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11.0-19.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器, QFN
2007年1月 - 修订版26 -JAN- 07
P1020-QE
特点
17.0分贝小信号增益
27.0 dBm的饱和输出功率
SMD , 3×3毫米QFN封装
符合RoHS
100 %的RF , DC和输出功率测试
概述
MIMIX宽带的双级11.0-19.0 GHz的砷化镓
MMIC功率放大器具有小信号增益
17.0分贝了27.0 dBm的饱和输出功率。
这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs
PHEMT器件的模型技术,并基于
电子束光刻,以确保高
重复性和均匀性。该器件采用
采用3x3mm QFN表面贴装封装产品
出色的RF性能和热性能,并符合RoHS
兼容的。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机, LMDS ,卫星通信
和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压( VD)
电源电流(ID)
栅极偏置电压( VG)
输入功率(Pin )
存储温度( TSTG )
工作温度(Ta )
通道温度( TCH)
9.0伏
500毫安
+0.3 VDC
17.0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
( 1 )信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性(环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围( F)
输入回波损耗( S11 )
输出回波损耗( S22 )
小信号增益( S21 )
增益平坦度( S21 )
反向隔离( S12 )
饱和输出功率( PSAT )
漏极偏置电压(VD )
栅极偏置电压( VG)
电源电流( ID)( VD = 5.0V , V G = -0.9V典型)
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
11.0
-
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
典型值。
-
12.0
8.0
17.0
+/-1.0
40.0
+27.0
+5.0
-0.9
380
马克斯。
19.0
-
-
-
-
-
-
+8.0
0.0
420
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页6
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
11.0-19.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器, QFN
2007年1月 - 修订版26 -JAN- 07
P1020-QE
功率放大器的测量
XP1020 - QE VD = 5.0 V n = 380毫安
22
21
20
19
增益(dB )
18
17
16
15
14
13
12
11.0
-30
11.0
输入回波损耗(dB )
-5
0
XP1020 - QE VD = 5.0 V n = 380毫安
-10
-15
-20
-25
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
频率(GHz )
频率(GHz )
XP1020 - QE VD = 5.0 V n = 380毫安
0
XP1020 - QE VD = 5.0 V n = 380毫安
15设备
30
29
输出功率的P1dB ( dBm的)
28
27
26
25
24
23
22
21
20
11.0
-5
输出回波损耗
-10
-15
-20
-25
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
-30
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
频率(GHz )
最大
MEDIAN
意味着
频率(GHz )
XP1020 - QE VD = 5.0 V n = 380毫安
15设备
30
29
输出功率PSAT ( DBM)
28
27
26
25
24
23
22
21
20
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
频率(GHz )
最大
MEDIAN
意味着
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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功率放大器, QFN
2007年1月 - 修订版26 -JAN- 07
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封装尺寸/布局
功能框图/电路板布局
NC
16
NC
15
Vd
14
NC
13
旁路电容器 -
请参阅应用笔记[ 2 ]
NC
1
12
NC
2
描述
在RF
Vg
RF OUT
Vd
GND
2
11
NC
3
6
在RF
3
10
RF OUT
9
10
NC
4
15MPA0566
9
GND
14
5
6
7
8
NC
Vg
NC
NC
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
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功率放大器, QFN
2007年1月 - 修订版26 -JAN- 07
P1020-QE
应用笔记[1]偏置
-
因此建议以偏压放大器, Vd的= 5.0V和Id = 380毫安。此外,还建议使用主动
偏置保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据
可用的电源电压和功耗的限制,偏置电路可以是一个单一的晶体管或低功率
运算放大器,用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。所述的pHEMT的栅极是
控制,以保持正确的漏极电流,因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.9V 。通常情况下,
栅极保护用硅二极管,以限制所施加的电压。此外,请确保测序所施加的电压,以确保负
栅极偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排
-
每个DC销( Vd的和Vg的)需要具有直流旁路电容( 0.01微法),为靠近封装成为可能。
MTTF图
XP1020 - QE VD = 5.0 V ,ID = 380毫安
1.00E+08
1.00E+06
XP1020 - QE VD = 5.0 V ,ID = 380毫安
1.00E+07
1.00E+05
平均无故障时间(小时)
1.00E+04
1.00E+06
FITS
1.00E+05
1.00E+02
1.00E+04
1.00E+03
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度(摄氏度)
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
1.00E+03
1.00E+01
1.00E+00
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度(摄氏度)
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
XP1020 - QE VD = 5.0 V ,ID = 380毫安
95
93
91
89
87
85
83
81
79
77
75
73
71
69
67
65
63
61
59
57
55
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度(摄氏度)
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
XP1020 - QE VD = 5.0 V ,ID = 380毫安
300
275
250
TCH ( ℃)
RTH ( ℃/ W)
225
200
175
150
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度(摄氏度)
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
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典型用途
XU1005-QD
CMM1118-QT
边带
REJECT
XP1020-QE
在IF
2.0 GHz的
RF OUT
14.2-15.35 GHz的
LO(+6.0dBm)
12.2-13.35 GHz的( USB操作)
16.2-17.35 GHz的( LSB操作)
MIMIX宽带MMIC基11.0-18.0 GHz的发射器框图
(更改LO与IF频率,要求允许设计操作高达18.0 GHz的)
MIMIX宽带的11.0-18.0 GHz的XU1005 -QD的GaAs MMIC变送器可饱和无线电应用和线性调制使用
计划高达16值QAM 。发射机可以在上部和下部边带的应用从11.0-18.0 GHz的使用。
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    -
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