5V

1.0

0,-4.5V

0.5

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

门

负责人：的Qg （ NC ）

源极/漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

第r （ CH-A ） = 250℃ / W，（实现在玻璃环氧印刷电路板）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （秒）

449

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TOREX

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VBSEMI

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23000

SOT-23

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