17.0-25.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器， QFN
2006年11月 - 修订版15 -NOV- 06
P1022-QF
特点
优良的发射输出级
温度补偿的输出探测器
片上ESD保护
20.0分贝小信号增益
28.0 dBm的P1dB压缩点
符合RoHS SMD ， 4×4毫米QFN封装
100 ％的RF ， DC和输出功率测试
概述
MIMIX宽带的三级17.0-25.0 GHz的砷化镓
MMIC缓冲放大器具有20.0的小信号增益
分贝与28.0 dBm的P1dB的输出压缩点
横跨许多乐队。该装置还包括一个
温度补偿的输出功率检测器。
这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs
PHEMT器件的模型技术，并基于
电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该器件采用
符合RoHS标准的4x4mm QFN表面贴装封装
提供优异的RF和热性能。这
装置非常适用于毫米波
点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT
应用程序。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ Id1,2,3 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
145 ， 290 ， 580毫安
+0.3 VDC
19.0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF图
1
MTTF图
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
小信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
2
漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ） （ VDET）
栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ）
电源电流（ ID1） （VD = 5.0V ， V G = -0.7V典型）
电源电流（ ID2） （VD = 5.0V ， V G = -0.7V典型）
电源电流（ ID3 ） （VD = 5.0V ， V G = -0.7V典型）
探测器（差异）输出为20 dBm的
3
（ 2 ）使用恒定电流测量。
（ 3 ）测量与VDET = 5.0V
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
VDC
VDC
mA
mA
mA
VDC
分钟。
17.0
-
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
-
-
-
典型值。
-
9.0
10.0
20.0
+/-2.0
50.0
+28.0
+5.0
-0.7
100
200
400
0.38
马克斯。
25.0
-
-
-
-
-
-
+5.5
0.0
120
240
480
-
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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功率放大器的测量
XP1022 - QF VD = 5.0 V ，ID1 = 100毫安
ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
15.0
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
15.0
XP1022 - QF VD =见传说
ID1 =百毫安，ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
增益（dB ）
增益（dB ）
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
频率（GHz ）
95摄氏度
-15摄氏度
25℃
Vd1,2,3=5.0V
频率（GHz ）
Vd1,2,3=5.5V
Vd1,2,3=6.0V
XP1022 - QF VD = 5.0 V ，ID1 = 100毫安
ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
0
-5
XP1022 - QF VD =见传说
ID1 =百毫安，ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
0
-5
输入回波损耗（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
15.0
输入回波损耗（dB ）
-10
-15
-20
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
-25
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
*包括夹具损耗
频率（GHz ）
95摄氏度
-15摄氏度
25℃
*包括夹具损耗
频率（GHz ）
Vd1,2,3=5.5V
Vd1,2,3=6.0V
Vd1,2,3=5.0V
XP1022 - QF VD = 5.0 V ，ID1 = 100毫安
ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
0
XP1022 - QF VD =见传说
ID1 =百毫安，ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
0
输出回波损耗（dB ）
输出回波损耗（dB ）
-5
-5
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
-25
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
*包括夹具损耗
频率（GHz ）
95摄氏度
-15摄氏度
25℃
*包括夹具损耗
频率（GHz ）
Vd1,2,3=5.5V
Vd1,2,3=6.0V
Vd1,2,3=5.0V
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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功率放大器测量（续）
XP1022 - QF VD =见传说
ID1 =百毫安，ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
0
-10
-20
反向隔离度（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
频率（GHz ）
Vd1,2,3=5.0V
Vd1,2,3=5.5V
Vd1,2,3=6.0V
XP1022 - QF VD = 5.0 V ，ID1 = 100毫安
ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
33
32
输出功率的P1dB （ dBm的）
输出功率PSAT （ DBM）
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
XP1022 - QF VD = 5.0 V ，ID1 = 100毫安
ID2 = 200 mA时， ID3 = 400毫安
31
30
29
28
27
26
25
24
23
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
23
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
频率（GHz ）
+95摄氏度
-15摄氏度
+ 25℃
+95摄氏度
频率（GHz ）
-15摄氏度
+25摄氏度
XP1022 - QF ，噘= 16为dBM SCL
VD = 4.5 V ，ID1 = 120毫安，ID2 = 125 mA时， ID3 = 500毫安
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
17.0
XP1022 - QF ，噘= 16为dBM SCL
VD = 4.5 V ，ID1 = 120毫安，ID2 = 125 mA时， ID3 = 500毫安
-15
-16
-17
-18
-19
-20
-21
-22
-23
-24
-25
-26
-27
-28
-29
-30
17.0
OIP3 （ dBm的）
OIM3 （ DBC）
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
频率（GHz ）
+95摄氏度
-15摄氏度
+25摄氏度
+95摄氏度
频率（GHz ）
-15摄氏度
+25摄氏度
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
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封装尺寸/布局
QF
针
3
4
5
7
9
10
11
12
14
15
16
19
21
23
描述
地
RF输入
地
Vg1
Vg2
Vg3
DET
REF
地
RF输出
地
Vd3
Vd2
Vd1
功能框图/电路板布局
旁路电容器 -
请参阅应用笔记[ 2 ]
XP1022-QF
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应用笔记[1]偏置 -
建议通过Vd3的在Vd的分别地偏置每个放大器级Vd1的（1,2,3） = 5.0V同为Id1 = 100mA时的Id2 = 200毫安
和ID3 = 400毫安。单独的偏置，建议如果放大器是在高水平的饱和度，其中栅极精馏将改变要使用的
有效的栅极控制电压。对于非关键应用是可能的平行所有阶段和调整公共栅极电压，共漏极
电流Id （总） = 700毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这
给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个
单个晶体管或低功率运算放大器，具有串联地用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的栅极
所述的pHEMT被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.7V 。通常情况下，
栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压
可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排 -
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC旁路
电容器（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也建议所有的DC或组合（如门或
直流偏置垫水渠连接在一起） 。
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） -
每个DC垫（ Vd1,2,3和Vg1,2,3 ）需要有DC旁路电容
（ 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。
VD2
VD1
10 nF的
10 nF的
10 nF的
VD3
在RF
50 Ohm线路
XP1022-QF
RF OUT
50 Ohm线路
V_REF
VG1
VG2
10 nF的
100 pF的
10 nF的
100 pF的
1兆欧
1兆欧
+5 V
VG3
V_DET
100 pF的
10 nF的
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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