【复合晶体管XP03390NPN硅外延平面型晶体管（ Tr1的）PNP硅外延平面型晶体管（ TR2）对】,IC型号XP03390,XP03390 PDF资料,XP03390经销商,ic,电子元器件-51电子网

复合晶体管

XP03390

NPN硅外延平面型晶体管（ Tr1的）

PNP硅外延平面型晶体管（ TR2）

对于数字电路

特点

两个元素合并到一个包

（晶体管具有内置电阻）

由一个半减少安装面积和装配成本的

(0.425)

单位：mm

0.12

+0.05

–0.02

0.20

±0.05

1.25

±0.10

2.1

±0.1

(0.65) (0.65)

1.3

±0.1

2.0

±0.1

元素的基本型号

UNR1213 （ UN1213 ）

UNR1114 （ UN1114 ）

0.9

±0.1

绝对最大额定值

25°C

参数

集电极 - 基极电压

Tr1

集电极到发射极电压

集电极电流

集电极 - 基极电压

Tr2

集电极到发射极电压

集电极电流

总功耗

总

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

英镑

等级

100

150

+150

单位

°C

Tr1

1 ：发射器（ Tr1的）

2 ：基地（ Tr1的）

3 ：发射器（ TR2）

EIAJ ： SC- 88A

0-0.1

0.9

+0.2

–0.1

标记符号： EX

内部连接

电气特性

25°C

3°C

Tr1

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

收藏家Cuto FF电流

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极到发射极饱和电压

高电平输出电压

低电平输出电压

输入阻抗

电阻率

增益带宽积

EBO

CE （ SAT ）

10 V，I

= 2

毫安，女

200MHz

条件

2毫安，我

50 V，I

6 V，I

10 V，I

5毫安

10毫安，我

0.3毫安

5 V, V

0.5 V ，R

1 k

5 V, V

3.5 V ，R

1 k

民

典型值

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：收藏家（ Tr1的）

：基地（ TR2）

SMini5 -G1封装

Tr2

最大

单位

0.1

0.5

0.1

0.25

4.9

0.2

30%

0.8

1.0

150

+30%

1.2

兆赫

注）括号中的部分数字表示以往的零件号。

出版日期： 2002年5月

SJJ00236AED

0.2

±0.1

XP03390

电气特性（续）

25°C

3°C

Tr2

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

收藏家Cuto FF电流

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极到发射极饱和电压

高电平输出电压

低电平输出电压

输入阻抗

电阻率

增益带宽积

EBO

CE （ SAT ）

= 10

V，I

1毫安，女

200MHz

条件

= 10 A,

= 2

妈，我

= 50

V，I

= 50

V，I

= 6

V，I

= 10

V，I

= 5

= 10

妈，我

0.3毫安

= 5

V, V

0.5 V ，R

1 k

= 5

V, V

= 2.5

V ，R

1 k

30%

0.17

0.21

4.9

0.2

+30%

0.25

兆赫

0.25

民

0.1

0.5

0.2

典型值

最大

单位

常见characterisitcs图

175

150

125

100

总功耗P

（ mW）的

80 100 120 140 160

环境温度T

(

°C

)

Characterisitcs图Tr1的

1.0毫安

0.9毫安

0.8毫安

120

25°C

CE （ SAT ）

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

/ I

320

10 V

280

240

140

集电极电流I

（MA ）

直流电流增益

100

0.7毫安

0.6毫安

0.5毫安

0.4毫安

0.3毫安

75°C

25°C

200

160

25°C

120

0.2毫安

0.1

75°C

25°C

0.1毫安

0.01

0.1

100

0.1

100

1 000

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

SJJ00236AED

XP03390

100

5 V

25°C

100

0.2 V

25°C

集电极输出电容C

（PF ）

1兆赫

25°C

输出电流I

（MA ）

输入电压V

(V)

0.1

100

集电极基极电压V

(V)

输入电压V

(V)

输出电流I

（MA ）

Characterisitcs图Tr2的

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

140

120

25°C

= 1.0

CE （ SAT ）

0.9毫安

0.8毫安

0.7毫安

0.6毫安

0.5毫安

0.4毫安

0.3毫安

0.2毫安

/ I

300

= 10

75°C

25°C

150

250

集电极电流I

（MA ）

直流电流增益

100

000

100

200

0.1

75°C

25°C

25C

100

0.1毫安

0.01

100

000

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

100

= 5

25°C

100

0.2 V

25°C

集电极输出电容C

（PF ）

1兆赫

25°C

输出电流I

（MA ）

输入电压V

(V)

5 10 15 20 25 30 35 40

0.1

0.5

1.5

2.5

0.1

100

集电极基极电压V

(V)

输入电压V

(V)

输出电流I

（MA ）

SJJ00236AED

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在这本书中描述的半导体

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彪如有下"Foreign在这本书中描述和控制的产品或技术

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可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

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产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保

最新的规格满足您的要求。

（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大的

额定值，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。否则，

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即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议

分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施

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建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用

产品。

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保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，

单独交流。

（ 8 ）这本书可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面

松下电器产业株式会社许可

2002年5月