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30.0-36.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版09 - 8 - 07
P1017-BD
芯片设备布局
特点
平衡的设计提供了良好的输入/输出匹配
片上温度补偿的输出
功率检测器
16.0分贝小信号增益
33.0 dBm的三阶截取点（ OIP3 ）
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
XP1017-BD
概述
MIMIX宽带的双级30.0-36.0 GHz的砷化镓
MMIC功率放大器的线性操作优化
有33.0 dBm的的三阶截取点。该
装置还包括Lange耦合器来实现良好的
输入/输出回波损耗和一个片上温度
补偿后的输出功率检测器。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型
技术，并且是基于电子束
光刻技术，以保证高可重复性和均匀性。
该芯片具有表面钝化保护和提供
通孔和黄金坚固的部分与背面
金属化，以允许任一导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井
适用于毫米波点至点收音机， LMDS ，
SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
950毫安
+0.3 VDC
+15 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
4
MTTF表
4
（ 4 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
小信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
2
输出三阶截点（ OIP3 ）
1,2
漏极偏置电压（ Vd1,2,3,4 ）
栅极偏置电压（ Vg1,2,3,4 ）
电源电流（ ID）（ VD = 4.5V ， V G = -0.7V典型）
探测器（差异）输出为20 dBm的
3
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
VDC
VDC
mA
VDC
分钟。
30.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
-
典型值。
-
16.0
20.0
16.0
+/-0.5
40.0
+24.0
+33.0
+4.5
-0.7
440
0.3
马克斯。
36.0
-
-
-
-
-
-
-
+5.5
0.0
880
-
（ 1 ）测量可以在整个频带内每个音输出载波电平+17 dBm的。
（ 2 ）使用恒定电流测量。
（ 3 ）测量与当VIN = 1.0V或VIN = 5.5V和RIN = 5.6K
.
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
30.0-36.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版09 - 8 - 07
P1017-BD
功率放大器的测量
XP1017-BD_S21
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
XP1017-BD_S12
0
-5
-1 0
-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
-3 5
-4 0
-4 5
-5 0
-5 5
-6 0
-6 5
-7 0
-7 5
-8 0
-8 5
-9 0
-9 5
-1 00
DB（ | S [2,1 ] | ）
一切都是那么URC ES
DB（ | S [ 1,2 ] | ）
一切都是那么URC ES
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
F Characteristic低频（G赫兹）
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
FRE昆西（G赫兹）
XP1017-BD_S11
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
XP1017-BD_S22
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
DB（ | S [ 1,1 ] | ）
一切都是那么URC （E S）
D B （| S [ 2,2 ] | ）
所有嗖RC （E S）
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
FRE昆西（G赫兹）
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
频率（G赫兹）
XP1017 -BD的P1dB
28
27
26
IM3 ， dBc的
42
40
38
36
34
32
30
28
26
XP1017 -BD ，A verage IM3 ， 4.5V ， 110毫安， + 15分贝每口气米
25
24
23
22
21
20
19
18
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
24
29
30
31
32
33
神父eque NC Y，G赫兹
34
35
36
37
FREQUENC GHz的
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第2 6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
30.0-36.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版09 - 8 - 07
机械制图
2.500
(0.098)
1.141
(0.045)
1.541
(0.061)
1.941
(0.076)
2.341
(0.092)
2.741
2.941
(0.108) (0.116)
P1017-BD
2
3
4
5
6
7
8
1.710
(0.067)
1
1.851
(0.073)
XP1017-BD
0.0
0.0
14
13
12
11
10
9
1.141
(0.045)
1.541
(0.061)
1.941
(0.076)
2.341
(0.092)
2.741 2.941 3.300
(0.108) (0.116) (0.130)
（注：工程代号是32H2BA0070 ）
偏置安排
Vd1,2
Vg1,2
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。所有RF脚垫0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ） 。
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 5.115毫克。
焊盘＃ 1 （ RF输入）
焊盘＃ 4 （ VG2 ）
焊盘＃ 7 （V
IN
2)
焊盘＃ 11 （ VD4 ）
焊盘＃ 2 （ VG1 ）
焊盘＃ 5 （ Vd2的）
焊盘＃ 8 （ RF输出）
焊盘＃ 12 （ VG4 ）
焊盘＃ 3 （ Vd2的）
焊盘＃ 6 （V
DIF
1)
焊盘＃ 9 （V
IN
1)
焊盘＃ 13 （ Vd3的）
焊盘＃ 10 （V
DIF
2)
焊盘＃ 14 （ VG3 ）
V
DIF
2
V
IN
2
2
3
4
5
6
7
旁路电容
- 参见应用笔记[ 3 ]
8
RF OUT
在RF
1
XP1017-BD
14
13
12
11
10
9
Vg3,4
Vd3,4
V
IN
1
V
DIF
1
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
30.0-36.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版09 - 8 - 07
P1017-BD
应用笔记[1]偏置
-
建议单独地偏置的上，下放大器的Vd的（1,2） = 4.5V编号（1 + 2）= 220毫安，并
Vd的（3,4） = 4.5V标识（3 + 4）= 220毫安，虽然最佳的性能将导致分别施力Vd1的通过VD4，与为Id1 = ID3 = 110毫安，
ID2 = =因子Id4 110毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;
这给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，所述偏置
电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器，用串联的一个低值电阻器与用于漏极供应
感测电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。典型的浇口
需要做这个电压是-0.7V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，一定要
序列所施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]板载探测器
-
功率放大器的输出信号通过一个15分贝定向耦合器耦合到检测器，
它包括连接到所述信号路径中的二极管，以及用于提供温度补偿的信号的第二二极管。该
共同的偏置端子为Vin ，并且名义上被设定为正向偏置，两个二极管。该偏置在1 2的方法通常提供的。在VIN
端口可直接连接到一个1V的偏压，并且给出的内部串联电阻，导致在大约偏置电流为1mA。另外，
6k的 - 输入电压可以通过一个外部串联电阻轮回范围为3被连接到相同的电压Vd1的-VD4 。
应用笔记[3]偏置安排
-
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC
旁路电容器（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也建议所有的DC或
直流偏置垫组合（如果门或排水渠连接在一起） 。
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ Vd1,2,3,4和Vg1,2,3,4 ）需要有DC
旁路电容（ 100200 pF）的尽量靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也
推荐使用。
MTTF表（ TBD）
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
C / W
C / W
C / W
E+
E+
E+
E+
E+
E+
偏置条件：
VD1 = Vd2的= = Vd3的VD4 = 4.5V ，ID1的Id2 = = ID3 = =因子Id4 110毫安
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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功率放大器
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P1017-BD
设备原理图
VD1
VG 1
50Ω HM
5 O HM
50Ω HM
40 0 O HM CA P
5 O HM
5 O HM
5 O HM
VD2
VDIF 2
200度HM
3
1
2
VIN2
VG2
5 O HM
90° HM
5 O HM
CA P 5 O HM
40 0 O HM
2
1
5 O HM
45 0 O HM
90° HM
200度HM
350 HM
50Ω HM
50Ω HM
在RF
2
1
3
3
3
3
1
1
2
2
RF OUT
350 HM
45 0 O HM
20 0 O HM
50Ω HM
50Ω HM
400° HM
5 O HM
50Ω HM
5 O HM
50Ω HM
400° HM
5 O HM
5 O HM
2
1
90° HM
90° HM
3
VG 3
5 O HM
5 O HM
VG 4
5 O HM
5 O HM
200度HM
VD3
VD4
VDIF1 VIN1
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