11.0-19.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年1月 - 修订版30 -JAN- 07
P1020-BD
芯片设备布局
特点
紧凑型，低成本设计
20.0分贝小信号增益
27.0 dBm的饱和输出功率
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
XP1020-BD
概述
MIMIX宽带的双级11.0-19.0 GHz的砷化镓
MMIC功率放大器具有小信号增益
20.0分贝了27.0 dBm的饱和输出功率。
这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs
PHEMT器件的模型技术，并基于
电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该芯片具有表面
钝化保护，并提供一个坚固的部分与
通孔和镀金允许擦屁股
无论是导电环氧树脂或共晶焊死
重视过程。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信
和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
9.0伏
500毫安
+0.3 VDC
17.0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
小信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
饱和输出功率（ PSAT ）
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
栅极偏置电压（ VG1 ）
电源电流（ ID）（ VD = 5.0V ， V G = -0.9V典型）
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
11.0
-
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
典型值。
-
12.0
8.0
20.0
+/-1.0
40.0
+27.0
+5.0
-0.9
380
马克斯。
19.0
-
-
-
-
-
-
+8.0
0.1
420
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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功率放大器的测量
@
Tamb=25C
小信号参数
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
5
7
9
11
S11
S21
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-13
-14
-15
-16
-17
-18
-19
-20
0
2
4
6
DB(|S(1,1)|)
所有S OURCES
S22
S11
13
15
17
神父equency （G赫兹）
19
21
23
25
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
神父equency （G赫兹）
S21
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
0
2
4
6
DB(|S(2,1)|)
所有S OURCES
S12
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
DB(|S(1,2)|)
所有S OURCES
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
神父equency （G赫兹）
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
神父equency （G赫兹）
S22
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
0
2
4
6
DB(|S(2,2)|)
所有S OURCES
XP1020 -BD ：噘（D BM） V秒。 F REQ （千兆赫） VGS = -0.5 VDS = 5 V引脚= +10 dBm的
30
28
26
24
22
20
噘嘴（D BM）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
神父equency （G赫兹）
0
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（千兆赫）
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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0.600
(0.023)
1.000
(0.039)
机械制图
1.100
(0.043)
2
0.731
(0.028)
3
1
XP1020-BD
4
5
0.0
0.0
0.659
(0.026)
（注：工程代号是15MPA0566 ）
0.294
(0.012)
1.400
(0.055)
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 1.810毫克。
焊盘＃ 1 （ RF输入）
焊盘＃ 2 （ Vd1的）
焊盘＃ 3 （ Vd2的）
焊盘＃ 4 （ RF输出）
焊盘＃ 5 （ VG）
偏置安排
Vd1,2
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
2
3
在RF
1
XP1020-BD
4
5
RF OUT
Vg
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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应用笔记[1]偏置
-
建议偏压每个放大器级Vd的（1,2） = 5.0V与标识= 380毫安。此外，还建议使用
有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。
取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个单一的晶体管或低
功率运算放大器，用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。该pHEMT制的门
被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.9V 。通常情况下，
栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负
栅极偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排
-
所有的漏极或栅极焊盘（ Vd1,2和Vg的）直流旁路电容器（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容
（ 0.01 UF）也是直流偏置垫推荐给所有的DC或组合（如门或排水渠连接在一起） 。
MTTF图
XP1020 -BD VD = 5.0 V ，ID = 380毫安
1.00E+09
1.00E+05
XP1020 -BD VD = 5.0 V ，ID = 380毫安
1.00E+08
1.00E+04
1.00E+07
平均无故障时间（小时）
1.00E+03
FITS
1.00E+02
1.00E+01
1.00E+00
1.00E+06
1.00E+05
1.00E+04
1.00E+03
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度（摄氏度）
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度（摄氏度）
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
XP1020 -BD VD = 5.0 V ，ID = 380毫安
80
78
76
74
72
70
68
66
64
62
60
58
56
54
52
50
48
46
44
42
40
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度（摄氏度）
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
XP1020 -BD VD = 5.0 V ，ID = 380毫安
275
250
225
TCH （ ℃）
RTH （ ℃/ W）
200
175
150
125
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度（摄氏度）
没有RF
噘嘴= + 27 dBm的
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P1020-BD
设备原理图
典型用途
XU1005
CMM1118
边带
REJECT
XP1020
在IF
2.0 GHz的
RF OUT
14.2-15.35 GHz的
LO(+6.0dBm)
12.2-13.35 GHz的（ USB操作）
16.2-17.35 GHz的（ LSB操作）
MIMIX宽带MMIC基11.0-18.0 GHz的发射器框图
（更改LO与IF频率，要求允许设计操作高达18.0 GHz的）
MIMIX宽带的11.0-18.0 GHz的XU1005的GaAs MMIC变送器可饱和无线电应用和线性调制使用
计划高达16值QAM 。发射机可以在上部和下部边带的应用从11.0-18.0 GHz的使用。
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