功率MOS FET
NN-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻： 0.03Ω （最大）
NUltra
高速开关
NSOP-8
包
NTwo
场效应器件内置
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP133A1330SR是一个N沟道功率MOS FET的低通态
态电阻和超高速开关特性。
两个FET器件内置在一个封装中。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.03Ω （ VGS = 4.5V ）
： RDS（ON） = 0.04Ω （ VGS = 2.5V ）
： RDS（ON） = 0.07Ω （ VGS = 1.5V ）
超高速开关
工作电压
: 1.5V
高密度安装
： SOP- 8
■引脚CON组fi guration
S1
１
G1
２
S2
３
G2
４
SOP-8
（ TOP VIEW ）
８
７
６
５
■引脚分配
D1
D1
D2
D2
针
数
1
2
3
4
5~6
7~8
针
名字
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
■等效电路
１
２
３
４
８
７
６
５
.Absolute最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
总胆固醇
TSTG
150
- 55 ~ 150
O
11
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
评级
20
+8
6
20
6
2
N沟道MOS FET
（2 FET器件内置）
O
（注释） ：当在玻璃环氧印刷电路板实施
767
XP133A1330SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时，VDD
≒
10V ， PW = 10μs的， duty≤1 ％ ，TA = 25 ℃
1000
西塞
科斯
开关时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
tf
100
TD （关闭）
100
CRSS
tr
TD （上）
10
0
5
10
15
20
10
0
2
4
6
8
10
漏源电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅源电压与栅极电荷
5
VDS = 10V ，ID = 6A ，TA = 25 ℃
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
20
TA = 25 ℃时，脉冲测试
栅源电压：栅极电压（V ）
4
反向漏电流： Im额定（A）
4.5V
2.5V
16
1.5V
3
12
2
8
的Vgs = 0V ， -4.5V
1
4
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
栅极电荷：的Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
11
标准化过渡热电阻： γS （ T）
10
第r （ CH-A ） = 62.5 ℃/ W， （实现在玻璃环氧印刷电路板）
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （ S）
770
XP133A1330SR
功率MOSFET
ETR1113_001
■一般
描述
该XP133A1330SR是一个N沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关
的特点。两个FET器件内置在一个封装
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。
小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。
■应用
笔记本
个
（蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.03Ω （ VGS = 4.5V ）
： RDS（ON） = 0.04Ω （ VGS = 2.5V ）
： RDS（ON） = 0.07Ω （ VGS = 1.5V ）
超高速开关
驱动电压
DMOS结构
两个FET器件内置
包
： SOP- 8
: 1.5V
N沟道功率MOSFET
针
CON组fi guration
针
转让
引脚数
1
2
3
4
5~6
7~8
引脚名称
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
●等效
电路
“绝对
最大额定值
TA = 25°
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
存储温度范围
符号额定值单位
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
20
±8
6
20
6
2
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
*在玻璃环氧树脂印刷电路板实现时，
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XP133A1330SR
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功率MOS FET
NN-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻： 0.03Ω （最大）
NUltra
高速开关
NSOP-8
包
NTwo
场效应器件内置
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP133A1330SR是一个N沟道功率MOS FET的低通态
态电阻和超高速开关特性。
两个FET器件内置在一个封装中。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.03Ω （ VGS = 4.5V ）
： RDS（ON） = 0.04Ω （ VGS = 2.5V ）
： RDS（ON） = 0.07Ω （ VGS = 1.5V ）
超高速开关
工作电压
: 1.5V
高密度安装
： SOP- 8
■引脚CON组fi guration
S1
１
G1
２
S2
３
G2
４
SOP-8
（ TOP VIEW ）
８
７
６
５
■引脚分配
D1
D1
D2
D2
针
数
1
2
3
4
5~6
7~8
针
名字
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
■等效电路
１
２
３
４
８
７
６
５
.Absolute最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
反向漏电流
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
总胆固醇
TSTG
150
- 55 ~ 150
O
11
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
评级
20
+8
6
20
6
2
N沟道MOS FET
（2 FET器件内置）
O
（注释） ：当在玻璃环氧印刷电路板实施
767
XP133A1330SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时，VDD
≒
10V ， PW = 10μs的， duty≤1 ％ ，TA = 25 ℃
1000
西塞
科斯
开关时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
tf
100
TD （关闭）
100
CRSS
tr
TD （上）
10
0
5
10
15
20
10
0
2
4
6
8
10
漏源电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅源电压与栅极电荷
5
VDS = 10V ，ID = 6A ，TA = 25 ℃
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
20
TA = 25 ℃时，脉冲测试
栅源电压：栅极电压（V ）
4
反向漏电流： Im额定（A）
4.5V
2.5V
16
1.5V
3
12
2
8
的Vgs = 0V ， -4.5V
1
4
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
栅极电荷：的Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
11
标准化过渡热电阻： γS （ T）
10
第r （ CH-A ） = 62.5 ℃/ W， （实现在玻璃环氧印刷电路板）
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （ S）
770
QQ：2881677436 复制
