【复合晶体管XN4556NPN外延平面晶体管单位：mm对于低频的放大0.65±0.1560.95+0.】,IC型号XN4556,XN4556 PDF资料,XN4556经销商,ic,电子元器件-51电子网

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复合晶体管

XN4556

NPN外延平面晶体管

单位：mm

对于低频的放大

0.65±0.15

6

0.95

+0.2

2.8

–0.3

1.5

–0.05

+0.25

0.65±0.15

1

0.3

–0.05

2.9

–0.05

q

q

两个元素合并到一个包中。

由一个半减少安装面积和装配成本。

1.9±0.1

+0.2

5

2

0.95

4

3

q

2SD1149

×

2元

1.1

–0.1

0.4±0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

等级

发射器基极电压

of

元集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

T

T

j

T

英镑

(Ta=25C)

评级

100

100

15

20

50

300

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

C

C

1 ：收藏家（ Tr1的）

2 ：基地（ TR2）

3 ：发射器（ TR2）

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：基地（ Tr1的）

6 ：发射器（ Tr1的）

EIAJ ： SC- 74

迷你型包装（ 6针）

标记符号：

EP

内部连接

6

5

4

Tr1

1

2

3

Tr2

s

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

收藏家Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

噪声电压

跃迁频率

(Ta=25C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CBO

I

首席执行官

h

FE

V

CE （ SAT ）

NV

f

T

条件

I

C

= 10μA ，我

E

= 0

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CB

= 60V ，我

E

= 0

V

CE

= 60V ，我

B

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 2毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

V

CE

= 10V ，我

C

= 1毫安，G

V

= 80分贝

R

g

= 100kΩ的，功能= FLAT

V

CB

= 10V ，我

E

= -2mA ， F = 200MHz的

400

0.05

80

150

民

100

100

15

0.1

1.0

2000

0.2

V

mV

兆赫

典型值

最大

单位

V

V

V

A

A

0 0.05

为0.1 0.3

0.8

0.16

–0.06

+0.2

s

元素的基本型号

+0.1

1.45±0.1

s

特点

0.5

–0.05

+0.1

+0.1

1

复合晶体管

P

T

- TA

500

80

Ta=25C

XN4556

I

C

— V

CE

60

V

CE

=10V

50

25C

I

C

— V

BE

总功耗P

T

（ mW）的

集电极电流I

C

（MA ）

60

300

I

B

=100A

80A

60A

50A

40A

30A

20A

集电极电流I

C

（MA ）

400

40

Ta=75C

–25C

40

30

200

20

20

10A

100

10

0

0

40

80

120

160

0

0

2

4

6

8

10

12

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

100

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=10

f

T

— I

E

200

1800

V

CE

=10V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

V

CB

=10V

Ta=25C

1500

Ta=75C

1200

25C

–25C

过渡频率f

T

（兆赫）

30

100

30

10

3

1

0.3

25C

0.1

0.03

0.01

0.1

Ta=75C

–25C

正向电流传输比H

FE

160

120

900

80

600

300

40

0.3

1

3

10

30

100

0

0.1

0.3

1

3

10

0

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

发射极电流I

E

（MA ）

C

ob

— V

CB

6

NV - 我

C

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

100

V

CE

=10V

G

V

=80dB

功能= FLAT

Ta=25C

R

g

=100k

100

NV - V

CE

集电极输出电容C

ob

（PF ）

5

R

g

=100k

噪声电压NV （MV ）

4

60

22k

40

5k

噪声电压NV （MV ）

80

80

60

22k

40

3

2

5k

1

20

20

0

1

2

3

5

10

20 30 50

100

0

0.01

0

0.03

0.1

0.3

1

1

2

3

5

10

I

C

=1mA

G

V

=80dB

功能= FLAT

Ta=25C

20 30 50

100

集电极基极电压V

CB

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

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