【复合晶体管XN04316(XN4316)NPN硅外延平面型（ Tr1的）PNP硅外延平面型（ TR2】,IC型号XN4316,XN4316 PDF资料,XN4316经销商,ic,电子元器件-51电子网

复合晶体管

XN04316

(XN4316)

NPN硅外延平面型（ Tr1的）

PNP硅外延平面型（ TR2）

单位：mm

对于开关/数字电路

■

特点

两个元素合并到一个包

（晶体管具有内置电阻）

由一个半减少安装面积和装配成本的

2.90

+0.20

–0.05

1.9

±0.1

(0.95) (0.95)

0.16

+0.10

–0.06

1.50

+0.25

–0.05

2.8

+0.2

–0.3

■

基本型号

UNR2216 （ UN2216 ）

UNR2116 （ UN2116 ）

0.30

+0.10

–0.05

0.50

+0.10

–0.05

1.1

+0.2

–0.1

参数

Tr1

集电极 - 基极电压

（发射极开路）

集电极 - 发射极电压

（基地开）

集电极电流

Tr2

集电极 - 基极电压

（发射极开路）

集电极 - 发射极电压

（基地开）

集电极电流

整体

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

英镑

等级

100

300

150

+150

单位

°C

Tr2

1 ：收藏家（ Tr1的）

2 ：基地（ TR2）

3 ：发射器（ TR2）

EIAJ ： SC- 74

0-0.1

标记符号： 7U

内部连接

1.1

+0.3

–0.1

■

绝对最大额定值

25°C

(0.65)

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：基地（ Tr1的）

6 ：发射器（ Tr1的）

Mini6 -G1封装

Tr1

注）括号中的部分数字表示以往的零件号。

出版日期： 2004年3月

SJJ00065BED

0.4

±0.2

XN04316

■

电气特性

25°C

3°C

Tr1

参数

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（基本开）

集电极 - 基极截止电流（发射极开路）

集电极 - 发射极截止电流（基地开）

发射极 - 基极截止电流（集电极开路）

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

输出电压高级别

输出电压低级别

输入阻抗

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

EBO

CE （ SAT ）

10 V，I

= 2

毫安，女

200兆赫

条件

2毫安，我

50 V，I

6 V，I

10 V，I

5毫安

10毫安，我

0.3毫安

5 V, V

0.5 V ，R

1 k

5 V, V

2.5 V ，R

1 k

30%

4.7

150

4.9

0.2

+30%

160

民

0.1

0.5

0.01

460

0.25

典型值

最大

单位

兆赫

注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。

Tr2

参数

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（基本开）

集电极 - 基极截止电流（发射极开路）

集电极 - 发射极截止电流（基地开）

发射极 - 基极截止电流（集电极开路）

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

输出电压高级别

输出电压低级别

输入阻抗

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

EBO

CE （ SAT ）

= 10

V，I

1毫安，女

200兆赫

条件

= 10 A,

= 2

妈，我

= 50

V，I

= 50

V，I

= 6

V，I

= 10

V，I

= 5

= 10

妈，我

0.3毫安

= 5

V, V

0.5 V ，R

1 k

= 5

V, V

= 2.5

V ，R

1 k

30%

4.7

4.9

0.2

+30%

160

民

0.1

0.5

0.01

460

0.25

典型值

最大

单位

兆赫

注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。

共同的特征图

500

总功耗P

（ mW）的

400

300

200

100

120

160

环境温度T

(

°C

)

SJJ00065BED

XN04316

Tr1的特性图

25°C

1.0毫安

0.9毫安

0.8毫安

0.7毫安

0.6毫安

0.5毫安

0.4毫安

0.3毫安

0.2毫安

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

/ I

400

10 V

160

120

正向电流传输比H

75°C

300

25°C

200

集电极电流I

（MA ）

75°C

0.1

25°C

100

0.1毫安

25°C

0.01

0.1

100

1 000

集电极 - 发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

集电极输出电容

C（ pF）的

（共同的基础，输入开路）

1兆赫

25°C

5 V

25°C

100

0.2 V

25°C

输出电流I

(A)

输入电压V

(V)

0.1

100

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.01

0.1

100

集电极 - 基极电压V

(V)

输入电压V

(V)

输出电流I

（MA ）

SJJ00065BED

XN04316

Tr2的特性图

1.0

25°C

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

/ I

400

= 10

160

0.9毫安

0.8毫安

0.7毫安

0.6毫安

0.5毫安

0.4毫安

0.3毫安

0.2毫安

0.1毫安

集电极电流I

（MA ）

120

正向电流传输比H

300

75°C

0.1

25°C

200

25°C

100

25°C

100

0.01

0.1

100

000

集电极 - 发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

集电极输出电容

C（ pF）的

（共同的基础，输入开路）

1兆赫

25°C

= 25°C

100

0.2 V

25°C

输出电流I

(

)

输入电压V

(V)

0.1

100

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.01

0.1

100

集电极 - 基极电压V

(V)

输入电压V

(V)

输出电流I

（MA ）

SJJ00065BED

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的

下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息

外贸Law"是要出口或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和

该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权

或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。

（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任

在本材料中描述的信息。

（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-

TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户

持设备）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-

化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性

必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类

体。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知

修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，

因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范

系统蒸发散满足您的要求。

（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的

荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会

对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价

分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施

作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止

物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。

（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命

和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独

交换。

（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面

松下电器产业株式会社许可

2003年九月