功率MOS FET
NP-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻： 0.11Ω （最大）
NUltra
高速开关
NSOP-8
包
NTwo
场效应器件内置
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP134A02A1SR是P沟道功率MOS FET的低通态
态电阻和超高速开关特性。
两个FET器件内置在一个封装中。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.11Ω （ VGS = -4.5V ）
： RDS（ON） = 0.2Ω （ VGS = -2.5V ）
超高速开关
工作电压
: -2.5V
高密度安装
： SOP- 8
■引脚CON组fi guration
S1
1
G1
2
S2
3
G2
4
SOP-8
（ TOP VIEW ）
■引脚分配
针
数
1
2
3
4
5~6
7~8
针
名字
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
8
D1
7
D1
6
D2
5
D2
11
TA = 25 ：
单位
V
V
A
A
A
W
:
:
■等效电路
1
2
3
4
8
7
6
.Absolute最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
-20
±12
-4
-12
-4
2
150
-55~150
5
漏电流（脉冲）
反向漏电流
P沟道MOS场效应管
（ 2装置内置）
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施
791
XP134A02A1SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V ， F = 1MHz的
开关时间与漏电流
1000
VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒。 duty≤1 ％
1000
开关时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
tf
西塞
科斯
100
td
（关闭）
CRSS
tr
td
（上）
-1
-10
100
0
-5
-10
-15
-20
10
-0.1
漏源电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅源电压与栅极电荷
-10
VDS = -10V ，ID = -4A
-12
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
脉冲测试
反向漏电流： Im额定（A）
栅源电压：栅极电压（V ）
-8
-10
-8
Vgs＝-4.5V
-6
-4
-2.5V
-6
-4
-2
-2
0
0,4.5V
0
0
10
20
30
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
栅极电荷：的Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
11
10
第r （ CH-A ） = 62.5℃ / W， （实现在玻璃环氧印刷电路板）
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （秒）
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功率MOS FET
NP-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻： 0.11Ω （最大）
NUltra
高速开关
NSOP-8
包
NTwo
场效应器件内置
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP134A02A1SR是P沟道功率MOS FET的低通态
态电阻和超高速开关特性。
两个FET器件内置在一个封装中。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.11Ω （ VGS = -4.5V ）
： RDS（ON） = 0.2Ω （ VGS = -2.5V ）
超高速开关
工作电压
: -2.5V
高密度安装
： SOP- 8
■引脚CON组fi guration
S1
1
G1
2
S2
3
G2
4
SOP-8
（ TOP VIEW ）
■引脚分配
针
数
1
2
3
4
5~6
7~8
针
名字
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
8
D1
7
D1
6
D2
5
D2
11
TA = 25 ：
单位
V
V
A
A
A
W
:
:
■等效电路
1
2
3
4
8
7
6
.Absolute最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
-20
±12
-4
-12
-4
2
150
-55~150
5
漏电流（脉冲）
反向漏电流
P沟道MOS场效应管
（ 2装置内置）
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施
791
XP134A02A1SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V ， F = 1MHz的
开关时间与漏电流
1000
VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒。 duty≤1 ％
1000
开关时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
tf
西塞
科斯
100
td
（关闭）
CRSS
tr
td
（上）
-1
-10
100
0
-5
-10
-15
-20
10
-0.1
漏源电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅源电压与栅极电荷
-10
VDS = -10V ，ID = -4A
-12
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
脉冲测试
反向漏电流： Im额定（A）
栅源电压：栅极电压（V ）
-8
-10
-8
Vgs＝-4.5V
-6
-4
-2.5V
-6
-4
-2
-2
0
0,4.5V
0
0
10
20
30
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
栅极电荷：的Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
11
10
第r （ CH-A ） = 62.5℃ / W， （实现在玻璃环氧印刷电路板）
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （秒）
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