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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第206页 > XP1211
复合晶体管
XP01211
(XP1211)
NPN硅外延平面型
(0.425)
单位：mm
0.12
+0.05
–0.02
对于开关/数字电路
■
特点
两个元素合并到一个包
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.20
±0.05
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.1
10
■
基本型号
UNR2211 （ UN2211 ）
×
2
0.9
±0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：基地（ Tr1的）
2 ：发射器
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC- 88A
0-0.1
0.9
+0.2
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：收藏家（ Tr1的）
SMini5 -G1封装
标记符号： 9T
内部连接
5
Tr1
4
Tr2
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
h
FE
比
*
1
2
5
3
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE （小
/大）
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 k
民
50
50
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
35
0.50
0.99
0.25
4.9
0.2
30%
0.8
10
1.0
150
+30%
1.2
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
兆赫
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年6月
SJJ00136BED
0.2
±0.1
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
1
XP01211
P
T
T
a
250
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
160
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
200
120
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
150
80
0.3毫安
1
25°C
0.1
25C
100
0.2毫安
40
T
a
=
75°C
50
0.1毫安
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
I
C
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
400
V
CE
=
10 V
C
ob
V
CB
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
5
T
a
=
75°C
4
输出电流I
O
(A)
300
10
3
200
25°C
100
25°C
3
10
2
2
10
1
0
1
10
100
1 000
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
输入电压V
IN
(V)
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
输出电流I
O
（MA ）
2
SJJ00136BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
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抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
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产品或如在本材料中描述的技术。
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电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
复合晶体管
XP1211
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
2.1±0.1
0.425
1.25±0.1
0.425
0.2±0.05
0.12
– 0.02
+0.05
对于开关/数字电路
0.65
s
特点
q
q
两个元素合并到一个包中。
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.0±0.1
1
2
3
5
0.65
4
0.9± 0.1
q
UN1211
×
2元
0.7±0.1
s
元素的基本型号
0.2
0-0.1
0.2±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
1 ：基地（ Tr1的）
2 ：发射器
3 ：基地（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：收藏家（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 88A
S-迷你型包装（ 5针）
标记符号：
9T
内部连接
1
2
3
4
Tr1
5
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*1
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
（小/大）
*1
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1k
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
–30%
0.8
150
10
1.0
+30%
1.2
4.9
0.2
35
0.5
0.99
0.25
V
V
V
兆赫
k
民
50
50
0.1
0.5
0.5
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
2个元素之间的比例
1
复合晶体管
P
T
- TA
250
XP1211
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
120
100
80
60
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.2mA
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
25C
Ta=75C
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
2
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XC6204D231DR
XD1001-BD
X24C01PM-3
XC6203E28ATH
X24012EP
X1243S8I
X28C64TMB-15
X9259US24Z-2.7
XC2V6000-4FG456I
X76F102S8IG
XC6204B151ML
供货商
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数量
封装
单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    XP1211
    -
    -
    -
    -
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XP1211
PANASONIC/松下
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XP1211
Panasonic
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XP1211
PANASONIC
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XP1211
PANASONIC/松下
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XP1211
Panasonic/松下
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全新原装正品/质量有保证
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