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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第228页 > XP01119
复合晶体管
XP01119
(XP1119)
PNP硅外延平面型
(0.425)
单位：mm
0.12
+0.05
–0.02
对于开关/数字电路
■
特点
两个元素合并到一个包
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.20
±0.05
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.1
10
■
基本型号
UNR2119 （ UN2119 ）
×
2
0.9
±0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：基地（ Tr1的）
2 ：发射器
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC- 88A
0-0.1
0.9
+0.2
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：收藏家（ Tr1的）
SMini5 -G1封装
标记符号： 7P
内部连接
5
Tr1
4
Tr2
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
h
FE
比
*
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE （小
/大）
1
2
5
3
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ，R
L
=
1 k
民
50
50
典型值
最大
0.1
0.5
1.5
30
0.50
0.99
0.25
4.9
0.2
30%
0.08
1
0.10
80
+30%
0.12
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
兆赫
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年3月
SJJ00131BED
0.2
±0.1
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
1
XP01119
P
T
T
a
250
240
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
200
200
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
10
160
150
120
1
T
a
=
75°C
100
80
50
40
0
0
0
40
80
120
160
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
25°C
0.1
25°C
1
10
100
0.01
0.1
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
I
C
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
160
V
CE
= 10
V
6
C
ob
V
CB
F = 1 MHz的
I
E
= 0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
5
T
a
=
75°C
80
4
输出电流I
O
(
A
)
120
10
3
25°C
25°C
3
10
2
2
40
10
1
0
1
10
100
1
000
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
V
IN
I
O
100
V
O
= 0.2
V
T
a
=
25°C
输入电压V
IN
(V)
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
输出电流I
O
（MA ）
2
SJJ00131BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
复合晶体管
XP01119
(XP1119)
PNP硅外延平面型
(0.425)
单位：mm
0.12
+0.05
–0.02
对于开关/数字电路
■
特点
两个元素合并到一个包
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.20
±0.05
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.1
10
■
基本型号
UNR2119 （ UN2119 ）
×
2
0.9
±0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：基地（ Tr1的）
2 ：发射器
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC- 88A
0-0.1
0.9
+0.2
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：收藏家（ Tr1的）
SMini5 -G1封装
标记符号： 7P
内部连接
5
Tr1
4
Tr2
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
h
FE
比
*
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE （小
/大）
1
2
5
3
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ，R
L
=
1 k
民
50
50
典型值
最大
0.1
0.5
1.5
30
0.50
0.99
0.25
4.9
0.2
30%
0.08
1
0.10
80
+30%
0.12
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
兆赫
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年3月
SJJ00131BED
0.2
±0.1
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
1
XP01119
P
T
T
a
250
240
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
200
200
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
10
160
150
120
1
T
a
=
75°C
100
80
50
40
0
0
0
40
80
120
160
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
25°C
0.1
25°C
1
10
100
0.01
0.1
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
I
C
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
160
V
CE
= 10
V
6
C
ob
V
CB
F = 1 MHz的
I
E
= 0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
5
T
a
=
75°C
80
4
输出电流I
O
(
A
)
120
10
3
25°C
25°C
3
10
2
2
40
10
1
0
1
10
100
1
000
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
V
IN
I
O
100
V
O
= 0.2
V
T
a
=
25°C
输入电压V
IN
(V)
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
输出电流I
O
（MA ）
2
SJJ00131BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
复合晶体管
XP01119
(XP1119)
PNP硅外延平面晶体管
单位：mm
2.1±0.1
0.425
1.25±0.1
0.425
0.2±0.05
0.12
– 0.02
+0.05
对于开关/数字电路
0.65
I
特点
2.0±0.1
G
G
两个元素合并到一个包中。
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
1
2
3
5
0.65
4
0.9± 0.1
G
UNR1119(UN1119)
×
2元
0.7±0.1
I
元素的基本型号
I
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
0.2
0-0.1
0.2±0.1
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–100
150
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
1 ：基地（ Tr1的）
2 ：发射器
3 ：基地（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：收藏家（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 88A
S-迷你型包装（ 5针）
标记符号：
7P
内部连接
1
2
3
4
Tr1
5
Tr2
I
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*1
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
（小/大）
*1
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -2.5V ，R
L
= 1k
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
–30%
0.08
80
1
0.1
+30%
0.12
–4.9
– 0.2
30
0.5
0.99
– 0.25
V
V
V
兆赫
k
民
–50
–50
– 0.1
– 0.5
–1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。
1
复合晶体管
P
T
- TA
250
XP01119
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
I
C
— V
CE
–240
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
160
h
FE
— I
C
V
CE
=–10V
–200
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–25C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
120
Ta=75C
80
25C
–25C
–120
Ta=75C
–80
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
40
–40
0
–0.01
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
–10000
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
–3000
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
2
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并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业，给予相对权利，或者给予任何许可。
（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-
struments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购
荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
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妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，
所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们
产品。
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从我们公司。
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A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择
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产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息
在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但
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松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
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