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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第28页 > XP05601
复合晶体管
XP5601
PNP硅外延平面晶体管（ Tr1的）
NPN硅外延平面晶体管（ TR2）
单位：mm
0.425
1.25±0.1
0.425
0.2±0.05
对于一般的放大
0.65
2.1±0.1
0.65
q
q
两个元素合并到一个包中。
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.0±0.1
s
特点
1
2
3
6
5
4
0.9±0.1
q
2SB709A+2SD601A
0.7±0.1
0-0.1
0.2±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr1
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr2
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–60
–50
–7
–100
–200
60
50
7
100
200
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
V
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：基地（ Tr1的）
3 ：基地（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：发射器（ TR2）
6 ：收集器（ Tr1的）
EIAJ ： SC -88
S-迷你型包装（ 6针）
标记符号：
4N
内部连接
1
Tr1
6
5
4
V
V
mA
mA
mW
C
C
2
3
Tr2
0.12
–0.02
s
元素的基本型号
0.2
+0.05
1
复合晶体管
XP5601
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CB
= -20V ，我
E
= 0
V
CE
= -10V ，我
B
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
160
– 0.3
80
2.7
民
–60
–50
–7
– 0.1
–100
460
– 0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
s
电气特性
q
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
q
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
160
0.1
150
3.5
民
60
50
7
0.1
100
460
0.3
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
2个元素之间的比例
2
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
500
XP5601
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
–60
Ta=25C
–50
I
B
=–300A
–50
–60
V
CE
= – 5V
Ta=25C
I
C
— I
B
–400
–350
I
B
— V
BE
V
CE
=–5V
Ta=25C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
–250A
–40
–200A
–30
–40
–150A
–30
–20
–100A
–20
基极电流I
B
(
A
)
–300
–250
–200
–150
–100
–50
–10
–50A
–10
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18
0
0
–100
–200
–300
–400
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
–240
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=–5V
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
=–10V
–200
25C
Ta=75C
–25C
–3
–1
–0.3
–25C
–0.1
–0.03
–0.01
Ta=75C
25C
正向电流传输比H
FE
500
集电极电流I
C
（MA ）
–160
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
–120
–80
–40
100
–0.003
–0.001
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
基极至发射极电压V
BE
(V )
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
复合晶体管
f
T
— I
E
160
8
XP5601
C
ob
— V
CB
6
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
NF - 我
E
V
CB
=–5V
f=1kHz
R
g
=2k
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
过渡频率f
T
（兆赫）
140
120
100
80
60
40
20
0
0.1
V
CB
=–10V
Ta=25C
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
5
噪声系数NF （ dB）的
4
3
2
1
0.3
1
3
10
30
100
–2 –3 –5
–10
–20 –30 –50
–100
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
发射极电流I
E
（MA ）
NF - 我
E
20
18
16
V
CB
=–5V
R
g
=50k
Ta=25C
300
200
-h参数 - 我
E
300
200
h
fe
100
-h参数 - V
CE
I
E
=2mA
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
100
噪声系数NF （ dB）的
14
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1kHz
10kHz
5
3
2
1
0.1
h
re
(×10
–4
)
0.2 0.3 0.5
1
2
V
CE
= – 5V
f=270Hz
Ta=25C
3
5
10
h
ie
(k)
参数h
f=100Hz
30
20
10
h
oe
(S)
参数h
50
50
30
20
h
oe
(S)
10
5
3
2
1
0.1
h
re
(×10
–4
)
h
ie
(k)
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Tr2的特性图
I
C
— V
CE
60
Ta=25C
I
B
=160A
50
1000
1200
V
CE
=10V
Ta=25C
I
B
— V
BE
240
I
C
— V
BE
V
CE
=10V
200
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
(
A
)
140A
40
120A
100A
30
80A
20
60A
40A
10
20A
0
0
2
4
6
8
10
集电极电流I
C
（MA ）
800
160
600
120
Ta=75C
80
25C
–25C
400
200
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
4
复合晶体管
I
C
— I
B
240
100
XP5601
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
=10V
200
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
Ta=75C
–25C
正向电流传输比H
FE
V
CE
=10V
Ta=25C
500
集电极电流I
C
（MA ）
160
400
Ta=75C
25C
120
300
–25C
80
200
40
100
0
0
200
400
600
800
1000
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基极电流I
B
(
A
)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
— I
E
300
V
CB
=10V
Ta=25C
240
NV - 我
C
V
CE
=10V
G
V
=80dB
200功能= FLAT
Ta=25C
160
过渡频率f
T
（兆赫）
180
噪声电压NV （MV ）
240
120
R
g
=100k
120
80
22k
4.7k
60
40
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
10
20 30 50
100
200 300 500 1000
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
(
A
)
5
复合晶体管
XP05601
(XP5601)
PNP硅外延平面晶体管（ Tr1的）
NPN硅外延平面晶体管（ TR2）
单位：mm
0.425
1.25±0.1
0.425
0.2±0.05
对于一般的放大
2.1±0.1
0.65
G
G
两个元素合并到一个包中。
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.0±0.1
I
特点
0.65
1
2
3
6
5
4
0.9±0.1
G
2SB0709A （ 2SB709A ） + 2SD0601A （ 2SD601A ）
0.7±0.1
0-0.1
0.2±0.1
I
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr1
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr2
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–60
–50
–7
–100
–200
60
50
7
100
200
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：基地（ Tr1的）
3 ：基地（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：发射器（ TR2）
6 ：收集器（ Tr1的）
EIAJ ： SC -88
S-迷你型包装（ 6针）
标记符号：
4N
内部连接
1
2
3
Tr1
6
5
4
Tr2
注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。
0.12
–0.02
I
元素的基本型号
0.2
+0.05
1
复合晶体管
XP05601
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CB
= -20V ，我
E
= 0
V
CE
= -10V ，我
B
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
160
– 0.3
80
2.7
民
–60
–50
–7
– 0.1
–100
460
– 0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
I
电气特性
G
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
G
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
160
0.1
150
3.5
民
60
50
7
0.1
100
460
0.3
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
2个元素之间的比例
2
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
250
XP05601
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
–60
Ta=25C
–50
I
B
=–300A
–50
–60
V
CE
=–5V
Ta=25C
I
C
— I
B
–400
–350
I
B
— V
BE
V
CE
=–5V
Ta=25C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
–250A
–40
–200A
–30
–40
–150A
–30
–20
–100A
–20
–10
–50A
–10
基极电流I
B
(
A
)
–300
–250
–200
–150
–100
–50
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18
0
0
–100
–200
–300
–400
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
–240
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=–5V
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
=–10V
–200
25C
Ta=75C
–25C
–3
–1
–0.3
–25C
–0.1
–0.03
–0.01
Ta=75C
25C
正向电流传输比H
FE
500
集电极电流I
C
（MA ）
–160
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
–120
–80
–40
100
–0.003
–0.001
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
复合晶体管
f
T
— I
E
160
8
XP05601
C
ob
— V
CB
6
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
NF - 我
E
V
CB
=–5V
f=1kHz
R
g
=2k
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CB
=–10V
Ta=25C
过渡频率f
T
（兆赫）
140
120
100
80
60
40
20
0
0.1
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
5
噪声系数NF （ dB）的
4
3
2
1
0.3
1
3
10
30
100
–2 –3 –5
–10
–20 –30 –50
–100
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
发射极电流I
E
（MA ）
NF - 我
E
20
18
16
V
CB
=–5V
R
g
=50k
Ta=25C
300
200
-h参数 - 我
E
300
200
h
fe
100
-h参数 - V
CE
I
E
=2mA
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
100
噪声系数NF （ dB）的
14
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1kHz
10kHz
5
3
2
1
0.1
h
re
(×10
–4
)
0.2 0.3 0.5
1
2
V
CE
=–5V
f=270Hz
Ta=25C
3
5
10
h
ie
(k)
参数h
f=100Hz
30
20
10
h
oe
(S)
参数h
50
50
30
20
h
oe
(S)
10
5
3
2
1
0.1
h
re
(×10
–4
)
h
ie
(k)
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Tr2的特性图
I
C
— V
CE
60
Ta=25C
I
B
=160A
50
1000
1200
V
CE
=10V
Ta=25C
I
B
— V
BE
240
I
C
— V
BE
V
CE
=10V
200
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
(
A
)
140A
40
120A
100A
30
80A
20
60A
40A
10
20A
0
0
2
4
6
8
10
集电极电流I
C
（MA ）
800
160
600
120
Ta=75C
80
25C
–25C
400
200
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
4
复合晶体管
I
C
— I
B
240
100
XP05601
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
=10V
200
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
Ta=75C
–25C
正向电流传输比H
FE
V
CE
=10V
Ta=25C
500
集电极电流I
C
（MA ）
160
400
Ta=75C
25C
120
300
–25C
80
200
40
100
0
0
200
400
600
800
1000
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基极电流I
B
(
A
)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
— I
E
300
V
CB
=10V
Ta=25C
240
NV - 我
C
V
CE
=10V
G
V
=80dB
200功能= FLAT
Ta=25C
160
过渡频率f
T
（兆赫）
180
噪声电压NV （MV ）
240
120
R
g
=100k
120
80
22k
4.7k
60
40
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
10
20 30 50
100
200 300 500 1000
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
(
A
)
5
复合晶体管
XP5601
PNP硅外延平面晶体管（ Tr1的）
NPN硅外延平面晶体管（ TR2）
单位：mm
0.425
1.25±0.1
0.425
0.2±0.05
对于一般的放大
0.65
2.1±0.1
0.65
q
q
两个元素合并到一个包中。
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.0±0.1
s
特点
1
2
3
6
5
4
0.9±0.1
q
2SB709A+2SD601A
0.7±0.1
0-0.1
0.2±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr1
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr2
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–60
–50
–7
–100
–200
60
50
7
100
200
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
V
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：基地（ Tr1的）
3 ：基地（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：发射器（ TR2）
6 ：收集器（ Tr1的）
EIAJ ： SC -88
S-迷你型包装（ 6针）
标记符号：
4N
内部连接
1
Tr1
6
5
4
V
V
mA
mA
mW
C
C
2
3
Tr2
0.12
–0.02
s
元素的基本型号
0.2
+0.05
1
复合晶体管
XP5601
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CB
= -20V ，我
E
= 0
V
CE
= -10V ，我
B
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
160
– 0.3
80
2.7
民
–60
–50
–7
– 0.1
–100
460
– 0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
s
电气特性
q
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
q
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
160
0.1
150
3.5
民
60
50
7
0.1
100
460
0.3
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
2个元素之间的比例
2
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
500
XP5601
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
–60
Ta=25C
–50
I
B
=–300A
–50
–60
V
CE
= – 5V
Ta=25C
I
C
— I
B
–400
–350
I
B
— V
BE
V
CE
=–5V
Ta=25C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
–250A
–40
–200A
–30
–40
–150A
–30
–20
–100A
–20
基极电流I
B
(
A
)
–300
–250
–200
–150
–100
–50
–10
–50A
–10
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18
0
0
–100
–200
–300
–400
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
–240
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=–5V
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
=–10V
–200
25C
Ta=75C
–25C
–3
–1
–0.3
–25C
–0.1
–0.03
–0.01
Ta=75C
25C
正向电流传输比H
FE
500
集电极电流I
C
（MA ）
–160
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
–120
–80
–40
100
–0.003
–0.001
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
基极至发射极电压V
BE
(V )
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
复合晶体管
f
T
— I
E
160
8
XP5601
C
ob
— V
CB
6
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
NF - 我
E
V
CB
=–5V
f=1kHz
R
g
=2k
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
过渡频率f
T
（兆赫）
140
120
100
80
60
40
20
0
0.1
V
CB
=–10V
Ta=25C
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
5
噪声系数NF （ dB）的
4
3
2
1
0.3
1
3
10
30
100
–2 –3 –5
–10
–20 –30 –50
–100
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
发射极电流I
E
（MA ）
NF - 我
E
20
18
16
V
CB
=–5V
R
g
=50k
Ta=25C
300
200
-h参数 - 我
E
300
200
h
fe
100
-h参数 - V
CE
I
E
=2mA
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
100
噪声系数NF （ dB）的
14
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1kHz
10kHz
5
3
2
1
0.1
h
re
(×10
–4
)
0.2 0.3 0.5
1
2
V
CE
= – 5V
f=270Hz
Ta=25C
3
5
10
h
ie
(k)
参数h
f=100Hz
30
20
10
h
oe
(S)
参数h
50
50
30
20
h
oe
(S)
10
5
3
2
1
0.1
h
re
(×10
–4
)
h
ie
(k)
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Tr2的特性图
I
C
— V
CE
60
Ta=25C
I
B
=160A
50
1000
1200
V
CE
=10V
Ta=25C
I
B
— V
BE
240
I
C
— V
BE
V
CE
=10V
200
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
(
A
)
140A
40
120A
100A
30
80A
20
60A
40A
10
20A
0
0
2
4
6
8
10
集电极电流I
C
（MA ）
800
160
600
120
Ta=75C
80
25C
–25C
400
200
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
4
复合晶体管
I
C
— I
B
240
100
XP5601
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
=10V
200
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
Ta=75C
–25C
正向电流传输比H
FE
V
CE
=10V
Ta=25C
500
集电极电流I
C
（MA ）
160
400
Ta=75C
25C
120
300
–25C
80
200
40
100
0
0
200
400
600
800
1000
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基极电流I
B
(
A
)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
— I
E
300
V
CB
=10V
Ta=25C
240
NV - 我
C
V
CE
=10V
G
V
=80dB
200功能= FLAT
Ta=25C
160
过渡频率f
T
（兆赫）
180
噪声电压NV （MV ）
240
120
R
g
=100k
120
80
22k
4.7k
60
40
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
10
20 30 50
100
200 300 500 1000
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
(
A
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