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8.5-11.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版03 - 8 - 07
s
18 -
P1014-BD
芯片设备布局
XP1014
MIMIX宽带
I0005129
TNO 2005
特点
XP1006驱动放大器
18.0分贝小信号增益
31.0 dBm的饱和输出功率
35 %的功率附加效率
片上栅极偏置电路
100 %的晶片RF , DC和输出功率测试
100 %目视检查,以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的二级8.5-11.0 GHz的砷化镓
MMIC功率放大器具有18.0的小信号增益
分贝与31dBm的饱和输出功率,也
包括片上栅极偏置电路。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.5米的GaAs PHEMT器件
模型的技术,并且是基于电子束
光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
并提供了坚固的部分与通孔背面
和镀金,让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这
设备是非常适合用于雷达应用。
绝对最大额定值
电源电压( VD)
电源电流(ID)
栅极偏置电压( VG)
输入功率(Pin )
存储温度( TSTG )
工作温度(Ta )
通道温度( TCH)
9.0伏
510毫安
+0.0 VDC
待定
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
( 1 )信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性(环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围( F)
输入回波损耗( S11 )
输出回波损耗( S22 )
小信号增益( S21 )
增益平坦度( S21 )
反向隔离( S12 )
饱和输出功率( PSAT )
功率附加效率( PAE )
漏极偏置电压( Vd1,2 )
栅极偏置电压( VG1和VG2 )
电源电流( ID)( VD = 8.0V , VG1 = -5.0V )
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
%
VDC
VDC
mA
分钟。
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-6.0
-
典型值。
-
15.0
12.0
18.0
+/-1.0
-
+31.0
35
+8.0
-5.0
450
马克斯。
11.0
-
-
-
-
-
-
-
+9.0
-4.0
510
MIMIX亚洲公司( MIMIX宽带, Inc.的子公司)
3F , 3-2工业东九路,科学工业园区新竹,台湾, ROC
电话:+ 886-3-567-9680 传真:+ 886-3-567-9433 mimixbroadband.com
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
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8.5-11.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版03 - 8 - 07
P1014-BD
功率放大器的测量
小信号增益(V
d
=8V, V
g1
= -5V , PS = -20dBm )
20
19
18
S21 (分贝)
S11 (分贝)
-15
-20
-25
-30
-35
0
-5
-10
输入回波损耗(V
d
=8V, V
g1
= -5V , PS = 17dBm的)
17
16
15
14
8
8.5
9
9.5
10
F [千兆赫]
10.5
11
11.5
12
8
8.5
9
9.5
10
F [千兆赫]
10.5
11
11.5
12
输出功率(V
d
=8V, V
g1
= -5V , PS = 17dBm的)
33
功率附加效率(V
d
=8V, V
g1
= -5V , PS = 17dBm的)
50
45
32
40
噘嘴[ dBm的]
31
PAE [%]
35
30
30
25
29
8
8.5
9
9.5
10
F [千兆赫]
10.5
11
11.5
12
20
8
8.5
9
9.5
10
F [千兆赫]
10.5
11
11.5
12
MIMIX亚洲公司( MIMIX宽带, Inc.的子公司)
3F , 3-2工业东九路,科学工业园区新竹,台湾, ROC
电话:+ 886-3-567-9680 传真:+ 886-3-567-9433 mimixbroadband.com
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功率放大器
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P1014-BD
1.962
(0.077)
2.412
(0.095)
机械制图
1.400
(0.055)
XP1014
MIMIX宽带
I0005129
TNO 2005
2
3
0.449
(0.018)
1
6
0.0
4
5
3.200
(0.126)
0.449
(0.018)
0.0
1.662
(0.065)
1.962
(0.077)
(注:工程代号为I0005129 )
单位:毫米(英寸)粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度: 0.110 +/- 0.010 ( 0.0043 +/- 0.0004 ) ,背面是地面,邦德垫/背面金属:黄金
所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 ( 0.004 X 0.004 ) 。所有RF接合焊盘是0.120 X 0.200 ( 0.005 X 0.008 )
接合焊盘的中心大约0.109 ( 0.004 ),从芯片的边缘。
切割公差: +/- 0.005 ( +/- 0.0002 ) 。大约重量: 2.778毫克。
焊盘# 1 ( RF输入)
焊盘# 2 ( Vd1的)
焊盘# 3 ( Vd2的)
焊盘# 4 ( RF输出)
焊盘# 5 ( VG2 )
焊盘# 6 ( VG1 )
偏置安排
Vd1
XP1014
MIMIX宽带
I0004966
TNO 2005
Vd2
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
2
3
在RF
1
6
5
4
RF OUT
Vg1
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应用笔记[1]偏置 -
此设备的设计具有两个选项用于偏置。 vg1中通过活性,片上施加栅极偏压
偏置电路以及Vg2通过一个电阻分压器施加栅极偏压。使用第一个选项和应用的VG1 = -5.0V标称偏差和
VD ( 1,2) = 8.0V通常会产生一个总的漏电流Id ( TOTAL ) = 450毫安。可替换地,漏极电流可以通过设置来调节
VG2 = -5.0V和VD ( 1,2) = 8.0V它通常会产生一个总的漏电流Id ( TOTAL ) = 450毫安。它建议使用有源偏置
保持电流恒定的射频功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。此外,一定要
序列所施加的电压,以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排 -
每个DC垫( Vd1的,图2和Vg的或VGG )需要具有直流旁路电容( 100-200 pF)时尽可能接近所述设备成为可能。另外
DC旁路电容( 0.01 UF)还建议。
MTTF
XP1014 MTTF与背板温度和脉冲占空比
1.0E+05
100%的直流
平均无故障时间(单位:百万小时)
1.0E+04
1.0E+03
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
背板温度(C )
平均无故障时间是从单个装置的加速寿命的时间数据来计算,并假设等温背板。
50 %的DC
30 %的DC
10 %的DC
偏置条件:
VD1 = Vd2的= 8.0V , ID(
) = 450毫安
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搬运和装配信息
注意!
- MIMIX宽带MMIC产品包含砷化镓(GaAs ),这会危害人体
和环境。为安全起见,请遵循以下步骤:
不要摄取。
不要更改此产物为气体,粉末的形式,或者通过燃烧液体,粉碎,或化学处理,因为这些
副产品是危险的,如果吸入,食入,或吞入人体。
废弃本产品时,应遵守政府法律和公司章程。本产品必须被丢弃
根据由适用的危险废物的程序所指定的方法。
生命支持政策
- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件
系统没有总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如本文所用:
( 1 )生命支持设备或系统指:(a )打算通过外科手术移植到体内的装置或系统,或
(二)支持或维持生命,而其不履行时,正确使用符合规定的使用说明
在标签,可以合理预期造成显著伤害到用户。 ( 2 )关键部件是任何
生命支持设备或系统,其不履行可以合理预期造成的故障的组件
生命支持设备或系统,或影响其安全性或有效性。
ESD
- 砷化镓(GaAs )器件易受静电和机械损伤。死在抗静电提供
容器,应在无尘室条件下被打开,在适当的接地防静电工作站。设备
需要小心处理的正确使用夹头设计,真空或皮卡,小心,锋利的镊子。
芯片连接
- 从MIMIX宽带砷化镓产品有0.100毫米( 0.004" )厚,通过向背面有孔
使接地电路。微带基片应使尽可能靠近模具成为可能。安装面
应该是干净,平整。如果使用导电环氧树脂,环氧树脂建议是田中TS3332LD ,模垫DM6030HK或
DM6030HK铂固化在按照生产商的固化时间为氮气气氛。适用于环氧谨慎,以避免得到任何
上的管芯的顶表面上。环氧角应在总芯片周边可见。有关其他信息
请参阅MIMIX "Epoxy规格裸Die"应用笔记。若共晶的安装是优选的,然后无焊剂
金 - 锡(金锡)预型件,约0.001
2
厚,置于模具和安装面之间应使用。一模
键合机是利用加热夹套,并提供擦洗行动,以确保总湿润,防止空隙形成的
氮气氛中,推荐。金 - 锡共晶(80%金20% Sn)的具有大约280 C的熔点
(注:金锗应避免) 。该工作站的温度应该是310 C +/- 10℃ 。暴露于这些
极端的温度应保持在最低限度。套爪应加热,并在模具预加热,以避免过度的
热冲击。空中桥梁和影响力的是避免放置过程中是至关重要的。
引线键合
- 窗的表面钝化上面键合焊盘被提供以允许引线键合到管芯的金
焊垫。推荐使用引线键合过程使用0.076毫米X 0.013毫米( 0.003" X 0.0005" ) 99.99 %的纯金
丝带0.5-2 %的伸长率,以减少RF端口债券电感。黄金0.025毫米( 0.001" )直径的楔形或债券球
是可以接受的直流偏置连接。应避免使用铝线。热压粘合推荐
虽然热超声键合,可以使用提供所述键的超声波含量最小化。粘结力,时间和
超声波都是至关重要的参数。键应当在管芯的封装或基板上而制成的键合焊盘。所有
债券应尽可能地短。
订购信息
如需订购部件号
XP1014-BD-000V
XP1014-BD-EV1
描述
其中,“ V”是符合RoHS标准模具装在真空释放凝胶帕克什
XP1014芯片评估模块
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    -
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XP1014-BD-000V
MACOM
2443+
23000
20
一级代理专营,原装现货,价格优势
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