【43.5-46.5 GHz的砷化镓MMIC功率放大器2007年8月 - 修订版11 - 8 - 】,IC型号XP1016-BD-000V,XP1016-BD-000V PDF资料,XP1016-BD-000V经销商,ic,电子元器件-51电子网

43.5-46.5 GHz的砷化镓MMIC

功率放大器

2007年8月 - 修订版11 - 8 - 07

P1016-BD

芯片设备布局

特点

优良驾驶阶段

14.0分贝小信号增益

24.0 dBm的P1dB压缩点

100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试

100 ％目视检查，以MIL -STD- 883

方法2010

XP1016-BD

概述

MIMIX宽带的三级43.5-46.5 GHz的砷化镓

MMIC功率放大器具有14.0的小信号增益

分贝24.0 dBm的P1dB的输出压缩点。

这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs

PHEMT器件的模型技术，并基于

电子束光刻，以确保高

重复性和均匀性。该芯片具有表面

钝化保护，并提供一个坚固的部分与

通孔和镀金允许擦屁股

无论是导电环氧树脂或共晶焊死

重视过程。这个装置是非常适合

毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信

和VSAT应用。

绝对最大额定值

电源电压（ VD）

电源电流（ID）

栅极偏置电压（ VG）

输入功率（Pin ）

存储温度（ TSTG ）

工作温度（Ta ）

通道温度（ TCH）

+6.0伏

1160毫安

+0.3 VDC

+20 dBm的

-65 + 165

-55到MTTF表

MTTF表

（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是

建议保持通道温度低至

可能的最大生命值。

电气特性（环境温度T = 25

参数

频率范围（ F）

输入回波损耗（ S11 ）

输出回波损耗（ S22 ）

小信号增益（ S21 ）

增益平坦度（ S21 ）

反向隔离（ S12 ）

输出功率的1dB压缩（ P1dB为）

漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）

栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ）

电源电流（ ID）（ VD = 5.0V ， V G = -0.5V典型）

（ 2 ）使用恒定电流测量。

单位

GHz的

DBM

VDC

分钟。

43.5

-1.0

典型值。

10.0

14.0

+/-1.0

40.0

+24.0

+5.0

-0.5

720

马克斯。

46.5

+5.5

0.0

1060

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2007

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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P1016-BD

功率放大器的测量

XP1016 -BD VD = 5V ，我D1 = =的Id2 180毫安， ID3 = 360毫安

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

-20

-22

-24

-26

-28

-30

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

XP1016 -BD VD = 5V ，ID1的Id2 = = 180毫安， ID3 = 360毫安

-10

反向隔离度（dB ）

-20

-30

-40

-50

-60

-70

-80

-90

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

XP1016 -BD VD = 5V ，ID1的Id2 = = 180 mA时，我D3 = 360毫安

-2

-4

-6

-8

-10

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

XP1016 -BD VD = 5V ，ID1的Id2 = = 180 mA时， ID3 = 360毫安

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

-20

-22

-24

-26

-28

-30

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

输入和输出回波损耗（dB ）

增益（dB ）

XP1016 - BD_一个ER s EEP ：蒲吨s FRE在引脚= 14 dBm的

27.5

26.5

25.5

的Pout （ dBm的）

24.5

23.5

22.5

21.5

20.5

42.5

43.5

频率（千兆赫）

44.5

45.5

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机械制图

0.589

(0.023)

1.540

(0.061)

1.148

(0.045)

1.588

(0.063)

1.897

(0.075)

2.588

(0.102)

3.190

(0.126)

0.770

(0.030)

0.770

(0.030)

XP1016-BD

0.0

0.589

(0.023)

1.148

(0.045)

1.588

(0.063)

1.897

(0.075)

2.588

(0.102)

3.190

(0.126)

3.650

(0.144)

（注：工程

代号

是44MPA0470 ）

单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。

厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ），背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金

所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ）。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）

接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。

切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ）。大约重量： 3.483毫克。

焊盘＃ 1 （ RF输入）

焊盘＃ 2 （ Vg1A ）

焊盘＃ 3 （ Vd1A ）

焊盘＃ 4 （ Vg2A ）

焊盘＃ 5 （ Vd2A ）

焊盘＃ 6 （ Vg3A ）

焊盘＃ 7 （ Vd3A ）

焊盘＃ 8 （ RF输出）

焊盘＃ 9 （ Vd3B ）

焊盘＃ 10 （ Vg3B ）

焊盘＃ 11 Vd2B ）

焊盘＃ 12 （ Vg2B ）

焊盘＃ 13 （ Vd1B ）

焊盘＃ 14 （ Vg1B ）

偏置安排

Vg1,2

旁路电容

- 参见应用笔记[ 2 ]

Vg3

Vg1,2

Vg3

在RF

XP1016-BD

RF OUT

Vd1,2

Vd3

XP1016-BD

Vd1,2

Vd3

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应用笔记[1]偏置

建议通过Vd3的在Vd的分别地偏置每个放大器级Vd1的（1,2,3） = 5.0V同为Id1 =的Id2 = 180毫安和

ID3 = 360毫安。单独的偏置，建议如果放大器是在高水平的饱和度，其中栅极精馏将改变要使用的

有效的栅极控制电压。对于非关键应用是可能的平行所有阶段和调整公共栅极电压，共漏极

电流Id （总） = 720毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这

给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个

单个晶体管或低功率运算放大器，具有串联地用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的栅极

所述的pHEMT被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.5V 。通常情况下，

栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压

可施加正的漏极供应之前。

应用笔记[2]偏置安排

对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC旁路

电容器（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也建议所有的DC或组合（如门或

直流偏置垫水渠连接在一起）。所有的DC焊盘已连接在一起的芯片，并且可以从任一侧被偏置。

对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ Vd1,2,3和Vg1,2,3 ）需要有DC旁路电容

（ 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。所有的DC垫被捆绑

一起在芯片上，并且可以从任一侧被偏置。

MTTF表（ TBD）

分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。

背板

温度

55度摄氏

75度摄氏

95度摄氏

通道

温度

165.2度摄氏

191.4度摄氏

217.1度摄氏

RTH

平均无故障时间

FITS

78.5 C / W

83.0 C / W

87.0 C / W

7.30E+06

7.79E+05

1.10E+05

1.37E+02

1.28E+03

9.13E+03

偏置条件：

VD = 5V ，ID1的Id2 = = 180 mA时， ID3 = 360毫安

设备原理图

VG1A

VD1A

VG2A

VD2A

VG3A

VD3A

R = 16欧姆

R = 20欧姆

R = 16欧姆

R = 20欧姆

R = 15欧姆

R = 20欧姆

RFOUT

RFIN

R = 20欧姆

R = 16欧姆

R = 20欧姆

R = 15欧姆

R = 16欧姆

VG1B

VD1B

VG2B

VD2B

VG3B

VD3B

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搬运和装配信息

注意！

- MIMIX宽带MMIC产品包含砷化镓（GaAs ），这会危害人体

和环境。为安全起见，请遵循以下步骤：

不要摄取。

不要更改此产物为气体，粉末的形式，或者通过燃烧液体，粉碎，或化学处理，因为这些

副产品是危险的，如果吸入，食入，或吞入人体。

废弃本产品时，应遵守政府法律和公司章程。本产品必须被丢弃

根据由适用的危险废物的程序所指定的方法。

生命支持政策

- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件

系统没有总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如本文所用：

（ 1 ）生命支持设备或系统指：（a ）打算通过外科手术移植到体内的装置或系统，或

（二）支持或维持生命，而其不履行时，正确使用符合规定的使用说明

在标签，可以合理预期造成显著伤害到用户。（ 2 ）关键部件是任何

生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的故障的组件

生命支持设备或系统，或影响其安全性或有效性。

ESD

- 砷化镓（GaAs ）器件易受静电和机械损伤。死在抗静电提供

容器，应在无尘室条件下被打开，在适当的接地防静电工作站。设备

需要小心处理的正确使用夹头设计，真空或皮卡，小心，锋利的镊子。

芯片连接

- 从MIMIX宽带砷化镓产品有0.100毫米（ 0.004" ）厚，通过向背面有孔

使接地电路。微带基片应使尽可能靠近模具成为可能。安装面

应该是干净，平整。如果使用导电环氧树脂，环氧树脂建议是田中TS3332LD ，模垫DM6030HK或

DM6030HK铂固化在按照生产商的固化时间为氮气气氛。适用于环氧谨慎，以避免得到任何

上的管芯的顶表面上。环氧角应在总芯片周边可见。有关其他信息

请参阅MIMIX "Epoxy规格裸Die"应用笔记。若共晶的安装是优选的，然后无焊剂

金 - 锡（金锡）预型件，约0.001

厚，置于模具和安装面之间应使用。一模

键合机是利用加热夹套，并提供擦洗行动，以确保总湿润，防止空隙形成的

氮气氛中，推荐。金 - 锡共晶（80％金20％ Sn）的具有大约280 C的熔点

（注：金锗应避免）。该工作站的温度应该是310 C +/- 10℃ 。暴露于这些

极端的温度应保持在最低限度。套爪应加热，并在模具预加热，以避免过度的

热冲击。空中桥梁和影响力的是避免放置过程中是至关重要的。

引线键合

- 窗的表面钝化上面键合焊盘被提供以允许引线键合到管芯的金

焊垫。推荐使用引线键合过程使用0.076毫米X 0.013毫米（ 0.003" X 0.0005" ） 99.99 ％的纯金

丝带0.5-2 ％的伸长率，以减少RF端口债券电感。黄金0.025毫米（ 0.001" ）直径的楔形或债券球

是可以接受的直流偏置连接。应避免使用铝线。热压粘合推荐

虽然热超声键合，可以使用提供所述键的超声波含量最小化。粘结力，时间和

超声波都是至关重要的参数。键应当在管芯的封装或基板上而制成的键合焊盘。所有

债券应尽可能地短。

订购信息

如需订购部件号

XP1016-BD-000V

XP1016-BD-EV1

描述

其中，“ V”是符合RoHS标准模具装在真空释放凝胶帕克什

XP1016芯片评估模块

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