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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第222页 > XP03312
复合晶体管
XP03312
NPN硅外延平面晶体管( Tr1的)
PNP硅外延平面晶体管( TR2)
单位:mm
对于开关/数字电路
0.425
2.1±0.1
1.25±0.1
0.425
0.65
q
q
0.9± 0.1
0-0.1
s
元素的基本型号
q
0.7±0.1
0.12
– 0.02
+0.05
两个元素合并到一个包中。
(晶体管具有内置电阻, Tr1的集气器被连接到
TR2基地。 )
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.0±0.1
s
特点
0.65
1
2
3
5
4
0.2
0.2±0.1
UN1212+UN1112
1 :发射器( Tr1的)
2 :基地( Tr1的)
3 :发射器( TR2)
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
Tr1
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极 - 基极电压
Tr2
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
–50
–50
–100
150
150
-55到+150
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
C
C
4 :收藏家( TR2)
5 :收藏家( Tr1的)
Base(Tr2)
EIAJ : SC- 88A
S-迷你型包装( 5针)
标记符号:
4P
内部连接
1
2
3
4
Tr1
5
Tr2
0.2±0.05
1
复合晶体管
XP03312
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/R
2
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= -1mA , F = 200MHz的
条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ,R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ,R
L
= 1k
–30%
0.8
22
1.0
150
4.9
0.2
+30%
1.2
兆赫
60
0.25
V
V
V
k
50
50
0.1
0.5
0.2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
s
电气特性
q
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
q
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/R
2
f
T
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 200MHz的
条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
V
CB
= -50V ,我
E
= 0
V
CE
= -50V ,我
B
= 0
V
EB
= -6V ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -5mA
I
C
= -10mA ,我
B
= - 0.3毫安
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ,R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -2.5V ,R
L
= 1k
–30%
0.8
22
1.0
80
–4.9
– 0.2
+30%
1.2
兆赫
60
– 0.25
V
V
V
k
–50
–50
– 0.1
– 0.5
– 0.2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
2
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
250
XP03312
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
I
B
=–1.0mA
Ta=25C
–100
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
= –10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
Ta=75C
集电极电流I
C
(MA )
–0.9mA
–120
–100
–80
–60
–0.3mA
–40
–0.2mA
–20
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
正向电流传输比H
FE
25C
120
–25C
80
25C
40
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
IN
— I
O
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
3
复合晶体管
Tr2的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
Ta=25C
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
XP03312
V
CE ( SAT )
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
= –10V
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
–120
–100
300
Ta=75C
200
25C
–25C
100
25C
Ta=75C
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
–10000
–3000
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
复合晶体管
XP03312
NPN硅外延平面型( Tr1的)
PNP硅外延平面型( TR2)
对于数字电路
特点
基本型号
UNR2212
+
UNR2112
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
Tr1
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
Tr2
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
V
CBO
V
首席执行官
I
C
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
整体
总功耗
结温
储存温度
P
T
T
j
Ma
INT
en
an
ce
/D
ISC
on
TIN
T
英镑
d
解放军INC。
Pl
ea
NE LUD
se
解放军米D M ES
NE艾因艾因FOLL
HTT访问
D D忒忒流
电话号码: / FO
/ W LLO DIS ISC楠楠荷兰国际集团
在CE FO WW无线合作
.SE吴ntin锡TY ê TY UR
MI UR UE UED PE PE临
合升的吨TY
du
n.p博YP PE
ct
e
生活
在UT
d
由于纬度
cy
在ES
CLE
IC 。吨
STA
合作FO
ge
.JP RM
.
/恩在
/离子
.
4 :收藏家( TR2)
5 :收藏家( Tr1的)
基地( TR2)
等级
50
50
单位
V
V
M
艾因
Di
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
两个元素合并到一个包
(晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本的
CODE
SMini5-G1
引脚名称
1 :发射器( Tr1的)
2 :基地( Tr1的)
3 :发射器( TR2)
5
100
mA
V
V
50
50
标记符号: 4P
内部连接
4
Tr1
Tr2
1
2
3
100
150
150
mA
°C
mW
°C
ue
55
to
+150
出版日期: 2009年5月
SJJ00158CED
1
本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
XP03312
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
60
50
50
0.1
0.5
0.2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
0.25
V
V
0.2
V
+30%
1.2
输出电压低级别
输入阻抗
V
OL
R
1
f
T
电阻率
R
1
/ R
2
跃迁频率
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
f
T
电阻率
ISC
R
1
/ R
2
共同的特征图
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
Ma
40
INT
P
T
T
a
en
80
an
ce
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
120
环境温度T
a
(
°C
)
2
/D
跃迁频率
160
d
解放军INC。
Pl
ea
NE LUD
se
解放军米D M ES
NE艾因艾因FOLL
HTT访问
D D忒忒流
电话号码: / FO
/ W LLO DIS ISC楠楠荷兰国际集团
在CE FO WW无线合作
.SE吴ntin锡TY ê TY UR
MI UR UE UED PE PE临
合升的吨TY
du
n.p博YP PE
ct
e
生活
在UT
d
由于纬度
cy
在ES
CLE
IC 。吨
STA
合作FO
ge
.JP RM
.
/恩在
/离子
.
30%
0.8
22
k
1.0
V
CB
=
10 V,I
E
= 2
毫安,女
=
200兆赫
150
兆赫
条件
50
50
典型值
最大
单位
V
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
CE
= 50
V,I
B
=
0
V
EB
= 6
V,I
C
=
0
0.1
0.5
A
A
V
V
0.2
mA
V
CE
= 10
V,I
C
= 5
mA
60
I
C
= 10
妈,我
B
=
0.3毫安
0.25
0.2
1.2
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
4.9
V
30%
0.8
22
+30%
k
1.0
80
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
兆赫
SJJ00158CED
M
艾因
Di
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
V
CE ( SAT )
V
OH
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 k
4.9
on
TIN
ue
本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
XP03312
Tr1的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
160
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
120
100
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
集电极电流I
C
(MA )
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
M
艾因
Di
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
80
1
200
0.3毫安
25°C
25°C
25°C
T
a
=
75°C
40
0.2毫安
0.1
100
25°C
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
4
3
2
1
ue
0
0.1
1
10
100
Ma
INT
en
an
ce
/D
ISC
on
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
d
解放军INC。
Pl
ea
NE LUD
se
解放军米D M ES
NE艾因艾因FOLL
HTT访问
D D忒忒流
电话号码: / FO
/ W LLO DIS ISC楠楠荷兰国际集团
在CE FO WW无线合作
.SE吴ntin锡TY ê TY UR
MI UR UE UED PE PE临
合升的吨TY
du
n.p博YP PE
ct
e
生活
在UT
d
由于纬度
cy
在ES
CLE
IC 。吨
STA
合作FO
ge
.JP RM
.
/恩在
/离子
.
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
I
O
V
IN
V
IN
I
O
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
输出电流I
O
(A)
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
10
0.1
1
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
100
TIN
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJJ00158CED
3
本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
XP03312
Tr2的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
80
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
160
集电极电流I
C
(MA )
120
10
正向电流传输比H
FE
300
M
艾因
Di
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
25°C
T
a
= 75°C
1
T
a
= 75°C
200
25°C
25°C
40
0.1
100
25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
4
3
2
1
ue
0
0.1
1
10
100
4
Ma
INT
en
an
ce
/D
ISC
on
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
d
解放军INC。
Pl
ea
NE LUD
se
解放军米D M ES
NE艾因艾因FOLL
HTT访问
D D忒忒流
电话号码: / FO
/ W LLO DIS ISC楠楠荷兰国际集团
在CE FO WW无线合作
.SE吴ntin锡TY ê TY UR
MI UR UE UED PE PE临
合升的吨TY
du
n.p博YP PE
ct
e
生活
在UT
d
由于纬度
cy
在ES
CLE
IC 。吨
STA
合作FO
ge
.JP RM
.
/恩在
/离子
.
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
I
O
V
IN
V
IN
I
O
10
4
V
O
=
5
V
T
a
= 25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
输出电流I
O
(A)
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
10
2
1
10
0.1
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
TIN
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJJ00158CED
10
°
Ma
1
5
(0.65)
SMini5-G1
INT
an
ce
1.3
±0.1
2.0
±0.1
en
/D
0.20
±0.05
2
ISC
(0.425)
(0.65)
on
TIN
4
3
ue
±0.10
±0.1
±0.1
本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
SJJ00158CED
+0.2
0.1
±0.1
M
艾因
Di
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
0.12
+0.05
0.02
单位:mm
d
解放军INC。
Pl
1.25
ea
NE LUD
0.9
0-0.1
s
2.1
解放军米D M ES
ev
NE艾因艾因FOLL
HTT ISIT
0.9
D D忒忒流
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MI UR UE UED PE PE临
合升的吨TY
5
°
d
uc
n.p博YP PE
吨丽
在UT ê
d
FEC
由于纬度
yc
在ES
le
IC 。吨
STA
合作FO
ge
.JP RM
.
/恩在
0.2
/离子
.
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联系人:何小姐
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