【复合晶体管XP1504NPN硅外延平面晶体管单位：mm2.1±0.10.4251.25±0.10.4】,IC型号XP01504,XP01504 PDF资料,XP01504经销商,ic,电子元器件-51电子网

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复合晶体管

XP1504

NPN硅外延平面晶体管

单位：mm

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

0.2±0.05

0.12

– 0.02

+0.05

对于低频输出的放大

0.65

s

特点

2.0±0.1

q

q

两个元素合并到一个包中。

（发射极耦合晶体管）

由一个半减少安装面积和装配成本。

1

2

3

5

0.65

4

0.9± 0.1

q

2SD1938

×

2元

0.7±0.1

s

元素的基本型号

0.2

0-0.1

0.2±0.1

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

额定值集电极到发射极电压

of

发射器基极电压

元素

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

T

T

j

T

英镑

(Ta=25C)

评级

50

20

25

300

500

150

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

C

C

1 ：基地（ Tr1的）

2 ：发射器

3 ：基地（ TR2）

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：收藏家（ Tr1的）

EIAJ ： SC- 88A

S-迷你型包装（ 5针）

标记符号：

5S

内部连接

1

2

3

4

Tr1

5

Tr2

s

电气特性

参数

集电极到发射极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

抗性

*1

(Ta=25C)

符号

V

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

C

ob

R

on*1

1k

I

B

=1mA

f=1kHz

V=0.3V

条件

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

V

CB

= 50V ，我

E

= 0

V

EB

= 25V ，我

C

= 0

V

CE

= 2V ，我

C

= 4毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 4毫安

V

CB

= 6V ，我

E

= -4mA中，f = 200MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

民

20

典型值

最大

单位

V

A

A

0.1

0.1

500

2500

0.1

0.6

80

7

1.0

V

V

兆赫

pF

R

on

测量电路

V

B

V

V

V

A

R

on

=

V

B

!1000()

V

A

–V

B

1

复合晶体管

P

T

- TA

250

XP1504

I

C

— V

CE

24

Ta=25C

120

V

CE

=2V

100

I

B

=10A

16

9A

8A

7A

6A

5A

8

4A

3A

2A

1A

25C

Ta=75C

80

–25C

I

C

— V

BE

总功耗P

T

（ mW）的

150

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

200

20

12

60

100

40

50

4

20

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

2

4

6

8

10

12

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

10

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=10

f

T

— I

E

120

2400

V

CE

=2V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

2000

过渡频率f

T

（兆赫）

100

V

CB

=6V

f=200MHz

Ta=25C

1

1600

Ta=75C

25C

1200

–25C

800

80

0.1

25C

0.01

60

Ta=75C

40

–25C

400

20

0.001

0.1

0

1

10

100

1

3

10

30

100

300

1000

0

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

发射极电流I

E

（MA ）

C

ob

— V

CB

12

集电极输出电容C

ob

（PF ）

10

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

8

6

4

2

0

1

3

10

30

100

集电极基极电压V

CB

(V)

2

复合晶体管

XP1504

NPN硅外延平面晶体管

单位：mm

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

0.2±0.05

0.12

– 0.02

+0.05

对于低频输出的放大

0.65

s

特点

2.0±0.1

q

q

两个元素合并到一个包中。

（发射极耦合晶体管）

由一个半减少安装面积和装配成本。

1

2

3

5

0.65

4

0.9± 0.1

q

2SD1938

×

2元

0.7±0.1

s

元素的基本型号

0.2

0-0.1

0.2±0.1

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

额定值集电极到发射极电压

of

发射器基极电压

元素

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

T

T

j

T

英镑

(Ta=25C)

评级

50

20

25

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500

150

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

C

C

1 ：基地（ Tr1的）

2 ：发射器

3 ：基地（ TR2）

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：收藏家（ Tr1的）

EIAJ ： SC- 88A

S-迷你型包装（ 5针）

标记符号：

5S

内部连接

1

2

3

4

Tr1

5

Tr2

s

电气特性

参数

集电极到发射极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

抗性

*1

(Ta=25C)

符号

V

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

C

ob

R

on*1

1k

I

B

=1mA

f=1kHz

V=0.3V

条件

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

V

CB

= 50V ，我

E

= 0

V

EB

= 25V ，我

C

= 0

V

CE

= 2V ，我

C

= 4毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 4毫安

V

CB

= 6V ，我

E

= -4mA中，f = 200MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

民

20

典型值

最大

单位

V

A

A

0.1

0.1

500

2500

0.1

0.6

80

7

1.0

V

V

兆赫

pF

R

on

测量电路

V

B

V

V

V

A

R

on

=

V

B

!1000()

V

A

–V

B

1

复合晶体管

P

T

- TA

250

XP1504

I

C

— V

CE

24

Ta=25C

120

V

CE

=2V

100

I

B

=10A

16

9A

8A

7A

6A

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8

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25C

Ta=75C

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–25C

I

C

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BE

总功耗P

T

（ mW）的

150

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

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20

12

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100

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4

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0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

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4

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10

12

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

10

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=10

f

T

— I

E

120

2400

V

CE

=2V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

2000

过渡频率f

T

（兆赫）

100

V

CB

=6V

f=200MHz

Ta=25C

1

1600

Ta=75C

25C

1200

–25C

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80

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25C

0.01

60

Ta=75C

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–25C

400

20

0.001

0.1

0

1

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100

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3

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30

100

300

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0

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

发射极电流I

E

（MA ）

C

ob

— V

CB

12

集电极输出电容C

ob

（PF ）

10

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

8

6

4

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0

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3

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30

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集电极基极电压V

CB

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