【功率MOS FETNN-通道功率MOS FETNDMOS结构N低导通状态电阻： 0.032Ω （最大】,IC型号XP131A0232SR,XP131A0232SR PDF资料,XP131A0232SR经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率MOS FET

NN-通道

功率MOS FET

NDMOS

结构

N低

导通状态电阻： 0.032Ω （最大值）

NUltra

高速开关

NSOP-8

包

■应用

GNotebook

个

GCellular

和手提电话

坤板

电源

GLI离子

电池系统

■概述

该XP131A0232SR是一个N沟道功率MOS FET的低通态

电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置

从而节省了能源。

小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。

■特点

低通态电阻

： RDS（ON） = 0.032Ω （ VGS = 4.5V ）

： RDS（ON） = 0.045Ω （ VGS = 2.5V ）

： RDS（ON） = 0.08Ω （ VGS = 1.5V ）

超高速开关

工作电压

: 1.5V

高密度安装

： SOP- 8

■引脚CON组fi guration

Ｓ

SOP-8

（ TOP VIEW ）

■引脚分配

引脚数

引脚名称

Ｓ

Ｇ

Ｄ

功能

1 3

5 8

来源

门

漏

.Absolute最大额定值

Ta=25°C

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

符号

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

评级

±8

2.5

150

-55~150

单位

°C

■等效电路

漏电流（脉冲）

反向漏电流

连续通道

功耗（注）

通道温度

储存温度

N沟道MOS FET

（ 1装置内置）

注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施

719

XP131A0232SR

.Electrical特点

DC特性

参数

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏极 - 源极导通状态

电阻（注）

正向转移导纳

（注）

续流保护二极管

正向电压

注：脉冲测试期间有效。

Ta=25°C

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

条件

VDS = 20V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

ID = 1mA时， VDS = 10V

ID = 4A ， VGS = 4.5V

ID = 4A ， VGS = 2.5V

ID = 4A ， VGS = 1.5V

ID = 4A ， VDS = 10V

IF = 8A ， VGS = 0V

民

典型值

最大

±10

0.5

0.025

0.035

0.055

0.85

1.1

0.032

0.045

0.08

单位

YFS

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

条件

VDS = 10V ， VGS = 0V

f=1MHz

民

典型值

1200

550

180

最大

Ta=25°C

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = 5V ，ID = 4A

Vdd=10V

条件

民

典型值

最大

Ta=25°C

单位

热特性

参数

热阻

（信道环境）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在玻璃环氧

树脂板

民

典型值

最大

单位

° C / W

720

XP131A0232SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

脉冲测试，TA = 25℃

2.5V

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = 10V

漏电流： ID（ A）

1.5V

Topr＝25℃

Vgs＝1V

125℃

-55℃

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.1

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

与漏电流

0.1

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝1.5V

2.5V

0.06

Id＝4A

0.04

4.5V

0.02

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.1

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

0.5

VDS = 10V ，ID = 1毫安

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

Id＝4A

0.06

Vgs＝1.5V

4A,8A

0.04

2.5V

4A,8A

4.5V

-60

-30

120

150

0.25

0.02

-0.25

-0.5

-60

-30

120

150

周围温度：范围Topr （℃）

721

XP131A0232SR

电容与漏源电压

10000

VGS = 0V ， F = 1MHz的

1000

开关时间与漏电流

VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％

开关时间： T（ NS ）

电容：C （PF ）

100

西塞

1000

科斯

TD （关闭）

TD（上），潮流

CRSS

100

0.1

漏源电压： Vds的（V ）

漏电流： ID（ A）

栅源电压与栅极电荷

VDS = 10V ，ID = 8A

反向漏电流

与源极 - 漏极电压

脉冲测试

栅源电压：栅极电压（V ）

反向漏电流： ID（ A）

Vgs＝4.5V

2.5V

1.5V

0,-4.5V

0.2

0.4

0.6

0.8

栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极 - 漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

第r （ CH-A ） = 50℃ / W，（实现在玻璃环氧印刷电路板）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （秒）

722

功率MOS FET

NN-通道

功率MOS FET

NDMOS

结构

N低

导通状态电阻： 0.032Ω （最大值）

NUltra

高速开关

NSOP-8

包

■应用

GNotebook

个

GCellular

和手提电话

坤板

电源

GLI离子

电池系统

■概述

该XP131A0232SR是一个N沟道功率MOS FET的低通态

电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置

从而节省了能源。

小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。

■特点

低通态电阻

： RDS（ON） = 0.032Ω （ VGS = 4.5V ）

： RDS（ON） = 0.045Ω （ VGS = 2.5V ）

： RDS（ON） = 0.08Ω （ VGS = 1.5V ）

超高速开关

工作电压

: 1.5V

高密度安装

： SOP- 8

■引脚CON组fi guration

Ｓ

SOP-8

（ TOP VIEW ）

■引脚分配

引脚数

引脚名称

Ｓ

Ｇ

Ｄ

功能

1 3

5 8

来源

门

漏

.Absolute最大额定值

Ta=25°C

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

符号

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

评级

±8

2.5

150

-55~150

单位

°C

■等效电路

漏电流（脉冲）

反向漏电流

连续通道

功耗（注）

通道温度

储存温度

N沟道MOS FET

（ 1装置内置）

注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施

719

XP131A0232SR

.Electrical特点

DC特性

参数

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极截止电压

漏极 - 源极导通状态

电阻（注）

正向转移导纳

（注）

续流保护二极管

正向电压

注：脉冲测试期间有效。

Ta=25°C

符号

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

RDS （ ON）

条件

VDS = 20V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

ID = 1mA时， VDS = 10V

ID = 4A ， VGS = 4.5V

ID = 4A ， VGS = 2.5V

ID = 4A ， VGS = 1.5V

ID = 4A ， VDS = 10V

IF = 8A ， VGS = 0V

民

典型值

最大

±10

0.5

0.025

0.035

0.055

0.85

1.1

0.032

0.045

0.08

单位

YFS

动态特性

参数

输入电容

输出电容

反馈电容

符号

西塞

科斯

CRSS

条件

VDS = 10V ， VGS = 0V

f=1MHz

民

典型值

1200

550

180

最大

Ta=25°C

单位

开关特性

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

TD （上）

TD （关闭）

VGS = 5V ，ID = 4A

Vdd=10V

条件

民

典型值

最大

Ta=25°C

单位

热特性

参数

热阻

（信道环境）

符号

RTH （ CH -A ）

条件

实现在玻璃环氧

树脂板

民

典型值

最大

单位

° C / W

720

XP131A0232SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

脉冲测试，TA = 25℃

2.5V

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = 10V

漏电流： ID（ A）

1.5V

Topr＝25℃

Vgs＝1V

125℃

-55℃

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.1

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

与漏电流

0.1

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝1.5V

2.5V

0.06

Id＝4A

0.04

4.5V

0.02

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.1

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

0.5

VDS = 10V ，ID = 1毫安

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

Id＝4A

0.06

Vgs＝1.5V

4A,8A

0.04

2.5V

4A,8A

4.5V

-60

-30

120

150

0.25

0.02

-0.25

-0.5

-60

-30

120

150

周围温度：范围Topr （℃）

721

XP131A0232SR

电容与漏源电压

10000

VGS = 0V ， F = 1MHz的

1000

开关时间与漏电流

VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％

开关时间： T（ NS ）

电容：C （PF ）

100

西塞

1000

科斯

TD （关闭）

TD（上），潮流

CRSS

100

0.1

漏源电压： Vds的（V ）

漏电流： ID（ A）

栅源电压与栅极电荷

VDS = 10V ，ID = 8A

反向漏电流

与源极 - 漏极电压

脉冲测试

栅源电压：栅极电压（V ）

反向漏电流： ID（ A）

Vgs＝4.5V

2.5V

1.5V

0,-4.5V

0.2

0.4

0.6

0.8

栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极 - 漏极电压： VSD （V ）

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

标准化过渡热电阻： γS （ T）

第r （ CH-A ） = 50℃ / W，（实现在玻璃环氧印刷电路板）

单脉冲

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （秒）

722