XP151A02B0MR
功率MOS FET
x
N沟道功率MOS FET
x
DMOS结构
x
低导通电阻： 0.2Ω最大
x
超高速开关
x
SOT- 23封装
s
应用
q
笔记本电脑
q
携带电话
q
板载电源
q
锂离子电池系统
s
概述
该XP151A02B0MR是一个N沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。
s
特点
低通态电阻：
Rds(on)=0.2(Vgs=4.5V)
Rds(on)=0.32(Vgs=2.5V)
超高速开关
工作电压：
2.5V
高密度安装：
SOT-23
u
s
引脚配置
D
3
s
引脚分配
针
数
1
2
3
针
名字
G
S
D
功能
门
来源
漏
1
G
2
S
SOT-23
（ TOP VIEW ）
s
等效电路
3
s
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
20
±12
0.8
2.5
0.8
0.5
150
-55~150
TA = 25 ：
单位
V
V
A
A
A
W
:
:
1
2
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
N沟道MOS FET
（ 1装置内置）
注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施
446
■
XP151A02B0MR特点
漏极/源极电压与电容
电容：西塞，科斯，的Crss （PF ）
1000
VGS = 0V ， F = 1MHz的
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％
西塞
100
科斯
开关
时间： T（ NS ）
tf
100
td
（关闭）
td
（上）
10
tr
CRSS
10
0
10
20
1
0.1
1
10
漏/源
电压Vds的（V ）
漏
电流： ID（ A）
栅极/源极电压与栅极电荷
栅极/源极电压：栅极电压（V ）
反向漏电流： Im额定（A）
10
VDS = 10V ，ID = 0.8A
反向漏电流与源极/漏极电压
2.5
脉冲测试
8
2.0
Vgs＝4.5V
1.5
u
2.5V
6
4
1.0
0,-4.5V
0.5
2
0
0
2
4
6
8
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
门
负责人：的Qg （ NC ）
源极/漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
第r （ CH-A ） = 250℃ / W， （实现在玻璃环氧印刷电路板）
10
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （秒）
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功率MOS FET
x
N沟道功率MOS FET
x
DMOS结构
x
低导通电阻： 0.2Ω最大
x
超高速开关
x
SOT- 23封装
s
应用
q
笔记本电脑
q
携带电话
q
板载电源
q
锂离子电池系统
s
概述
该XP151A02B0MR是一个N沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。
s
特点
低通态电阻：
Rds(on)=0.2(Vgs=4.5V)
Rds(on)=0.32(Vgs=2.5V)
超高速开关
工作电压：
2.5V
高密度安装：
SOT-23
u
s
引脚配置
D
3
s
引脚分配
针
数
1
2
3
针
名字
G
S
D
功能
门
来源
漏
1
G
2
S
SOT-23
（ TOP VIEW ）
s
等效电路
3
s
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
20
±12
0.8
2.5
0.8
0.5
150
-55~150
TA = 25 ：
单位
V
V
A
A
A
W
:
:
1
2
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
N沟道MOS FET
（ 1装置内置）
注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施
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■
XP151A02B0MR特点
漏极/源极电压与电容
电容：西塞，科斯，的Crss （PF ）
1000
VGS = 0V ， F = 1MHz的
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％
西塞
100
科斯
开关
时间： T（ NS ）
tf
100
td
（关闭）
td
（上）
10
tr
CRSS
10
0
10
20
1
0.1
1
10
漏/源
电压Vds的（V ）
漏
电流： ID（ A）
栅极/源极电压与栅极电荷
栅极/源极电压：栅极电压（V ）
反向漏电流： Im额定（A）
10
VDS = 10V ，ID = 0.8A
反向漏电流与源极/漏极电压
2.5
脉冲测试
8
2.0
Vgs＝4.5V
1.5
u
2.5V
6
4
1.0
0,-4.5V
0.5
2
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0
2
4
6
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0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
门
负责人：的Qg （ NC ）
源极/漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
第r （ CH-A ） = 250℃ / W， （实现在玻璃环氧印刷电路板）
10
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单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
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脉冲宽度： PW （秒）
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