【XP135A1145SR◆N沟道/ P沟道功率MOS FET◆DMOS结构◆低导通电阻： 0.045】,IC型号XP135A1145SR,XP135A1145SR PDF资料,XP135A1145SR经销商,ic,电子元器件-51电子网

XP135A1145SR

◆

N沟道/ P沟道功率MOS FET

◆

DMOS结构

◆

低导通电阻： 0.045

MAX（ N沟道）

0.110

最大值（ P沟道）

◆

超高速开关

◆

SOP - 8封装

◆

两个FET器件内置

功率MOS FET

■

●

应用

笔记本电脑

携带电话

上 - 板电源

■

概述

该XP135A1145SR是一个N沟道/ P沟道功率MOS FET

具有低通态电阻和超高速开关

的特点。

两个FET器件都内置入一个包。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地

置，从而节省能源。

小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。

■

特点

低通态电阻（ N沟道）：

RDS（ON） = 0.033Ω （ VGS = 10V ）

RDS（ON） = 0.045Ω （ VGS = 4.5V ）

低通态电阻（ PCH）：

RDS（ON） = 0.065Ω （ VGS = -10V ）

RDS（ON） = 0.110Ω （ VGS = -4.5V ）

超高速开关

工作电压：

4.5V （ NCH）： -4.5V （ PCH）

高密度安装：

SOP - 8

■

引脚配置

■

引脚分配

引脚数

5 - 6

7 - 8

引脚名称

功能

源（ N沟道）

门（ N沟道）

源（ PCH）

栅极（ P沟道）

漏极（ P沟道）

漏极（ N沟道）

SOP - 8顶视图

■

等效电路

■

绝对最大额定值

Ta=25

评级

NCH

±20

150

- 55 150

PCH

- 30

±20

-4

- 16

-4

１

２

３

４

８

７

６

５

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

连续通道

功耗（注）

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

单位

N沟道/ P - 沟道MOS FET

（ 2装置内置）

（注释）：当在玻璃环氧印刷电路板实施

437

XP135A1145SR

■

电气特性

功率MOS FET

直流特性（ P沟道功率MOS FET ）

参数

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻

（注）

正向转移导纳

（注）

续流保护二极管

正向电压

（注）：脉冲测试期间有效。

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS（ON）

| YFS |

条件

VDS = - 30 ， VGS = 0V

VGS =

20 ， VDS = 0V

ID = -1mA ， VDS = -10V

ID = - 2A ， VGS = -10V

ID = - 2A ， VGS = - 4.5V

ID = - 2A ， VDS = - 10V

如果= - 4A ， VGS = 0V

-1

0.055

0.09

- 0.85

- 1.1

民

典型值

最大

- 10

TA = 25℃

单位

- 2.5

0.065

0.11

动态特性

参数

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = - 10V ， VGS = 0V

F = 1 MHz的

条件

民

典型值

680

450

170

最大

TA = 25℃

单位

输入电容

输出电容

反馈电容

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = - 5V ，ID = - 2A

VDD = - 10V

条件

民

典型值

最大

TA = 25℃

单位

热特性

参数

热阻

（通道 - 周边）

符号

RTH （ CH - 一）

条件

实现在玻璃环氧

树脂板

民

典型值

62.5

最大

单位

C / W

438

■

电气特性

直流特性（ N沟道功率MOS FET）

参数

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏源导通电阻

（注）

正向转移导纳

（注）

续流保护二极管

正向电压

（注）：脉冲测试期间有效。

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS（ON）

| YFS |

条件

VDS = 30的Vgs = 0V

VGS =

20 ， VDS = 0V

ID = 1mA时， VDS = 10V

ID = 3A ， VGS = 10V

ID = 3A ， VGS = 4.5V

ID = 3A ， VDS = 10V

如果= 6A ， VGS = 0V

1.0

0.026

0.035

0.85

1.1

民

典型值

最大

TA = 25℃

单位

2.5

0.033

0.045

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

VDS = 10V ， VGS = 0V

F = 1 MHz的

条件

民

典型值

620

350

120

最大

TA = 25℃

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = 5V ，ID = 3A

VDD = 10V

条件

民

典型值

最大

TA = 25℃

单位

热特性

参数

热阻

（通道 - 周边）

符号

RTH （ CH - 一）

条件

实现在玻璃环氧

树脂板

民

典型值

62.5

最大

单位

C / W

439

XP135A1145SR

功率MOS FET

■

电气特性（ N沟道功率MOS FET ）

漏极电流与漏极/源极电压

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏极电流与栅极/源极电压

Ta=-55℃

125℃

VDS = 10V ，脉冲测试

10V

4.5V

25℃

漏电流： ID（ A）

3.5V

Vgs=2.5V

漏/源极电压： Vds的（V ）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏极/源极导通电阻与栅极/源极电压

0.1

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏/源通态电阻与漏电流

0.1

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.06

Id=7A

0.04

Vgs=4.5V

10V

0.02

0.01

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏/源通态电阻与环境温度

0.1

脉冲测试

栅/源截止电压变异与环境温度。

0.8

VDS = 10V ，ID = 1毫安

栅/源截止电压差异

：栅极电压（关）方差（V ）

150

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.6

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-50

100

150

0.08

0.06

Id=7A

Vgs=4.5V

0.04

4A, 7A

0.02

10V

-50

100

环境温度。：范围Topr （ ℃ ）

440

■

电气特性（ N沟道功率MOS FET ）

电容与漏极/源极电压

0000

VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃

开关时间与漏电流

1000

VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10μs的， duty≤1 ％，TA = 25 ℃

开关时间： T（ NS ）

电容：C （PF ）

1000

西塞

科斯

CRSS

100

TD （关闭）

100

TD （上）

漏/源极电压： Vds的（V ）

漏电流： ID（ A）

栅极/源极电压与栅极电荷

-10

VDS = 10V ，ID = 7A ，TA = 25 ℃

反向漏电流与源极/漏极电压

-16

TA = 25 ℃时，脉冲测试

-8

反向漏电流： Im额定（A）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

-12

-4.5V

-6

-8

-4

Vgs＝0V,4.5V

-2

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极/漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

RTH （ CH- A）= 62.5 ℃ / W ，（实现在陶瓷PCB ）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （ S）

441