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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第219页 > XN4381
复合晶体管
XN04381
(XN4381)
NPN硅外延平面型（ Tr1的）
PNP硅外延平面型（ TR2）
单位：mm
对于开关/数字电路
■
特点
两个元素合并到一个包
（晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本的
4
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
3
2
1
■
基本型号
UNR2213 （ UN2213 ）
+
UNR2122 （ UN2122 ）
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
10
1.1
+0.2
–0.1
参数
Tr1
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极电流
Tr2
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极电流
整体
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
50
50
500
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
°C
°C
3
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： CW
内部连接
4
Tr2
Tr1
2
1
5
6
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年7月
SJJ00068BED
1.1
+0.3
–0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
(0.65)
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
0.4
±0.2
5
1
XN04381
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 k
30%
0.8
47
1.0
150
4.9
0.2
+30%
1.2
80
0.25
民
50
50
0.1
0.5
0.1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
Tr2
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 100
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
500
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
500
30%
0.8
4.7
1.0
200
4.9
0.2
+30%
1.2
50
0.25
民
50
50
1
1
2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
500
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
2
SJJ00068BED
XN04381
Tr1的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
25°C
1
200
40
0.2毫安
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
T
a
=
75°C
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
SJJ00068BED
3
XN04381
Tr2的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
160
V
CE
=
10
V
h
FE
I
C
T
a
=
75°C
300
200
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
10
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
（MA ）
120
25°C
150
1
T
a
=
75°C
25°C
80
100
25°C
40
0.1
25°C
50
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
1
10
100
1
000
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
24
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
20
输出电流I
O
(A)
16
12
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
8
10
0.1
4
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
SJJ00068BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
复合晶体管
XN4381
NPN硅外延平面晶体管（ Tr1的）
PNP硅外延平面晶体管（ TR2）
单位：mm
对于开关/数字电路
0.65±0.15
6
0.95
2.8
–0.3
+0.2
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
1
0.3
–0.05
0.5
–0.05
2.9
–0.05
s
特点
q
q
两个元素合并到一个包中。
（晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
5
2
0.95
4
3
s
元素的基本型号
q
1.1
–0.1
0.4±0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
Tr1
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极 - 基极电压
Tr2
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
–50
–50
–500
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74
迷你型包装（ 6针）
标记符号：
CW
内部连接
6
5
4
Tr1
1
2
3
C
Tr2
0 0.05
UN1213
×
UN1122
为0.1 0.3
0.8
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1.45±0.1
+0.1
+0.1
1
复合晶体管
XN4381
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V ，R
L
= 1k
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
–30%
0.8
150
47
1.0
+30%
1.2
4.9
0.2
80
0.25
V
V
V
兆赫
k
民
50
50
0.1
0.5
0.1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
s
电气特性
q
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
q
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -100mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 500
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 500
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
–30%
0.8
200
4.7
1.0
+30%
1.2
–4.9
– 0.2
50
– 0.25
V
V
V
兆赫
k
民
–50
–50
–1
–1
–2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
2
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
500
XN4381
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
400
Ta=25C
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
80
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
350
300
250
200
150
100
50
0
Ta=75C
25C
–25C
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
0.1mA
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V )
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
3
复合晶体管
Tr2的特性图
I
C
— V
CE
–300
–100
XN4381
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
= –10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
–250
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
–25C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.0mA
–200
–0.9mA
–0.8mA
–150
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–100
–0.4mA
–0.3mA
–50
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
120
25C
Ta=75C
80
–25C
40
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
IN
— I
O
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
输出电流I
O
(
A
)
16
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
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